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钱眼专利首页 > 同固态扩散材料接触的 的专利共 4 条
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1
ZnSe晶体基片的热处理法,热处理的基片和光发射装置　[申请号/专利号：01117791]
申请人/专利权人：住友电气工业株式会社
本发明关于用Ａｌ作为施主杂质进行掺杂，热处理ＺｎＳｅ晶体基质的方法，利用该热处理制备的ＺｎＳｅ晶体基片和利用该ＺｎＳｅ晶体基片制备的光发射装置，尤其是，热处理ＺｎＳｅ晶...
2001年12月12日
2
一种半导体的掺杂技术　[申请号/专利号：90102351]
申请人/专利权人：中国科学院微电子中心、中国科学院半导体研究所
本发明公开了一种借助在稀薄气体的两个电极间施加电压产生辉光放电引发半导体掺杂的技术。它能在实现高掺杂浓度的同时获得对浅掺入层的有效控制，并且具有掺杂均匀、损伤小等效果。...
1991年11月6日
3
片式陶瓷铝扩散源　[申请号/专利号：91105122]
申请人/专利权人：中国建筑材料科学研究院高技术陶瓷研究所
本发明属于电子陶瓷这一领域。　　本发明提供一种新型片式陶瓷铝扩散源解决了以前液态铝源用于低频大功率晶体管铝扩散时表面浓度低，结深均匀性差，工艺操作复杂的问题。　　本发明...
1993年2月17日
4
2008年12月10日
5
提高铝酸锂和镓酸锂晶片表层晶格完整性的方法　[申请号/专利号：200310108066]
申请人/专利权人：中国科学院上海光学精密机械研究所
一种提高铝酸锂和镓酸锂晶片表层晶格完整性的方法，包括如下步骤：在铂金坩埚内，放置有带气孔的ＬｉＡｌＯ↓［２］或ＬｉＧａＯ↓［２］和Ｌｉ↓［２］Ｏ混合料块；将双面抛光或单...
2004年9月15日
 

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