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钱眼专利首页 > 以气态或气化态的 的专利共 3 条
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1
气相掺杂区熔硅单晶的生产方法　[申请号/专利号：200610013497]
申请人/专利权人：天津市环欧半导体材料技术有限公司
本发明涉及一种硅单晶的生产方法，特别涉及一种气相掺杂区熔硅单晶的生产方法。该方法包括抽空充气、掺杂及等径生长工艺，其特征在于：在所述的等径生长工艺中，利用区熔硅单晶炉电...
2006年11月22日
2
气相预掺杂和中子辐照掺杂组合的区熔硅单晶的生产方法　[申请号/专利号：03109067]
申请人/专利权人：天津市环欧半导体材料技术有限公司、中国核动力研究设计院第一研究所
本发明公开一种气相预掺杂和中子辐照掺杂组合的区熔硅单晶的生产方法，有：１．气相预掺杂：（１）装炉、抽真空、充氩气；（２）硅棒预热；（３）化料；（４）掺杂；（５）熔接籽晶...
2003年11月12日
3
气相掺杂区熔硅单晶的生产方法　[申请号/专利号：02159135]
申请人/专利权人：天津市环欧半导体材料技术有限公司
本发明公开一种气相掺杂区熔硅单晶的生产方法，其是由如下步骤完成的：（１）装炉、抽空；（２）硅棒预热；（３）化料；（４）掺杂：在掺杂气体控制装置上设定气体流量控制参数。（...
2003年11月12日
 

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