热处理-钱眼专利分类

一种具有内吸杂功能的掺碳硅片的制备方法　[申请号/专利号：200410084529]
申请人/专利权人：浙江大学
本发明的具有内吸杂功能的掺碳硅片，其氧浓度为５～１５×１０↑［１７］ｃｍ↑［－３］，碳浓度为５～３０×１０↑［１６］ｃｍ↑［－３］。制备步骤如下：１）采用直拉法生长晶体...

2005年7月27日

杭州

具有缺陷减少区域的单晶半导体晶片及其制造方法　[申请号/专利号：200710128605]
申请人/专利权人：硅电子股份公司
本发明涉及具有缺陷减少区域的单晶半导体晶片，其中所述缺陷减少区域的ＧＯＩ相关缺陷密度在０／ｃｍ↑［２］至０．１／ｃｍ↑［２］的范围内，并且所述缺陷减少区域总共占据所述半...

2008年3月12日

硅晶片　[申请号/专利号：200710096111]
申请人/专利权人：东芝陶瓷株式会社
本发明提供一种适用于具有浅结的半导体装置之制造的硅晶片。其中硅晶片的特征在于：在距表面的深度低于５０μｍ的区域，直径１０ｎｍ以上的氧析出物密度在１×１０↑［８］／ｃｍ↑...

2007年11月21日

碳化硅衬底的表面重建方法　[申请号/专利号：200680001088]
申请人/专利权人：住友电气工业株式会社
一种碳化硅衬底（１）的表面重建方法，该方法包括：在碳化硅衬底（１）表面形成硅膜（２）的硅膜形成步骤和在没有在硅膜（２）表面上提供多晶碳化硅衬底的情况下，热处理碳化硅衬底...

2007年10月10日

一种耐高温的晶体退火装置　[申请号/专利号：200410016379]
申请人/专利权人：周永宗
本发明属晶体的热处理领域，一种耐高温的晶体退火装置，包括置于带有真空排气口的底盘上，并通过真空密封圈与底盘密封接触设有进、出水口及气压表的钟罩，钟罩体内设包含侧屏蔽筒和...

2005年1月5日

激光退火装置及其激光退火方法　[申请号/专利号：200410006473]
申请人/专利权人：友达光电股份有限公司
本发明是关于一种激光退火装置及其激光退火方。该激光退火装置是适于对一非晶硅薄膜进行激光退火，该非晶硅薄膜是区分为一第一区域以及第一区域以外的一第二区域。该激光退火装置，...

2005年1月5日

台湾

硅片的制造方法　[申请号/专利号：200610135761]
申请人/专利权人：东芝陶瓷株式会社
本发明为了控制结晶层错区域、抑制退火处理时的滑移发生、并且可以合格率良好地制造高强度的高品质硅片，提供了一种硅片的制造方法，即通过直拉法，在氧浓度为０．９×１０↑［１８...

2007年4月4日

在高纯碳化硅晶体中产生半绝缘电阻率的方法　[申请号/专利号：03814624]
申请人/专利权人：克里公司
本发明公开了一种方法，用于在没有相关数量深层级捕获元素的情况制造高品质半绝缘碳化硅晶体。本发明包括如下步骤：将具有与深层级状态相关的第一点缺陷浓度的碳化硅晶体加热到一定...

2005年8月31日

揭示体衬底中的晶体缺陷的方法　[申请号/专利号：200710078765]
申请人/专利权人：硅绝缘体技术有限公司
本发明描述了一种预先揭示体衬底中的晶体缺陷的方法，所述缺陷是如果将所述衬底用于层的剥离和转移方法并且再循环至少三次后就会显现的缺陷。所述方法的特征在于包括以下步骤：对所...

2007年10月17日

法国

铁电材料锆钛酸铅纳米薄膜结晶取向生长的晶化方法　[申请号/专利号：200510020247]
申请人/专利权人：电子科技大学
本发明提供了一种铁电材料锆钛酸铅纳米薄膜结晶取向生长的晶化方法，它是通过射频溅射在Ｐｔ／Ｔｉ／ＳｉＯ↓［２］／Ｓｉ的衬底上室温沉积得到非晶ＰＺＴ薄膜，采用传统热处理和快...

2006年8月2日

成都

飞秒激光在晶体表面自组织生长微纳米结构的方法　[申请号/专利号：200810037730]
申请人/专利权人：上海大学
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2008年12月10日

钽酸锂基片及其制备方法　[申请号/专利号：200410033600]
申请人/专利权人：住友金属矿山株式会社
在钽酸锂基片中，防止了在基片的表面电荷的累积而产生的火花，从而防止对ＬＴ基片表面形成的梳型结构的破坏和ＬＴ基片内的裂纹等。此外，在光刻方法中，避免进入ＬＴ基片的光线从Ｌ...

2004年10月27日

利用飞秒激光在玻璃和晶体中诱导出功能晶体材料的方法　[申请号/专利号：200410018446]
申请人/专利权人：上海大学
本发明涉及一种利用飞秒激光在玻璃和晶体中诱导出功能晶体材料的方法，属激光应用技术领域，也属于新材料科学技术领域。本发明采用特定的激光装置，在飞秒激光辐照下产生结构变化或...

2005年2月16日

具有良好的内在吸收能力的硅晶片及其制造方法　[申请号/专利号：200710153795]
申请人/专利权人：硅电子股份公司
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2008年5月28日

监控低温快速热退火工艺的方法　[申请号/专利号：200410017411]
申请人/专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
本发明提供一种监控低温快速热退火工艺的方法，它利用在低温时非晶质硅层与金属层的接触表面会形成一对温度相当敏感的金属硅化物，再通过测量金属硅化物的薄层电阻值来监控所述低温...

2005年10月5日

硅半导体晶片及其制造方法　[申请号/专利号：200710153492]
申请人/专利权人：硅电子股份公司
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2008年5月28日

快速热退火的方法　[申请号/专利号：03123664]
申请人/专利权人：旺宏电子股份有限公司
本发明是关于一种快速热退火的方法，其制程是在快速热退火装置中对一晶圆进行第一快速热退火步骤，并监测一制程参数，判断该制程参数的实测值是否超出一第一制程参数范围，其中第一...

2004年11月24日

台湾

掺镱钇铝石榴石晶体的退火方法　[申请号/专利号：03116040]
申请人/专利权人：中国科学院上海光学精密机械研究所
一种掺镱钇铝石榴石晶体的退火方法，其特是包括以下步骤：将Ｙｂ：ＹＡＧ晶体放入盛有纯钇铝石榴石碎晶体的氧化铝坩埚中，该坩埚盖半开启，一并放入马弗炉中；马弗炉以小于５０℃／...

2003年9月10日

热处理硅晶片的方法及用该方法制造的硅晶片　[申请号/专利号：03104264]
申请人/专利权人：硅电子股份公司
本发明涉及一种热处理硅晶片的方法，其中该硅晶片至少暂时暴露于含氧气氛中，热处理进行时的温度是经适当选择以便满足以下不等式：其中［Ｏ＃－［ｉ］］是硅晶片内的氧浓度。［Ｏ＃...

2003年8月20日

硅晶片及硅晶片的热处理方法　[申请号/专利号：200610067653]
申请人/专利权人：硅电子股份公司
本发明涉及硅晶片，其不具有外延沉积层且不具有通过与硅晶片粘合而形成的层，其氮浓度为１×１０↑［１３］原子／立方厘米至８×１０↑［１４］原子／立方厘米，氧浓度为５．２×１...

2006年10月4日

重掺硼直拉硅片的基于快速热处理的内吸杂工艺　[申请号/专利号：200610051834]
申请人/专利权人：浙江大学
本发明公开了重掺硼直拉硅片的基于快速热处理的内吸杂工艺，步骤如下：１）将重掺硼硅片清洗后先在氩气氛下于１２００－１２８０℃热处理５－５０秒，然后保持温度不变，将处理气氛...

2006年12月27日

杭州

钽酸锂基板及其制造方法　[申请号/专利号：200480027724]
申请人/专利权人：住友金属矿山株式会社
本发明特征在于，将用丘克拉斯基法生长的钽酸锂晶体加工成基板状态所得到的ＬＴ基板，包埋在Ａｌ和Ａｌ↓［２］Ｏ↓［３］的混合粉末中，在３５０～６００℃的保持温度下进行热处理...

2006年11月1日

低缺陷密度的改变取向的Si及其产品　[申请号/专利号：200610005701]
申请人/专利权人：国际商业机器公司
本发明提供了一种通过非晶化／模板再结晶（ＡＴＲ）工艺形成低缺陷密度改变取向的Ｓｉ的方法，其中具有第一晶体取向的Ｓｉ的一些区域通过离子注入而被非晶化，然后被再结晶成具有不...

2006年8月16日

用于减小两个接合硅表面之间的界面氧化物的厚度的方法　[申请号/专利号：200610000445]
申请人/专利权人：国际商业机器公司
本发明提供了一种用于除去和减小在硅晶片接合之后留在Ｓｉ－Ｓｉ界面处的超薄界面氧化物的厚度的方法。具体，本发明提供了一种用于除去亲水Ｓｉ－Ｓｉ晶片接合之后留下的超薄界面氧...

2006年8月16日

单晶的制造方法及退火晶片的制造方法　[申请号/专利号：200580043234]
申请人/专利权人：信越半导体股份有限公司
一种单晶的制造方法，是通过切克劳斯基法在处理室内从相同的坩埚中的原料熔液４，提拉二根以上单晶３之多重牵引（ｍｕｌｔｉ－ｐｕｌｌｉｎｇ）法，针对在从原料熔液４提拉单晶３之...

2007年11月28日

半导体处理室　[申请号/专利号：200610150712]
申请人/专利权人：应用材料公司
本发明提供一种用于半导体处理室的工艺配件。在一个实施例中，用于半导体处理室的工艺配件包括一个或者多个由不含金属的烧结碳化硅材料制成的部件。该工艺配件包括衬底支撑、预热环...

2007年5月2日

半导体处理系统和气化器　[申请号/专利号：200610146543]
申请人/专利权人：东京毅力科创株式会社
半导体处理系统，具有将水蒸气供给收容被处理基板的处理室内的气体供给系统。气体供给系统包含用于从纯水得到水蒸气的气体生成装置。气体生成装置包含第一气化部和第二气化部。第一...

2007年5月23日

半导体装置的制造方法及电子设备的制造方法　[申请号/专利号：200610146405]
申请人/专利权人：精工爱普生株式会社
本发明提供一种能够降低对基板的热负荷的半导体装置的制造方法。此外，还提供一种能够提高半导体元件的特性的半导体装置的制造方法。本发明的半导体装置的制造方法具有：将以氢及氧...

2007年6月6日

压电氧化物单晶体的电荷抑制方法及设备　[申请号/专利号：200580013535]
申请人/专利权人：山寿瑟拉密克斯株式会社
提供了一种处理方法，该方法可以在不损害压电性的情况下抑制钽酸锂单晶体或铌酸锂单晶体的带电。而且，提供了一种处理设备，该设备可以简单且安全地运行该处理方法。其特征在于将钽...

2007年4月18日

水平式离子注入碳化硅高温退火装置　[申请号/专利号：200420092867]
申请人/专利权人：中国科学院半导体研究所
本发明一种水平式离子注入碳化硅高温退火装置。该装置的石英管退火室水平设置，两端由水冷法兰盘封闭；水冷法兰盘一端上设有退火室的进样门，进样门中心有一个小孔，是退火时保护气...

一种激光结晶的方法　[申请号/专利号：03101581]
申请人/专利权人：友达光电股份有限公司
本发明先于基底之上形成至少一非晶硅岛，然后依序进行第一阶段以及第二阶段的激光再结晶制程，即先利用具有第一能量密度的激光脉冲照射该非晶硅岛，以使该非晶硅岛的边缘部分再结晶...

2004年8月4日

台湾

一种碳化硅单晶生长后的热处理方法　[申请号/专利号：200610081294]
申请人/专利权人：中国科学院物理研究所
本发明公开了一种碳化硅单晶生长后的热处理方法，该方法将覆碳膜的ＳｉＣ单晶和粉料置于坩埚中，在加热炉中氩气保护下升至预定热处理温度，并保温一定时间，随炉冷却，即可通过热处...

2006年12月27日

竖直式离子注入碳化硅高温退火装置　[申请号/专利号：200420092863]
申请人/专利权人：中国科学院半导体研究所
本实用新型是一种竖直式离子注入碳化硅高温退火装置。该装置的石英管退火室竖直设置，两端由水冷法兰盘封闭；法兰盘上端有退火室的进样门，进样门中心有一个小孔，是退火时保护气体...

一种单晶硅抛光片热处理工艺　[申请号/专利号：200410088609]
申请人/专利权人：北京有色金属研究总院、有研半导体材料股份有限公司
本发明涉及一种对硅片获得洁净区的热处理工艺，其步骤如下：第一步，对硅片进行快速热处理；第二步，氧化退火工艺；第三步，退火工艺；第四步，氧沉淀长大。本发明工艺为快速退火和...

2006年5月10日

钽酸锂晶体的制造方法　[申请号/专利号：200480005133]
申请人/专利权人：信越化学工业株式会社
本发明提供一种钽酸锂晶体的制造方法，该方法为至少将第一材料与已单一极化的钽酸锂晶体相重迭而在还原性环境和低于居里点的温度Ｔ２’下进行热处理，使该已单一极化的钽酸锂晶体的...

2006年3月29日

结晶性被控制的氧化镁单晶及其制造方法以及使用该单晶的基板　[申请号/专利号：200580045352]
申请人/专利权人：达泰豪化学工业株式会社
一种结晶性被控制的氧化镁单晶以及使用该单晶的基板，该结晶性被控制的氧化镁单晶具有亚晶界，并且同一亚晶界中的利用倒易点阵图测定所得到的衍射线位置的变动幅度为：△ω座标的变...

2007年12月26日

中性、惰性气氛中晶体的退火处理方法　[申请号/专利号：200510028670]
申请人/专利权人：周永宗
本发明属晶体的热处理领域，中性、惰性气氛中晶体的退火处理方法：在于将待退火和热处理的晶体、置于“晶体退火装置”内，在真空状态下，充入中性气体或惰性气体或其混合气体，在中...

2006年3月8日

InP单晶锭退火处理方法　[申请号/专利号：200510086482]
申请人/专利权人：中国科学院半导体研究所
一种ＩｎＰ单晶锭退火处理方法，包括如下步骤：步骤１：将生长出的ＩｎＰ单晶表面用去离子水清洗，去掉残留的氧化硼；步骤２：然后用有机溶剂擦洗，用去离子水冲洗后晾干待用；步骤...

2007年3月28日

具有半导体层及其下电绝缘层的半导体晶片及其制造方法　[申请号/专利号：200510137100]
申请人/专利权人：硅电子股份公司
本发明涉及半导体晶片，其包括位于其表面上的厚度为３纳米至２００纳米且不含小洞缺陷的半导体层，以及位于所述半导体层之下且与其邻接的由电绝缘材料组成的邻接层。本发明还涉及热...

2006年8月30日

熔体法生长的碲镉汞材料N型热处理方法　[申请号/专利号：200410066229]
申请人/专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
本发明公开了一种熔体法生长的碲镉汞材料Ｎ型热处理方法，该方法的特征是：在已有的碲镉汞Ｎ型热处理方法前插入一种低汞压热处理方法，这种方法能有效消除与Ｈｇ、Ｃｄ过量相关的位...

2005年4月13日