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钱眼专利首页 > 钛酸盐；锗酸盐；钼酸盐；钨酸盐 的专利共 91 条
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1
磁电谐振换能器件　[申请号/专利号：200810038145]
申请人/专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
本发明涉及一种磁电谐振换能器。在换能领域，该换能器能高效的实现磁量到电能的转换，属于电工器件领域。本发明包括压电材料（１、３、４），磁致伸缩材料（２），导线（５）为用于...
2008年10月15日
2
一种微波可调器件用复合型铁电薄膜及其制备方法　[申请号/专利号：200810032968]
申请人/专利权人：同济大学
本发明公开了一种微波可调器件用复合型铁电薄膜，其特征在于，按照摩尔百分比由３０％～４０％的Ｍｇ↓［２］ＴｉＯ↓［４］和７０％～６０％Ｂａ↓［（１－ｘ）］Ｓｒ↓［ｘ］Ｔｉ...
2008年11月19日
3
2008年12月10日
4
一种拉曼晶体及其制备方法与应用　[申请号/专利号：200610070586]
申请人/专利权人：山东大学
一种拉曼晶体及其制备方法与应用，属于晶体生长与晶体器件技术领域。用提拉法制备具有白钨矿结构的晶体ＢａＷＯ↓［４］，ＳｒＷＯ↓［４］，ＣａＷＯ↓［４］，ＮａＹ（ＷＯ↓［４...
2007年7月11日
5
钛酸镧单晶及其生长技术　[申请号/专利号：200710041328]
申请人/专利权人：上海晶生实业有限公司
提供一种钛酸镧晶体，化学组成为Ｌａ↓［２］Ｔｉ↓［２］Ｏ↓［７］，所述晶体为单晶。还提供一种生长钛酸镧Ｌａ↓［２］Ｔｉ↓［２］Ｏ↓［７］单晶的坩埚下降法生长技术，包括以...
2007年10月31日
6
一种熔盐法制备片状单晶钛酸铋镧粉体的方法　[申请号/专利号：200510130620]
申请人/专利权人：北京科技大学
一种熔盐法制备片状单晶钛酸铋镧粉体的方法，涉及铁电功能材料的制备。本方法采用分析纯Ｂｉ↓［２］Ｏ↓［３］、Ｌａ↓［２］Ｏ↓［３］以及ＴｉＯ↓［２］前驱体和ＮａＣｌ熔盐，...
2006年7月19日
7
晶体生长原料处理系统　[申请号/专利号：200620045840]
申请人/专利权人：嘉兴学院、嘉兴市晶英光电子技术有限公司
本实用新型公开了一种晶体生长原料处理系统，它包括由炉壳、保温砖炉壁、置于炉壁内的发热体、炉膛和炉门组成的加热炉，与加热炉电连接的温控装置，置于炉膛内的带密封盖的化料坩埚...
8
异价离子协同掺杂高光产额钨酸铅晶体及其制备方法　[申请号/专利号：200610148126]
申请人/专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
本发明涉及异价离子协同掺杂高光产额钨酸铅晶体及其制备方法，属于晶体生长领域。本发明用Ｆ↑［－］和Ｓｂ↑［３＋］离子双掺杂，在此基础上引入Ｍｏ↑［６＋］，Ｖ↑［５＋］，Ｎ...
2007年12月26日
9
柱状六钛酸钾晶体及其合成方法　[申请号/专利号：200610132373]
申请人/专利权人：广州市新力金属有限公司
一种新形态的六钛酸钾晶体材料及其合成方法。该方法以钛白粉（ＴｉＯ↓［２］）和碳酸钾（Ｋ↓［２］ＣＯ↓［３］）为原料，包括配料／混料、造粒、煅烧、粉碎／分离四个步骤。按本...
2007年8月15日
10
一种低维钼氧化物青铜单晶的制备方法　[申请号/专利号：200610125368]
申请人/专利权人：武汉大学
本发明公开了一种低维电荷密度波导体钼氧化物青铜系列单晶样品的制备方法，将碱金属碳酸盐或Ｔｌ↓［２］ＣＯ↓［３］与ＭｏＯ↓［３］按１∶３．１－６．１５的摩尔比例混合，研磨...
2007年7月11日
11
钼酸碲钡晶体及其制备方法与应用　[申请号/专利号：200610069169]
申请人/专利权人：山东大学
钼酸碲钡晶体及其制备方法与应用。该晶体化学式为ＢａＴｅＭｏ↓［２］Ｏ↓［９］，属于单斜晶系，空间群为Ｐ２↓［１］，采用助熔剂法制备而得。将ＢａＴｅＭｏ↓［２］Ｏ↓［９］...
2007年5月9日
12
掺铒钼酸钇钠激光晶体及其制备方法和用途　[申请号/专利号：200610067572]
申请人/专利权人：中国科学院福建物质结构研究所
掺铒钼酸钇钠激光晶体及其制备方法和用途，涉及人工晶体领域。采用提拉法（Ｃｚｏｃｈｒａｌｓｋｉ方法），在１１２５℃，以１０～３０转／分钟的晶体转速，０．５～１毫米／小时的...
2007年9月19日
13
双掺镱铒离子钼酸钆钠激光晶体及其制备方法和用途　[申请号/专利号：200610067569]
申请人/专利权人：中国科学院福建物质结构研究所
双掺镱铒离子钼酸钆钠激光晶体及其制备方法和用途，涉及人工晶体领域，特别是涉及一种激光晶体双掺镱铒离子钼酸钆钠（Ｙｂ↑［３＋］／Ｅｒ↑［３＋］∶ＮａＧｄ（ＭｏＯ↓［４］）...
2007年9月19日
14
掺镱钒酸镧激光晶体及其制备方法和用途　[申请号/专利号：200610067568]
申请人/专利权人：中国科学院福建物质结构研究所
掺镱钒酸镧激光晶体及其制备方法和用途，涉及人工晶体领域。采用提拉法，在１７００℃，１０－２５转／分钟的晶体转速，０．５～２毫米／小时的拉速，生长出了高质量、较大尺寸的Ｙ...
2007年9月19日
15
一种掺钕钨酸钇钾激光晶体的生长方法及其生长装置　[申请号/专利号：200610123988]
申请人/专利权人：暨南大学
本发明公开了一种获得大尺寸高质量掺钕钨酸钇钾激光晶体的生长方法。该方法通过复合助熔剂的配比变化，结合化学式进行化学组分的配比，通过调节提拉速率、旋转速率和等径生长过程，...
2007年7月11日
16
掺钕钼酸钆钡激光晶体及其制备方法和用途　[申请号/专利号：200610067567]
申请人/专利权人：中国科学院福建物质结构研究所
掺钕钼酸钆钡激光晶体及其制备方法和用途，涉及人工晶体领域，特别是涉及一种激光晶体掺钕钼酸钆钡ＢａＧｄ↓［２］（ＭｏＯ↓［４］）↓［４］及其制备方法和用途。采用提拉法（Ｃ...
2007年9月19日
17
2008年11月26日
18
在金属钛基片衬底上生长钛酸锶钡薄膜的方法　[申请号/专利号：200710038741]
申请人/专利权人：上海大学
本发明涉及一种在金属钛基片衬底上生长钛酸锶钡薄膜的方法，属铁电性能材料制备工艺方法技术领域。本发明方法的特点是在金属钛基片衬底上，通过引入镍酸镧缓冲层，即在金属钛和钛酸...
2007年11月21日
19
一种负热膨胀材料ZrW*Mo*O*单晶的制备方法　[申请号/专利号：200610040200]
申请人/专利权人：江苏大学
一种负热膨胀材料ＺｒＷ↓［１．７］Ｍｏ↓［０．３］Ｏ↓［８］单晶的制备方法，属于功能陶瓷材料技术领域，将硝酸氧锆、钨酸铵及钼酸铵按Ｚｒ↑［４＋］∶Ｗ↑［６＋］∶Ｍｏ↑［...
2006年12月6日
20
2008年12月10日
21
钛酸锂晶须的制备方法　[申请号/专利号：200610022477]
申请人/专利权人：成都理工大学
一种具有尖晶石型结构钛酸锂Ｌｉ↓［４］Ｔｉ↓［５］Ｏ↓［１２］晶须材料的制备方法，其特征是按以下步骤进行：在偏钛酸中加入氢氧化钠溶液，加热至沸腾并搅拌５小时，用２．５倍...
2007年7月11日
22
基于崩解效应的钛酸钾晶须或钛酸钾颗粒的制备方法　[申请号/专利号：200710064631]
申请人/专利权人：徐艳姬
本发明公开了属于纳米和微米材料制备技术领域的一种基于崩解效应的钛酸钾晶须或钛酸钾颗粒的制备方法，尤其涉及纳米和微米六钛酸钾晶须的制备方法。该方法是利用崩解效应和串并联效...
2007年9月26日
23
六钛酸钾晶须及其制备方法　[申请号/专利号：200610022304]
申请人/专利权人：四川大学
本发明涉及一种六钛酸钾晶须及其用水热法制备的方法，属于材料领域。该六钛酸钾晶须（Ｋ↓［２］Ｔｉ↓［６］Ｏ↓［１３］）直径约在２００～５００ｎｍ之间，长约２００００～３０...
2007年6月6日
24
低温固态反应制备纳米钛酸钡及掺杂固溶体的方法　[申请号/专利号：200610012645]
申请人/专利权人：河北大学
本发明涉及一种低温固态反应制备纳米钛酸钡的方法，其特征包括：Ａ、以ＴｉＣｌ↓［４］为原料在ｐＨ值为６－８的条件下水解，得到偏钛酸Ｈ↓［２］ＴｉＯ↓［３］滤饼；Ｂ、将滤饼...
2006年11月22日
25
提高稀土离子掺杂浓度的钨酸钡单晶制备工艺　[申请号/专利号：200610076273]
申请人/专利权人：北京工业大学
提高稀土离子掺杂浓度的钨酸钡单晶制备工艺属于单晶生长领域。目前稀土离子在钨酸钡中掺杂浓度很低，无法做成有实用价值的激光晶体。本发明的钨酸钡单晶制备工艺，包括以下步骤：在...
2006年11月22日
26
微波法制备立方相钛酸钡的方法　[申请号/专利号：200610012618]
申请人/专利权人：山西大学
本发明提供的一种微波法制备立方相钛酸钡的方法，包括步骤：（１）将氢氧化钠溶解在二次蒸馏水中；将等摩尔的氯化钡和氯化钛加入上述反应体系中，调节ｐＨ值１２－１４；然后，搅拌...
2006年11月22日
27
半绝缘性GaAs晶片及其制造方法　[申请号/专利号：200610002268]
申请人/专利权人：日立电线株式会社
本发明通过对由ＬＥＣ法或纵型熔融液法（ＶＢ法、ＶＧＦ法）得到的ＧａＡｓ结晶，将晶片的面内位错密度（ＥＰＤ值）和残留应力值限定在一定范围，可以制造出在离子注入后的活性化退...
2006年8月23日
28
纳米管钛酸盐制备方法　[申请号/专利号：200610017350]
申请人/专利权人：河南大学
纳米管钛酸盐制备方法，将硝酸盐与纳米管钛酸钠粉末按摩尔比５－１００∶１混合均匀，于５０－４５０℃熔融反应３－４８ｈ，冷却、洗涤，除去未参加反应的硝酸盐，干燥得纳米管钛酸...
2007年7月25日
29
快速制备钨酸钙介晶的方法　[申请号/专利号：200610117285]
申请人/专利权人：上海交通大学
本发明涉及一种快速制备钨酸钙介晶的方法，采用微乳液为媒介，在极短的反应时间内得到产物。首先将等量的、相同浓度的钙盐水溶液和钨酸钠水溶液分别按一定比例与正辛烷、正丁醇、十...
2007年5月9日
30
掺杂钨酸铅晶体的制备方法　[申请号/专利号：200610117681]
申请人/专利权人：嘉兴学院、嘉兴市晶英光电子技术有限公司
本发明公开了一种掺杂钨酸铅晶体的制备方法，包括如下步骤：（１）将纯度为９９．９９％的ＰｂＯ、ＷＯ↓［３］和掺杂剂固态粉末在１５０℃－２００℃干燥，然后，ＰｂＯ和ＷＯ↓［...
2007年5月16日
31
钨酸铅晶体的制备方法　[申请号/专利号：200610116726]
申请人/专利权人：嘉兴学院、嘉兴市晶英光电子技术有限公司
本发明公开了一种钨酸铅晶体的制备方法，它包括如下步骤：原料预处理；将预处理后的原料即ＰｂＷＯ↓［３］注入置有籽晶的生长坩埚，顶部预留０．１－０．６倍于晶体长度的空间，然...
2007年5月23日
32
掺钕钨酸锂镧钡激光晶体及其制备方法和用途　[申请号/专利号：200610091468]
申请人/专利权人：中国科学院福建物质结构研究所
掺钕钨酸锂镧钡激光晶体及其制备方法和用途，涉及人工晶体领域。采用提拉法（Ｃｚｏｃｈｒａｌｓｋｉ方法）生长，生长条件为：生长温度１４１０℃，晶体转速１５～２０转／分钟，拉...
2007年12月19日
33
非水电解质电池、锂-钛复合氧化物、电池组和车辆　[申请号/专利号：200610079893]
申请人/专利权人：株式会社东芝
微晶直径不大于６．９×１０↑［２］＊的并且包括金红石型ＴｉＯ↓［２］、锐钛型ＴｉＯ↓［２］、Ｌｉ↓［２］ＴｉＯ↓［３］和具有尖晶石结构的钛酸锂的锂－钛复合氧化物。在将通...
2006年11月15日
34
掺铬钼酸铝钾可调谐激光晶体　[申请号/专利号：200610077935]
申请人/专利权人：中国科学院福建物质结构研究所
本发明涉及一种可调谐激光晶体掺铬钼酸铝钾晶体及其制备。该晶体采用熔盐顶部籽晶法生长，采用６０～８０ａｔ％Ｋ↓［２］Ｍｏ↓［３］Ｏ↓［１０］为助熔剂，降温速率为１～５℃／...
2007年10月31日
35
固相熔剂外延生长法　[申请号/专利号：200580009225]
申请人/专利权人：独立行政法人 科学技术振兴机构
本发明提供一种能够制造具有与块晶同等的晶体完整性的薄膜、且制造成本低的固相熔剂外延生长法，其中，在基板上将外延生长的物质即目标物质和溶剂相混合的非晶形薄膜在低于共晶点温...
2007年3月21日
36
用于激光和受激拉曼频移的钼酸盐晶体及其制备方法和用途　[申请号/专利号：200610077605]
申请人/专利权人：中国科学院福建物质结构研究所
用于激光和受激拉曼频移的钼酸盐晶体及其制备方法和用途，涉及光电子晶体材料领域。分子式为Ｒ↓［２ｘ］Ｂｉ↓［２（１－ｘ）］（ＭｏＯ↓［４］）↓［３］（Ｒ＝Ｔｉ、Ｃｒ、Ｃｅ...
2007年10月17日
37
2008年11月26日
38
一种钛酸钾晶须的制备方法　[申请号/专利号：200710016322]
申请人/专利权人：山东大学
一种钛酸钾晶须的制备方法，属于新材料技术领域。本发明的钛酸钾晶须是以工业纯钾化合物、钛化合物固体粉末为原料，并采用氟化物作为晶须生长促进剂，经过在密闭陶瓷坩埚中高温固相...
2008年3月26日
39
一种用乳酸助剂法制备纳米钛酸锶的方法　[申请号/专利号：200710018432]
申请人/专利权人：西安交通大学
本发明涉及一种用乳酸助剂法制备纳米钛酸锶的方法。以锶盐和钛酸丁酯为原料，以乳酸为溶剂和抑制剂，再加入少量水促进水解。首先将碳酸锶溶解在乳酸里，然后在强烈的搅拌下，缓慢加...
2008年2月6日
40
Y和Zn双掺杂钨酸铅晶体及其制备方法　[申请号/专利号：200710072440]
申请人/专利权人：哈尔滨工业大学
Ｙ和Ｚｎ双掺杂钨酸铅晶体及其制备方法，它涉及一种钨酸铅晶体及其制备方法。它解决了现有钨酸铅晶体存在Ｖ↓［Ｐｂ］、Ｖ↓［ｏ］及晶体诱导色心Ｐｂ↑［３＋］、Ｏ↑［－］和Ｆ缺...
2008年3月19日
41
具有镍酸锂缓冲层的外延钛酸锶铅薄膜及制备方法　[申请号/专利号：200710068448]
申请人/专利权人：浙江大学
本发明公开了一种具有镍酸锂缓冲层的外延钛酸锶铅薄膜及制备方法。在ＭｇＯ基板的一面沉积一层缓冲层导电电极ＬＮＯ薄膜，在缓冲层导电电极ＬＮＯ薄膜上再沉积一层钙钛矿相ＰＳＴ薄...
2008年2月13日
42
Yb和Zn双掺杂钨酸铅晶体及其制备方法　[申请号/专利号：200710072441]
申请人/专利权人：哈尔滨工业大学
Ｙｂ和Ｚｎ双掺杂钨酸铅晶体及其制备方法，它涉及一种钨酸铅晶体及其制备方法。它解决了现有钨酸铅晶体存在Ｖ↓［Ｐｂ］、Ｖ↓［Ｏ］及晶体诱导色心Ｐｂ↑［３＋］、Ｏ↑［－］和Ｆ...
2007年12月12日
43
具有观察及排气装置的钨酸铅晶体生长炉　[申请号/专利号：200610010555]
申请人/专利权人：哈尔滨工业大学
具有观察及排气装置的钨酸铅晶体生长炉，它涉及晶体生长炉。它为了解决现有单晶炉无法观察晶体生长情况，不利于参数的调整，密封性差，氧化铅易挥发外泄有毒气体，给人身健康带来危...
2007年3月28日
44
一种取向生长的介电常数可调钛酸锶铅薄膜的制备方法　[申请号/专利号：200710067534]
申请人/专利权人：浙江大学
本发明公开了一种取向生长的介电常数可调钛酸锶铅薄膜的制备方法，首先在涂覆在玻璃基板上的ＩＴＯ底电极上拉制铽掺杂ＰＴ取向诱导层；再在铽掺杂ＰＴ取向诱导层上沉积ＰＳＴ薄膜；...
2007年11月14日
45
微波熔盐法合成片状晶体SrTiO*　[申请号/专利号：200610124653]
申请人/专利权人：武汉理工大学
本发明公开了一种微波熔盐法合成片状晶体ＳｒＴｉＯ↓［３］的方法。该方法在熔盐法中引入微波场，在低温下成功地合成出了片状晶体ＳｒＴｉＯ↓［３］。其方法是首先以ＳｒＴｉＯ↓...
2007年5月9日
46
Yb掺杂的锗酸钆、锗酸镧及其熔体法生长方法　[申请号/专利号：200710023307]
申请人/专利权人：中国科学院安徽光学精密机械研究所
本发明公开了一种两种Ｙｂ掺杂的锗酸盐及其熔体法生长方法，它们的分子式可表为Ｙｂ↓［２ｘ］Ｌａ↓［２（１－ｘ）］ＧｅＯ↓［５］、Ｙｂ↓［２ｘ］Ｇｄ↓［２（１－ｘ）］ＧｅＯ...
2007年11月14日
47
压电薄膜及其制造方法、压电元件以及喷墨记录头　[申请号/专利号：200580000793]
申请人/专利权人：佳能株式会社、富士化学株式会社
本发明披露了具有较少不一致部分并保持令人满意压电特性的压电薄膜、制造所述薄膜的方法、使用该压电薄膜的压电元件以及使用该压电元件的喷墨系统记录头。在通过溶胶凝胶工艺形成在...
2006年9月27日
48
一种碱金属钛基晶须和片晶的制备方法　[申请号/专利号：200610039687]
申请人/专利权人：南京工业大学
一种碱金属钛基晶须和片晶的制备方法，将钛矿物、含碱金属化合物与助熔剂、还原剂、水，充分混合；混合物中助熔剂质量百分含量为１０％～５０％，还原剂质量百分含量为１％～４０％...
2006年11月22日
49
树枝状钼酸钡纳米晶体的制备方法　[申请号/专利号：200610116020]
申请人/专利权人：上海交通大学
本发明涉及一种树枝状钼酸钡纳米晶体的制备方法，采用微乳液为媒介进行制备，首先分别将等量的、相同浓度的钡盐水溶液和钼酸钠水溶液，按一定比例与正辛烷、正丁醇、十六烷基三甲基...
2007年3月28日
50
晶体生长原料处理方法　[申请号/专利号：200610116108]
申请人/专利权人：嘉兴学院、嘉兴市晶英光电子技术有限公司
本发明公开了一种晶体生长原料的处理方法，特点是将原料按照比例称量，充分混合，加压５～２０ＫＰａ成需要的形状，在８００～１１００℃温度下烧结；将烧结后的原料在有保护气的氛...
2007年3月28日
 

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