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一种定向凝固生长太阳能电池用的多晶硅锭工艺 [申请号/专利号:85100529]
申请人/专利权人:
复旦大学
本发明属于半导体材料硅晶体的制备.以高性能的石墨块组合成模具,用去离子水等作调料,将经处理的氮化硅粉料调成糊状,作脱模剂,用氩气和氮气为气氛,熔化时模具悬挂,凝固时模具...
1986年8月13日
上海
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2
碘化汞单晶体的制备方法 [申请号/专利号:90106163]
申请人/专利权人:
四川大学
本发明提出了一种碘化汞单晶体制备方法,它将高纯碘化汞原料封入真空度为10+[-5]Torr的玻璃生长安瓿,把安瓶瓿于立式炉中,使安瓿慢速转动,加热使原料在安瓿1/2高度...
1992年5月13日
四川
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3
一种用菱镁矿石生长氧化镁晶体的方法 [申请号/专利号:200410021334]
申请人/专利权人:
大连理工大学
本发明属于材料科学与技术领域,涉及到晶体生长科学与技术,尤其是用菱镁矿石生长氧化镁晶体的方法。本发明的特征是用菱镁矿石为原料,以冷坩埚为炉体,先焙烧菱镁矿石,经选别制取...
2005年1月5日
大连
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4
220毫米长的大尺寸氟化铈晶体的生长技术 [申请号/专利号:94112080]
申请人/专利权人:
中国科学院上海硅酸盐研究所
本发明涉及晶体生长技术,尤其是大批量生长大尺寸优质氟化铈晶体的技术,属晶体生长领域。 本发明提供的技术包括原料处理、坩埚、生长设备以及生产工艺四方面。用本发明提供...
1995年9月27日
上海
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5
高抗辐照氟化钡晶体的生长技术 [申请号/专利号:90102828]
申请人/专利权人:
中国科学院上海硅酸盐研究所
本发明给出在氧化气氛炉中生长高抗辐照氟化钡闪烁晶体的新技术。本发明的核心是防止和消除在氧化气氛下可能出现的氧化污染和水解。主要技术有:制备氧离子高度净化的高纯BaF-[...
1991年10月9日
上海
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6
生长大尺寸、高质量氟化铅(pbF2)晶体的新技术 [申请号/专利号:93112391]
申请人/专利权人:
中国科学院上海硅酸盐研究所
本发明给出在非真空、不加压、不通气氛的条件下,在普通的、自已能搭建的生长氧化物晶体的生长炉内用下降法生长出在高温下极易分解的PbF2晶体,生长出的晶体光学透光率好。 ...
1994年10月12日
上海
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7
一种非线性光学晶体材料五钒酸钾 [申请号/专利号:200310103797]
申请人/专利权人:
中国科学院福建物质结构研究所
一种非线性光学晶体材料五钒酸钾,属于光学与人工晶体材料领域。其分子式为K↓[3]V↓[5]O↓[14],分子量为596.06,属三方晶系,空间群为P31m,a=8.68...
2005年5月4日
福建
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8
一种双折射功能材料五钒酸钾晶体 [申请号/专利号:200310103796]
申请人/专利权人:
中国科学院福建物质结构研究所
一种双折射功能材料五钒酸钾晶体,属于光学与人工晶体材料领域。该晶体的分子式为K#-[3]V#-[5]O#-[14],分子量为596.06,属三方晶系,正单光轴,空间群为...
2005年5月4日
福建
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9
坩埚下降生长钨酸铅闪烁大单晶的制备方法 [申请号/专利号:94114075]
申请人/专利权人:
中国科学院上海硅酸盐研究所
本发明涉及一种用坩埚下降法生长大尺寸、高质量、多根同时生长闪烁晶体钨酸铅(PWO)的新技术,属于晶体生长领域。本发明采用99.9%纯度的PbO和WO↓[3]粉料,按化学...
1996年7月3日
上海
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10
可控双球面锗单晶生长方法及模具 [申请号/专利号:92104643]
申请人/专利权人:
昆明冶金研究所
本发明涉及一种可腔双球面锗单晶生长的方法及模具,属半导体冶金晶体生长领域。本发明将锗金属和锗单昌籽晶分别装入公知的晶生长设备中的模具的上石模2与下石墨模3之间和下模3下...
1993年1月20日
云南
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11
金属双晶及三晶体的生长技术和装置 [申请号/专利号:92104638]
申请人/专利权人:
中国科学院固体物理研究所
本发明金属双晶及三晶体的生长技术和装置。本发明是一种Bridgmen方法生长金属双晶和三晶的技术和装置包括原料制备,晶体生长及退火,使用5N原料,清洗处理后杂质含量低于...
1993年1月13日
安徽
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