使用熔融态溶剂，如助溶剂的-钱眼专利分类

具有过热性质种膜作籽晶液相外延生长超导厚膜材料　[申请号/专利号：03116020]
申请人/专利权人：上海交通大学
本发明涉及一种具有过热性质种膜作籽晶液相外延生长超导厚膜材料的制备方法，采用具有过热性质的种膜材料，根据所要生长的ＲＥＢＣＯ厚膜的条件，用ＢａＣＯ＃－［３］＋ＣｕＯ组分...

2003年9月3日

化合物单晶的制造方法和用于该制造方法的制造装置　[申请号/专利号：200580005394]
申请人/专利权人：松下电器产业株式会社、森勇介
本发明提供一种能够提高生长速率，在短时间内培养出晶体均匀性高的大单晶的化合物单晶的制造方法以及用于该制造方法的制造装置。在原料液中，搅拌所述原料液以产生从与原料气体相接...

2007年2月28日

铋取代的石榴石厚膜材料及其生产方法　[申请号/专利号：01122193]
申请人/专利权人：ＮＥＣ东金株式会社
一种通过液相生长方法在石榴石基底上生长的用于铋取代的石榴石厚膜材料，该材料含有作为主要成分的Ｇｄ、Ｙｂ、Ｂｉ、Ｆｅ和Ａｌ，其中，石榴石厚膜的组成由下列通式表示：Ｇｄ↓［...

2002年1月2日

液相外延等电子掺杂工艺　[申请号/专利号：90109987]
申请人/专利权人：河北工学院
一种液相外延等电子掺杂工艺，其特征是在电子器件制造过程中先用生长源在一定温度下，在衬底上生长一层等电子掺杂层，然后再进行器件制造的外延生长工艺。该工艺操作方便；可使报废...

1991年6月5日

减少碳化硅外延生长中微管缺陷形成的方法和所得到的碳化硅结构　[申请号/专利号：95196526]
申请人/专利权人：克里公司
公开了一种用来制作基本上没有微管缺陷的碳化硅外延层的方法。此方法包含用液相外延方法，在碳化硅衬底上，从碳化硅在硅和一种使碳化硅在熔体中的溶解度增大的元素中的熔体中，生长...

1997年12月10日

掺钕钇铝石榴石和钇铝石榴石复合激光晶体的制备方法　[申请号/专利号：02155050]
申请人/专利权人：中国科学院上海光学精密机械研究所
一种掺钕钇铝石榴石和纯钇铝石榴石复合激光晶体的制备方法，其特点是采用电阻加热液相外延炉，将晶面方向为（１１１）的Ｎｄ：ＹＡＧ单晶衬底作大面积籽晶，在ＹＡＧ单晶的结晶温度...

2003年6月18日

化学计量比铌酸锂单晶的制备方法　[申请号/专利号：02155041]
申请人/专利权人：中国科学院上海光学精密机械研究所
一种化学计量比铌酸锂单晶的制备方法，其特征在于它是采用电阻加热液相外延炉，在低于铌酸锂（以下简称ＬＮ）熔点（１２６０±１５℃）和居里点（１１５０±１０℃）的结晶温度下，...

2003年7月9日

低温相偏硼酸钡单晶薄膜的制备方法　[申请号/专利号：02155040]
申请人/专利权人：中国科学院上海光学精密机械研究所
一种低温相偏硼酸钡单晶薄膜的制备方法，其特征在于它是采用电阻加热的液相外延炉，将高温相的偏硼酸钡（α－ＢＢＯ）单晶衬底作为大面积的籽晶，在β－ＢＢＯ单晶的结晶温度下（低...

2003年6月25日

Ⅲ族氮化物单晶体及其制造方法以及半导体器件　[申请号/专利号：200580019599]
申请人/专利权人：住友电气工业株式会社
提供一种制造Ⅲ族氮化物单晶体的方法，由此提高源材料产量和增加晶体生长速率。一种Ⅲ族氮化物单晶体制造方法，其中在衬底（１）和Ⅲ族氮化物源材料衬底（２）之间形成２００μｍ以...

2007年5月23日

III族氮化物晶体的制造方法以及由此得到的III族氮化物晶体与应用该晶体的III族氮化物?　[申请号/专利号：200480038996]
申请人/专利权人：松下电器产业株式会社、森勇介
本发明提供一种Ⅲ族氮化物晶体的制造方法，其是在含有氮的气氛下，使含有选自Ｇａ、Ａｌ以及Ｉｎ之中的至少一种Ⅲ族元素和碱金属的助熔剂中含有Ｍｇ，然后在该助熔剂中进行Ⅲ族氮化...

2007年1月17日

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