双坩埚法-钱眼专利分类

拉单晶装置　[申请号/专利号：97101020]
申请人/专利权人：三菱麻铁里亚尔硅材料株式会社、三菱麻铁里亚尔株式会社
一种拉单晶装置包括：一密封容器；在密封容器内、用于装半导体熔化物的双坩埚，该双坩埚包括在底边相连的外坩埚和内坩埚；以及用于在外坩埚和内坩埚之间的位置向半导体熔化物加入源...

1997年10月1日

拉单晶装置　[申请号/专利号：97101018]
申请人/专利权人：三菱麻铁里亚尔硅材料株式会社、三菱麻铁里亚尔株式会社
一种拉制硅或砷化镓等半导体单晶的拉单晶装置，包括：气密容器，容器内的坩埚，加热器，和一对在半导体熔化物中施加会交磁场的线圈。一圆筒形隔离体把坩埚分为供应并熔化源材料的外...

1997年10月15日

拉单晶方法及其实现装置　[申请号/专利号：97101009]
申请人/专利权人：三菱麻铁里亚尔硅材料株式会社、三菱麻铁里亚尔株式会社
一种拉单晶方法，使用：一气密容器，在气密容器内用于装半导体熔化物、由互连的外坩埚和内坩埚组成的双坩埚，从气密容器的上部悬挂下来、并设置成可以从其下端开口将颗粒状或粉末状...

1997年11月19日

一种去除熔体表面浮渣的技术　[申请号/专利号：90104283]
申请人/专利权人：中国科学院半导体研究所
本发明公开了一种在切克劳斯基单晶炉内去除熔体表面浮渣的技术，它在生长晶体的一般坩埚上设置一个底部有孔口的上坩埚，并有一个托盘连接直柄穿过孔口提托上坩埚，先使固体物料在上...

1990年10月31日

制取硅单晶的设备　[申请号/专利号：89109188]
申请人/专利权人：日本钢管株式会社
一种硅单晶的制取设备，其中在旋转石英坩锅内配置具有至少一个穿过其下部的小孔的成形挡板，使其环绕着大圆柱形硅单晶，该硅单晶被旋转并被拉出。挡板的全部或一部份由泡沫石英玻璃...

1990年6月13日

制备硅单晶的方法和设备　[申请号/专利号：89102980]
申请人/专利权人：日本钢管株式会社
本发明是关于用切克劳斯基法（Ｃｚｏｃｈｒａｌｓｋｉｍｅｔｈｏｄ）制备硅单晶的方法和设备，其中包括步骤：分隔盛熔融硅的坩埚为单晶生长区和外加料区以使熔融硅运动缓慢，以及一...

1989年12月13日

化合物半导体单晶的制备方法　[申请号/专利号：02828062]
申请人/专利权人：日矿金属株式会社
按照液封直拉法制备化合物半导体单晶的方法：在由带底圆筒形的第１坩埚和设置于该第１坩埚的内侧、在底部设有与上述第１坩埚的连通孔的第２坩埚构成的原料熔融液盛装部分中盛装半导...

2005年11月23日

单晶提拉装置　[申请号/专利号：96123985]
申请人/专利权人：三菱麻铁里亚尔硅材料株式会社、三菱麻铁里亚尔株式会社
一种单晶提拉装置，其中半导体熔体储存在外坩埚内，作为部件的圆筒形内坩埚安装在外坩埚内因而形成双坩埚，半导体单晶从内坩埚内的半导体熔体提拉。内坩埚含有形成双坩埚时形成的连...

1997年11月5日

制备半导体单晶用的双层坩埚　[申请号/专利号：91101682]
申请人/专利权人：北京有色金属研究总院
本发明涉及半导体生长用的双层坩埚，它由内、外坩埚组成，内坩埚环状壁为倒置的截圆锥筒状、截棱锥筒状其中的一种，内坩埚上口直径（指拉晶尚未进行时液面处的内坩埚直径）为外坩埚...

1992年10月7日

改善无位错单晶的成品率的方法　[申请号/专利号：96111030]
申请人/专利权人：MEMC电子材料有限公司、通用电器公司
一种加固直拉工艺中容纳熔融半导体材料的坩埚和阻止此工艺中位错形成的方法，所说坩埚包括有内外表面的底壁和侧壁及其构成的腔的石英本体，在低于约６００℃温度下，在侧壁内表面上...

1997年6月18日

化合物半导体单晶的制造方法和晶体生长装置　[申请号/专利号：200380100243]
申请人/专利权人：日矿金属株式会社
在使用了双重坩埚结构的晶体生长装置的ＬＥＣ法的化合物半导体单晶的制造方法中，采用设置了可将在顶端具有晶种夹持部的晶体提拉轴导入到上述第２坩埚的贯通口的板状部件，盖在上述...

2005年11月2日

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