图案沉积，例如使用掩膜的-钱眼专利分类

利用原位掩膜进行外延生长氮化物单晶薄膜的方法　[申请号/专利号：200610096643]
申请人/专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
本发明针对现有的单晶薄膜生产中相邻窗口区域的外延晶体取向不一致引起倾斜晶界和界面起伏及工艺复杂，易引起二次污染的问题，公开了一种掩膜制备工艺简单，同时可提高外延薄膜晶体...

2007年5月9日

碳膜生长工艺　[申请号/专利号：98805277]
申请人/专利权人：SI戴梦德技术公司
用对衬底（７０１）进行腐蚀然后淀积薄膜的工艺，制造了可以用于计算机显示器的场发射器件的薄膜（７０５）（碳和／或金刚石）。腐蚀步骤在衬底上产生用于膜淀积工艺的成核位置。用...

2000年7月19日

利用始于沟槽侧壁的横向生长来制造氮化镓半导体层　[申请号/专利号：99807244]
申请人/专利权人：北卡罗莱纳州立大学
一个下方氮化镓层（１０６）的一个侧壁（１０５）横向生长进入该下方氮化镓层中的一个沟槽（１０７）中，从而形成一个横向氮化镓半导体层（１０８ａ）。然后可以在该横向氮化镓层中...

2001年7月25日

形成晶格调制半导体基片　[申请号/专利号：200480033330]
申请人/专利权人：阿德弗西斯有限公司
一种形成晶格调制半导体基片的方法，包括利用延伸过在Ｓｉ表面（１５）上的隔离层（１１）的窗（１３），限定Ｓｉ表面（１５）的被选区域（１２）；在隔离层（１１）上限定通过隔离...

2006年12月13日

高表面质量的GaN晶片及其生产方法　[申请号/专利号：02811414]
申请人/专利权人：克利公司
本发明公开了一种含有Ａｌ＃－［ｘ］Ｇａ＃－［ｙ］Ｉｎ＃－［ｚ］Ｎ的高质量晶片，其中０＜ｙ≤１和ｘ＋ｙ＋ｚ＝１，其特征在于均方根表面粗糙度在晶片的Ｇａ－侧为在１０×１０μ...

2004年10月27日

一种制作Ⅲ族氮化物材料的方法　[申请号/专利号：02108819]
申请人/专利权人：厦门三安电子有限公司
一种制作ＩＩＩ族氮化物材料的方法，首先选择衬底材料，在该衬底上外延一层高温生长的组分缓变的铝镓氮薄膜作为下一步生长的缓冲层，在缓冲层上生长一层氮化镓材料，然后在该层氮化...

2004年1月21日

氮化镓晶圆　[申请号/专利号：200680000265]
申请人/专利权人：住友电气工业株式会社
本发明涉及一种氮化镓晶圆１１，其具有实质上的圆形。氮化镓晶圆１１包含：多个条纹区域１３、多个单晶区域１５和可目视确认的标记１７。各条纹区域１３，表示〈１１－２０〉轴的方...

2007年6月6日

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