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钱眼专利首页 > 溶液冷却法 的专利共 29 条
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1
彩色水晶的生长方法　[申请号/专利号：89106859]
申请人/专利权人：山东大学
一种彩色水晶的生长方法，属于人工晶体水热法生长领域。采用熔炼级石英为原料，用Ｋ－［２］ＣＯ－［３］作熔剂，另掺杂少量Ｋ－［２］Ｃｒ－［２］Ｏ－［７］或Ｆｅ－［２］（ＳＯ...
1991年6月12日
2
2008年11月26日
3
一种晶形完整的大尺寸电单晶体的制备方法　[申请号/专利号：89106608]
申请人/专利权人：南开大学
本发明属于红外热释电材料。ＴＧＦｂ单晶体是一种优良的热释电材料，但在育晶时其晶体难于生成。本发明使用ＨＢＦ－［４］部分取代ＴＧＦｂ中的Ｈ－［２］ＢｅＦ－［４］合成出新型...
1991年3月6日
4
溶液法晶体快速生长装置　[申请号/专利号：200610044230]
申请人/专利权人：青岛大学
本发明涉及一种溶液法晶体快速生长装置，由侧面红外加热灯、生长容器、晶体转动装置及温度自动控制系统组成，生长容器包括圆柱状缸壁、圆锥状缸壁、圆锥顶玻璃圆柱、圆形缸底和缸底...
2006年12月27日
5
一种纳米一氧化钴晶面可控生长的方法　[申请号/专利号：200610122340]
申请人/专利权人：厦门大学
一种纳米一氧化钴晶面可控生长的方法，涉及一种纳米一氧化钴，提供一种用于实现一氧化钴纳米晶体的晶面可控性生长的方法。其步骤为：将三辛胺和油酸按比例混合为淡黄色透明离子液体...
2007年7月11日
6
氘化磷酸二氘铵晶体及生长方法　[申请号/专利号：200410011665]
申请人/专利权人：中国科学院福建物质结构研究所
一种氘化磷酸二氘铵晶体及其生长方法，属于晶体生长领域。氘化磷酸二氘氨晶体属于四方晶系的－４２ｍ点群，晶胞参数为ａ＝７．５＊，ｃ＝７．５５＊，分子量为１１８：ＫＤＰ、ＫＤ...
2006年7月5日
7
硫化钠晶体的制备方法　[申请号/专利号：02103039]
申请人/专利权人：内蒙古利川化工有限责任公司
本发明涉及Ｎａ＃－［２］Ｓ·５．５Ｈ＃－［２］Ｏ，硫化钠晶体的制备方法和利用Ｎａ＃－［２］Ｓ·５．５Ｈ＃－［２］Ｏ硫化钠晶体制备无水硫化钠晶体的方法。该方法是将助剂加入...
2003年8月20日
8
一种氘化磷酸二氘铵(DADP)电光晶体的生长方法　[申请号/专利号：01143234]
申请人/专利权人：中国科学院福建物质结构研究所
一种氘化磷酸二氘铵（ＤＡＤＰ）电光晶体的生长方法，属于晶体生长领域。它采用ＮＨ＃－［４］Ｈ＃－［２］ＰＯ＃－［４］和重水为原料，用溶液降温法进行晶体生长，其生长条件为：...
2003年6月18日
9
新型四方锥配合物非线性光学材料和晶体生长　[申请号/专利号：99116465]
申请人/专利权人：武汉大学
本发明公开了一类新型四方锥型配合物及其制备方法和晶体生长方法。配合物的通式为ＬＭＬ′↓［２］，其中Ｌ可为吡啶及其衍生物，也可为尿素及其衍生物，也可为硫脲及其衍生物；Ｍ为...
2000年7月5日
10
硫氰酸汞盐单晶的生长方法　[申请号/专利号：95110320]
申请人/专利权人：山东大学
本发明属于溶液降温法晶体生长技术领域。以１－３％的氯化钾（钠）水溶液为作溶剂，在起始温度３０－４０℃硫氰酸汞盐过饱合溶液进行旋转籽晶降温生长，籽晶转速１５－３０ｒｐｍ，...
1996年2月28日
11
一种尿素长棒籽晶的生长方法　[申请号/专利号：89102130]
申请人/专利权人：中国科学院福建物质结构研究所
本发明是一种尿素长棒籽晶的生长方法。采用溶液降温法，在尿素的甲醇饱和溶液中添加乙醇胺来提高尿素单晶在（００１）方向的生长速度，抑制（１１０）柱面的扩大生长，从而得到在（...
1990年10月17日
12
一种大截面磷酸二氢钾单晶体快速生长法　[申请号/专利号：96103026]
申请人/专利权人：中国科学院福建物质结构研究所
本发明属于一种大截面磷酸二氢钾（简称ＫＤＰ）单晶体快速生长法。采用降温法或恒温流动法、恒温蒸发补液法，在ＫＤＰ的饱和溶液中添加乙醇胺来提高ＫＤＰ提高（Ｘ．Ｙ．Ｚ）三个方...
1997年8月20日
13
生长单晶的方法　[申请号/专利号：96191057]
申请人/专利权人：株式会社日本能源
本发明的目标是防止生长出的单晶中带有裂纹或缺陷，取得具有良好结晶度和无裂纹的化合物半导体单晶。其方法是，在ＺｎＴｅ多晶原料和Ｔｅ溶剂被放入坩埚３后，用加热器１将其加热使...
1997年11月19日
14
2008年11月26日
15
四槽循环流动晶体生长装置　[申请号/专利号：94240897]
申请人/专利权人：山东大学
四槽循环流动晶体生长装置。本实用新型属于晶体生长技术领域。本实用新型的主要技术特征在原来由生长槽、溶解槽、过热槽组成的三槽循环流动晶体生长装置的基础上又增加了过热平衡槽...
16
溶液法晶体快速生长装置　[申请号/专利号：200620084620]
申请人/专利权人：青岛大学
本实用新型涉及一种溶液法晶体快速生长装置，由侧面红外加热灯、生长容器、晶体转动装置及温度自动控制系统组成，生长容器包括圆柱状缸壁、圆锥状缸壁、圆锥顶玻璃圆柱、圆形缸底和...
17
用于紫外光通带滤波器的六水硫酸镍钴钾晶体　[申请号/专利号：200510134273]
申请人/专利权人：中国科学院福建物质结构研究所
用于紫外光通带滤波器的六水硫酸镍钴钾晶体涉及光学与人工晶体材料。该晶体的分子式为Ｋ↓［２］Ｃｏ↓［０．１］Ｎｉ↓［０．９］（ＳＯ↓［４］）↓［２］·６Ｈ↓［２］Ｏ，分子...
2007年6月20日
18
一种紫外滤波晶体材料六水硫酸镍钴铵　[申请号/专利号：200510134272]
申请人/专利权人：中国科学院福建物质结构研究所
一种紫外滤波晶体材料六水硫酸镍钴铵涉及光学与人工晶体材料。该晶体的分子式为（ＮＨ↓［４］）↓［２］Ｃｏ↓［０．１７］Ｎｉ↓［０．８３］（ＳＯ↓［４］）↓［２］·６Ｈ↓［...
2007年6月20日
19
一种非线性光学晶体及其制备方法　[申请号/专利号：200510049508]
申请人/专利权人：宁波大学
本发明公开了一种非线性光学晶体及其制备方法，借助金属－有机配体间的配位键合作用，得到非线性光学晶体材料丁二酸锌［Ｚｎ（Ｃ↓［４］Ｈ↓［４］Ｏ↓［４］）］，它属于单斜晶系...
2005年11月23日
20
圆柱型α-六水硫酸镍晶体的生长方法　[申请号/专利号：99108240]
申请人/专利权人：中国科学院福建物质结构研究所
α－六水硫酸镍（简称α－ＮＳＨ）晶体主要用作紫光滤光器材料，该晶体用降温法（或蒸发法）以小晶体自由生长的外形为四方双锥体，而滤光器材料大都为圆柱体。本发明首次进行定向导...
2000年12月6日
21
单畴热释电双掺硫酸甘氨酸晶体的水溶液生长　[申请号/专利号：86101972]
申请人/专利权人：山东大学
双掺单畴热释电晶体ＡＴＧＳＡ－［ｓ］的水溶液生长，属于溶液降温生长晶体的技术领域．将甘氨酸，硫酸，Ｌ—丙氨酸和砷酸按比例溶于一定体积的蒸馏水中，装入生长瓶．在单畴性好的...
1987年9月30日
22
晶体单面定向生长方法和装置　[申请号/专利号：87101378]
申请人/专利权人：山东大学
晶体的单面定向生长方法和装置，属于晶体生长技术领域，本发明采用高质量定向切片晶体作籽晶，固定在特制夹具内，夹具又以θ角固定在籽晶旋杆上，选适当的转速，其它参数及装置按已...
1989年7月19日
23
生长磷酸二氘钾单晶的恒温培养槽　[申请号/专利号：92244877]
申请人/专利权人：中国科学院福建物质结构研究所
本实用新型用于磷酸二氘钾（化学式ＫＤ↓［２］ＰＯ↓［４］简称ＤＫＤＰ）单晶生长。它是由用塑料板焊接而成带有前后两个观察窗的圆形槽、内套一个玻璃培养缸组成的。外槽注入水作...
24
用于紫外光滤波器的六水硫酸镍铵晶体　[申请号/专利号：01132614]
申请人/专利权人：中国科学院福建物质结构研究所
一种用于紫外光滤波器的六水硫酸镍铵晶体，它的化学式为（ＮＨ＃－［４］）＃－［２］Ｎｉ（ＳＯ＃－［４］）＃－［２］·６Ｈ＃－［２］Ｏ（简称ＡＮＳＨ）；采用水溶液降温法生长...
2003年4月2日
25
一种新型的KDP类晶体的生长装置　[申请号/专利号：200420013227]
申请人/专利权人：中国科学院福建物质结构研究所
一种新型的ＫＤＰ类晶体的生长装置，涉及人工晶体生长领域。它是由主槽体６和育晶缸８两个部分组成。本实用新型的生长装置可用于磷酸二氢钾、磷酸二氯钾、磷酸二氢铵和磷酸二氘铵及...
26
一种邻苯二甲酸氢钾单晶生长载晶架　[申请号/专利号：90207639]
申请人/专利权人：中国科学院福建物质结构研究所
本实用新型是用于邻苯二甲酸氢钾（化学式ＫＨＣ－［８］Ｈ－［４］Ｏ－［４］，ＰｏｔａｓｓｌｕｍＡｃｌｄＰｈｔｈａｌａｔｅ，简称ＫＡＰ）单晶生长的载晶架，它是用五块或八块有...
27
一种大口径磷酸二氢钾单晶体快速生长法　[申请号/专利号：200410044323]
申请人/专利权人：中国科学院福建物质结构研究所
一种大口径磷酸二氢钾单晶体快速生长法，涉及大口径磷酸二氢钾（ＫＨ↓［２］ＰＯ↓［４］，简称ＫＤＰ）单晶体的快速生长法。通过在饱和溶液中添加小量的螯合剂磺基水杨酸，通过络...
2005年12月7日
28
一种用于紫外光通带滤波器的十二水硫酸镍钴晶体　[申请号/专利号：03154182]
申请人/专利权人：中国科学院福建物质结构研究所
一种用于紫外光通带滤波器的十二水硫酸镍钴晶体，涉及光学与人工晶体材料领域。该晶体的分子式为ＣｏＮｉ（ＳＯ＃－［４］）＃－［２］·１２Ｈ＃－［２］Ｏ，分子量为５２５．９５...
2005年2月16日
29
一种大截面磷酸二氢钾类单晶体的生长方法及装置　[申请号/专利号：03139027]
申请人/专利权人：山东大学
一种大截面磷酸二氢钾类单晶体的生长方法及装置，属于晶体生长技术领域。原料为固体ＫＤＰ类晶体的粉状原料，生长溶液是以水或重水为溶剂配置的溶液，籽晶采用与生长晶体相同的透明...
2004年8月11日
30
一种大口径磷酸二氢钾单晶体快速生长法　[申请号/专利号：200410054894]
申请人/专利权人：中国科学院福建物质结构研究所
一种大口径磷酸二氢钾单晶体快速生长法，尤其是涉及大口径磷酸二氢钾单晶体的快速生长法。采用溶液降温法，在晶体生长槽中添加剂氯化钾的用量为１－５Ｍ％，添加剂ＥＤＴＡ的最佳用...
2006年2月1日
31
一种大尺寸磷酸二氢钾晶体翻转装置　[申请号/专利号：200520144387]
申请人/专利权人：中国科学院福建物质结构研究所
一种大尺寸磷酸二氢钾晶体翻转装置涉及晶体生长装置。该设备由箱体、泡沫塑料垫层、可拆卸转动轴、三角支架和螺栓组成。很容易实现大尺寸ＫＤＰ晶体的９０°翻转，防止大尺寸ＫＤＰ...
 

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