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脉冲激光法制备β-FeSi*单晶的方法 [申请号/专利号:200510018200]
申请人/专利权人:
江汉大学、华中科技大学
本发明公开了一种脉冲激光法制备β-FeSi↓[2]单晶的方法。它是以FeSi↓[2]合金为靶材,以硅或石英或铁为基片置于脉冲激光真空镀膜机内,将基片加热到400℃-80...
2005年10月12日
武汉
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2
单相Sm*Co*纳米晶块体材料的制备方法 [申请号/专利号:200810114676]
申请人/专利权人:
北京工业大学
...
2008年12月10日
北京
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3
一种磁性形状记忆合金单晶及制备方法 [申请号/专利号:200810055808]
申请人/专利权人:
中国科学院物理研究所
本发明公开了一种磁性形状记忆合金的材料及其单晶制备方法。该磁性单晶材料的化学式为Ni↓[50+x]Fe↓[25-x]Ga↓[25+y],其中-2.00≤x≤2.00;-...
2008年10月1日
北京
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4
使用选择沉积工艺制造MOSFET器件的方法 [申请号/专利号:200580006136]
申请人/专利权人:
应用材料股份有限公司
本发明提供用以沉积含硅材料的方法,例如选择性外延沉积一含有高掺杂剂浓度的硅锗材料的方法。在一实施例中,将一衬底暴露在至少两种不同的工艺气体中以沉积一层在另一层顶部。一种...
2007年3月7日
美国
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5
一种稀土-铁合金磁致伸缩材料 [申请号/专利号:94112702]
申请人/专利权人:
中国科学院金属研究所、武汉工业大学
一种稀土-铁合金磁致伸缩材料,属于(TbDy)Fe↓[2]赝二元化合物,其特征在于:以Pr部分替代Dy,其化学成分为(原子比):Tb↓[1-x-y]Dy↓[x]Pr↓[...
1996年6月26日
辽宁
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6
选择性沉积重掺杂外延硅锗的方法 [申请号/专利号:200480032674]
申请人/专利权人:
应用材料股份有限公司
一实施例中提供一种在基材上沉积硅或硅锗薄膜的方法,其包含将该基材置于一处理室中,并加热该基材表面使其温度介于约600℃至900℃之间,同时保持该处理室中的压力介于约13...
2006年12月6日
美国
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7
一种单晶与定向柱晶复合结晶叶片用的复合结晶器 [申请号/专利号:200420031881]
申请人/专利权人:
中国科学院金属研究所
本实用新型属于高温合金精密铸造范畴,具体为新型单晶与定向柱晶复合结晶叶片用的复合结晶器,用于研制和生产各种类型的高温合金定向凝固的材料和叶片。复合结晶器包括单晶选晶器、...
沈阳
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8
一种籽晶法定向凝固起始端结构及其应用 [申请号/专利号:200410100471]
申请人/专利权人:
中国科学院金属研究所
一种能提高单晶生长成功率的籽晶法定向凝固起始端结构及其应用,采用20°-40°的圆锥形籽晶,以预埋的方式置于型壳中,使圆锥底部与结晶器接触,以同成分的母合金为实验材料进...
2006年7月5日
沈阳
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9
具有双向形状记忆效应的磁性材料及其单晶制备方法 [申请号/专利号:200410080015]
申请人/专利权人:
中国科学院物理研究所
本发明公开了一种具有双向形状记忆效应的磁性材料及其单晶制备方法。该磁性单晶材料的化学式为Mn↓[x]Ni↓[y]Ga↓[z],其中,37<x<55,20<y<38,20...
2005年4月27日
北京
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10
制造涡轮构件的方法和设备、涡轮构件和该设备的应用 [申请号/专利号:200410031527]
申请人/专利权人:
西门子公司
本发明公开了一种制造至少由一基础构件(1)和一种结构材料(8)组成的涡轮部件(9、10)的方法,其中,首先制备出该基础构件(1),然后将一种结构材料(8)施加在该基础构...
2004年11月3日
联邦
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11
一种高蠕变抗力抗氧化单晶镍基合金及其制备工艺 [申请号/专利号:200410021584]
申请人/专利权人:
沈阳工业大学、中国科学院金属研究所
本发明涉及一种镍基超合金,该合金特别适于制造航空发动机、燃气轮机的单晶部件。该合金主要以下列元素组成(以重量百分含量计):5.6-6.4%Al,6.6-7.4%Ta,6...
2005年3月23日
沈阳
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12
制造单晶结构的方法 [申请号/专利号:03800437]
申请人/专利权人:
西门子公司
本发明公开了一种在基板上制造单晶结构的方法。按照现有技术的结晶外延生长,常常需要在一个平面内产生多条行进轨迹,以修复一个待修复区域。这会导致晶体结构的搭接和错误定向。在...
2004年7月28日
联邦
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13
定向生长柱晶及单晶钛合金的制备方法 [申请号/专利号:200310113420]
申请人/专利权人:
北京航空航天大学
本发明公开了一种定向生长柱晶及单晶钛合金的制备方法,所述方法是在动态密封气氛可控加工保护室或密闭气氛可控加工室(先抽真空后充惰性保护气体)中,以高能束流作为热源,将气流...
2004年11月3日
北京
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14
连续定向凝固铸造方法、装置及其制备的线材或板带材料 [申请号/专利号:200310111879]
申请人/专利权人:
周照耀
本发明提供一种连续定向凝固铸造方法,包括下述步骤:将引料线或引料板一端伸入结晶口内;将引料线或引料板另一端通过牵引机构引入冷却液中;当结晶器预热后,将流体材料输入结晶器...
2004年10月27日
广州
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15
稀土超磁致伸缩材料一步法制备工艺及设备和制备的产品 [申请号/专利号:03156926]
申请人/专利权人:
北京有色金属研究总院、有研稀土新材料股份有限公司
一种稀土超磁致伸缩材料一步法制备工艺及设备和制备的产品。该制备工艺包括下述步骤:(1)采用其内设有熔炼坩埚、保温筒和可分离式的保温筒底座的真空室,保温筒底座连接可使其上...
2004年4月21日
北京
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16
具有磁场可控的双向形状记忆效应的磁性单晶及制备方法 [申请号/专利号:200310116066]
申请人/专利权人:
中国科学院物理研究所
本发明涉及一种具有磁诱导高应变形状记忆效应的磁性单晶及其制备方法。该磁性单晶具有Co↓[x]Ni↓[y]Ga↓[z]化学式,其中:40<x<60;10<y<30;10<...
2005年7月6日
北京
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17
具有磁诱导高应变和形状记忆效应的磁性单晶及制备方法 [申请号/专利号:02125681]
申请人/专利权人:
中国科学院物理研究所
本发明涉及一种具有磁诱导高应变形状记忆效应的磁性单晶及其制备方法。该磁性单晶具有Ni#-[50+x]Mn#-[25-y]Fe#-[y]Ga#-[25+z]化学式,其中:...
2004年2月4日
北京
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18
用于制造复杂形状结构的单晶体构件的方法 [申请号/专利号:02815802]
申请人/专利权人:
西门子公司
本发明涉及一种用金属熔液制造具有不同结构部段的复杂形状结构的单晶体构件(1)的方法,其中,所述金属熔液处于一个与所述形状结构相对应的阴模中,以及所述阴模经历一个与所述金...
2004年10月27日
联邦
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19
改善高铌强化型单晶高温合金使用性能的热处理方法 [申请号/专利号:02144627]
申请人/专利权人:
中国科学院金属研究所
本发明公开一种改善高铌强化型单晶高温合金使用性能的热处理方法。它针对单晶合金无晶界的特点以及高铌强化型合金固有的组织结构特点,制定均匀化和时效热处理工艺,可按如下步骤操...
2004年6月9日
沈阳
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20
用于制造定向凝固铸件的方法和装置 [申请号/专利号:97196810]
申请人/专利权人:
通用电气公司、全俄航空材料科学研究所
本发明涉及一种用于生产大型的定向凝固铸件的方法和装置,所述铸件的浇注高度大于200毫米,最好大于300毫米。通过将熔融超合金材料成比例地浇注到由悬挂元件所保护的铸型中能...
1999年8月18日
美国
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21
镍-基超合金 [申请号/专利号:97195551]
申请人/专利权人:
阿尔斯通公司
本发明涉及一种镍-基超合金,该合金特别适于制造单晶部件,其基本组成为:6.0-6.8%Cr、8.0-10.0%Co、0.5-0.7%Mo、6.2-6.6%W、2.7-3...
1999年7月7日
法国
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22
镍-基超合金 [申请号/专利号:97195550]
申请人/专利权人:
阿尔斯通公司
本发明涉及一种镍-基超合金,该合金特别适于制造大型单晶部件,其基本组成(以%(重量)计)为:6.0-6.8%Cr、8.0-10.0%Co、0.5-0.7%Mo、6.2-...
1999年7月7日
法国
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23
一种NiA1单晶的制备方法 [申请号/专利号:97111890]
申请人/专利权人:
中国科学院金属研究所
一种NiAl单晶的制备方法,首先制备NiAl母合金,将母合金放入高纯刚玉模壳中进行定向凝固,其特征在于:对母合金进行两次方向相反的定向凝固,第二次定向凝固的初始固液界面...
1999年1月13日
沈阳
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24
碲化汞镉的制造 [申请号/专利号:200580018429]
申请人/专利权人:
秦内蒂克有限公司
公开了一种制造碲化汞镉(CMT)的方法,方法包括通过分子束外延(MBE)在衬底上生长一个或多个缓冲层。随后通过金属有机气相外延(MOVPE)生长至少一个碲化汞镉Hg↓[...
2007年5月16日
英国
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25
制造矿物棉等矿物材料产品的金属部件、离心纺丝器及其制造方法 [申请号/专利号:94101689]
申请人/专利权人:
伊索弗·圣-戈班
用于生产矿物棉的金属部件(离心纺丝器),它至少含有一个金属超耐热耐蚀合金铸造的单晶体的单一铸件,该部件可在一由下部晶体形成室(12)、上部工件形成室(15)及联接该二室...
1995年3月22日
法国
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26
一种镍铝基合金单晶的制备技术 [申请号/专利号:95110277]
申请人/专利权人:
中国科学院金属研究所
一种金属材料单晶的制备技术,系采用定向生长的办法,包括母合金样品的制备,其特征在于:在距母合金样底部20-40mm上加工出一10~20mm的缩颈,缩颈部分用陶瓷涂料填充...
1996年12月10日
沈阳
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27
对单晶金属片或定向固化金属片表面修整的方法 [申请号/专利号:200510099662]
申请人/专利权人:
斯内克马公司、斯内克马服务公司
本发明涉及对厚度小于2mm的单晶质或定向固化金属片的表面修整工艺,对所述片施加激光束和种类与金属片相同的金属粉流,从所述片至少产生一个单晶或定向固化金属层,激光束以功率...
2006年3月22日
法国
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28
用磁悬浮冷坩埚提拉稀土--铁单晶的方法 [申请号/专利号:91108419]
申请人/专利权人:
武汉工业大学
本发明公开了一种用磁悬浮冷坩埚提拉稀土一铁(Tb-[X]D-[y1-x]Fe-[2-w])单晶的方法。本发明与常规使用BN石英坩埚提拉法和模具铸造法相比,具有避免坩埚或...
1992年4月15日
武汉
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29
一种镍铝基金属材料单晶的制备方法 [申请号/专利号:95113917]
申请人/专利权人:
中国科学院金属研究所
一种金属材料单晶的制备技术,其特征在于:根据所需单晶材料的尺寸制作相应的陶瓷模壳,将预制母合金棒加工成与陶瓷模壳相配合的尺寸的样品,在样品的中下部位距样品底部20mm以...
1997年5月21日
辽宁
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