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钱眼专利首页 > 以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料 的专利共 19 条
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1
氯氧化锑晶体的制备方法　[申请号/专利号：200510018726]
申请人/专利权人：武汉大学
本发明公开了一种制备高纯度氯氧化锑（Ｓｂ↓［４］Ｏ↓［５］Ｃｌ↓［２］）阻燃材料的新方法。该方法是以ＳｂＣｌ↓［３］为原料，通过水热反应，直接制备Ｓｂ↓［４］Ｏ↓［５］...
2006年1月18日
2
一种半导体制品　[申请号/专利号：200520057449]
申请人/专利权人：欧阳健
本实用新型公开了一种半导体制品，其特征在于：所述半导体制品包括一绝缘管，绝缘管内填充有半导体材料。所述绝缘管的两端堵塞上块状半导体。所述绝缘管内填充有Ｎ型半导体材料或Ｐ...
3
2008年11月26日
4
磊晶基板及液相磊晶生长方法　[申请号/专利号：200710139910]
申请人/专利权人：信越半导体股份有限公司
本发明提供一种磊晶基板，是通过液相磊晶生长方法在基板上层积磊晶层而成的磊晶基板，其层积在上述基板上的磊晶层中的碳浓度轮廓，与基于由碳制成的用以保持溶剂的治具供给而得到的...
2008年2月6日
5
未抛光半导体晶片和用于制造未抛光半导体晶片的方法　[申请号/专利号：200610141238]
申请人/专利权人：硅电子股份公司
本发明涉及一种用于制造未抛光半导体晶片的方法，包括以下步骤：ａ）拉制半导体材料的单晶，ｂ）将半导体晶片研磨成圆形，ｃ）从该晶体分离半导体晶片，ｄ）磨圆该半导体晶片的边缘...
2007年4月4日
6
半导体晶片及制造半导体晶片的工艺　[申请号/专利号：200610105981]
申请人/专利权人：硅电子股份公司
本发明涉及一种具有边缘区域但是没有大于或者等于０．３μｍ的缺陷的半导体晶片。此外，本发明涉及制造半导体晶片的工艺，其包括下列工序：（ａ）提供具有倒圆和蚀刻边缘的半导体晶...
2007年1月24日
7
一种水热法生长氟硼铍酸铷/铯单晶体的方法　[申请号/专利号：200610072719]
申请人/专利权人：中国科学院理化技术研究所
本发明涉及一种水热法生长氟硼铍酸铷／铯单晶体的方法，其为将氟硼铍酸铷／铯营养料１５～３００ｇ放置于黄金衬套中的底部，按６０～８０％的充满度在黄金衬套中加入含有０～２．５...
2007年10月10日
8
高性能半导体纳米硅场电子发射材料及其制备方法　[申请号/专利号：200710020043]
申请人/专利权人：南京大学
本发明涉及一种半导体硅场电子发射材料，同时还涉及其制备方法，属于半导体材料技术领域。该材料包括沉积在衬底上的氢化非晶硅半导体薄膜，氢化非晶硅半导体薄膜的厚度在４－５０纳...
2007年8月15日
9
一类用于p型透明导体的黄铜矿型材料及制备方法　[申请号/专利号：200610025073]
申请人/专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
本发明涉及一类可用于ｐ型透明导体的黄铜矿结构类型化合物ＡＢＱ↓［２］（Ａ＝Ｃｕ、Ａｇ；Ｂ＝Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ；Ｑ＝Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ）及其制备方法。确切地说，ＡＢＱ↓［２］属...
2006年8月30日
10
块状单晶含镓氮化物及其应用　[申请号/专利号：200580018822]
申请人/专利权人：阿莫诺公司
块状单晶含镓氮化物，其在晶种上沿至少基本垂直于晶种生长方向的方向生长，基本不扩展存在于晶种中的结晶缺陷，其位错密度不超过１０↑［４］／ｃｍ↑［２］并显著低于晶种的位错密...
2007年5月30日
11
氟硼酸铍盐非线性光学晶体及生长方法和用途　[申请号/专利号：200510088739]
申请人/专利权人：中国科学院理化技术研究所
一种氟硼酸铍盐非线性光学晶体，分子式ＭＢｅ↓［２］ＢＯ↓［３］Ｆ↓［２］，Ｍ＝Ｒｂ或Ｃｓ；采用熔盐生长方法制备：将氟硼酸铍盐与助熔剂按比例混匀，升温７５０－８００℃，恒...
2007年1月31日
12
用于制备稳定的理想的氧沉淀硅片的方法　[申请号/专利号：200480025648]
申请人/专利权人：MEMC电子材料有限公司
本发明涉及一种单晶直拉型硅片，以及一种用于制备该硅片的方法，该硅片中的稳定的氧沉淀物成核中心具有非均匀的分布。具体地，峰值浓度位于硅片主体内，而无沉淀物区域从表面向内延...
2006年10月11日
13
外延涂覆半导体晶片的方法及装置、以及外延涂覆的半导体晶片　[申请号/专利号：200610079892]
申请人/专利权人：硅电子股份公司
本发明涉及一种在ＣＶＤ反应器内外延涂覆半导体晶片正面的方法，半导体晶片正面暴露于含有源气体及载气的加工气体，并且半导体晶片背面暴露于置换气体，其中该置换气体含有不超过５...
2007年1月24日
14
形成碳纳米管的方法　[申请号/专利号：200380107267]
申请人/专利权人：赛得里姆显示器公司
使用等离子体化学淀积方法在基材表面形成碳纳米管。纳米管生长之后，在新近形成的纳米管结构上进行纯化步骤。纯化可从生长的纳米管的壁上除去石墨及其他碳粒子，控制该纳米管层的厚...
2006年2月1日
15
球形半导体颗粒的批量生产方法和设备　[申请号/专利号：200510072998]
申请人/专利权人：珂琳21风险投资株式会社
本发明涉及一种球形半导体颗粒的批量生产方法和设备，该方法包括在坩埚中存储半导体；通过加热装置加热并熔化坩埚中的半导体；在气相中使来自坩埚的熔融半导体从喷嘴滴落；和通过振...
2005年12月14日
16
准周期结构的介电体超晶格材料及制备方法　[申请号/专利号：00119007]
申请人/专利权人：南京大学
准周期介电体超晶格材料及设置方法，用铁电单晶材料制成准周期电畴，其参数的选择是使其倒空间中倒格矢满足耦合光参量过程中准位相匹配条件：该准周期结构是由Ａ、Ｂ两个基元按准周...
2001年4月11日
17
静磁波器件　[申请号/专利号：00104010]
申请人/专利权人：株式会社村田制作所
本发明提供一种静磁波器件，它可以在施加一种恒定的外磁场下同时工作于多个频带。它包含：衬底；以及位于衬底上的第一和第二磁性石榴石单晶薄膜，第一和第二层具有不同的磁饱和。比...
2000年9月20日
18
垂直舟生长工艺用炉料及其应用　[申请号/专利号：98811320]
申请人/专利权人：AXT有限公司
在砷化镓单晶锭的垂直舟生长中，将预定数量的粉末石墨包含在炉料中，以直接确立生长晶锭中有关的预计目标电学特征。电学特征相应于生长晶锭中的碳的浓度。...
2001年1月10日
19
掺镱硅酸钆激光晶体及其制备方法　[申请号/专利号：200510025560]
申请人/专利权人：中国科学院上海光学精密机械研究所
一种掺镱硅酸钆激光晶体及其制备方法，该激光晶体的分子式为：Ｙｂ↓［２ｘ］Ｇｄ↓［２（１－ｘ）］ＳｉＯ↓［５］，其中ｘ的取值范围为：０．００１≤ｘ≤０．４。其制备方法包括...
2005年11月9日
20
内吸杂的异质外延半导体晶片及其制造方法　[申请号/专利号：200510073150]
申请人/专利权人：MEMC电子材料有限公司
本发明公开了一种异质外延半导体晶片，其包括一形成该晶片的正面的异质外延层，该异质外延层包含一种其晶体结构与该晶片的主要材料不同的次要材料。该异质外延层基本上没有缺陷。一...
2006年7月5日
 

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