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1
微波等离子低温合成金刚石膜的方法　[申请号/专利号：200710051244]
申请人/专利权人：武汉理工大学
本发明是一种微波等离子低温合成金刚石膜的方法，其步骤包括：向微波等离子合成腔中充入Ａｒ和Ｈ↓［２］；在６００～７５０Ｗ的微波功率和９００～１１００Ｐａ的气压下，气体被电...
2007年8月29日
2
一种纳米单晶金刚石及其制造方法　[申请号/专利号：200610114373]
申请人/专利权人：北京国瑞升科技有限公司
本发明提供一种能够用于高精度抛光加工的纳米单晶金刚石，例如，用于电脑硬盘的纹理加工等，其特征在于：该纳米单晶金刚石是将粒度大于纳米级的单晶金刚石颗粒通过球磨粉碎制成。本...
2007年5月16日
3
n型半导体金刚石的制造方法及半导体金刚石　[申请号/专利号：03814068]
申请人/专利权人：住友电气工业株式会社
加工金刚石｛１００｝单晶基板（１０），形成金刚石｛１１１｝面后，一边在金刚石｛１１１｝面上掺杂ｎ型掺杂剂一边使金刚石外延生长，形成ｎ型金刚石外延层（２０）。而且通过将上...
2005年8月31日
4
单晶金刚石及其制备方法　[申请号/专利号：200610073790]
申请人/专利权人：住友电气工业株式会社
本发明的目的是得到一种适合用于半导体器件衬底或光学元件材料的高质量单晶金刚石，其具有更少畸变并且具有大的面积。本发明是一种通过化学气相沉积制备的单晶金刚石以及该金刚石的...
2006年11月22日
5
金刚石衬底及其制造方法　[申请号/专利号：200610071561]
申请人/专利权人：住友电气工业株式会社
本发明提供了一种制造大型金刚石衬底的方法，以及通过该方法制备的适合半导体石印加工和大型光学部件、半导体材料、放热衬底、半导体晶片加工和反馈器件等的衬底。本发明的金刚石衬...
2006年10月4日
6
一种用于合成超硬微纳米材料的溶剂热液态相变方法　[申请号/专利号：200610069660]
申请人/专利权人：山东大学
一种用于合成超硬微纳米材料的溶剂热液态相变方法，属化工和新材料领域。本发明将六方氮化硼、石墨型氮化碳或石墨粉固体颗粒分散到液态介质有机溶剂中，对得到的悬浊液进行超声波分...
2007年2月28日
7
间歇式循环工艺生长金刚石薄膜的方法　[申请号/专利号：200610029238]
申请人/专利权人：上海大学
本发明涉及一种在硅基片上通过间歇式循环工艺生长金刚石薄膜的方法，属无机非金属材料化学气相沉积工艺技术领域。本发明利用传统的、现有的热丝化学气相沉积装置，采用间歇压循环工...
2007年3月14日
8
2008年11月26日
9
2008年2月13日
10
超硬CVD单晶金刚石及其三维生长　[申请号/专利号：200580030532]
申请人/专利权人：华盛顿卡内基研究所
本发明涉及一种通过微波等离子体化学汽相沉积法生长的单晶金刚石，其韧度为至少大约３０ＭＰａ　　ｍ↑［１／２］。本发明还涉及一种制造韧度为至少大约３０ＭＰａ　　ｍ↑［１／２...
2007年8月22日
11
高定向金刚石薄膜及其制备方法、及应用高定向金刚石薄膜的电子器件　[申请号/专利号：200510131594]
申请人/专利权人：株式会社神户制钢所
一种具有平坦表面、几乎不含有非定向生长晶体的高定向金刚石薄膜，具有通过化学气相沉积方法并使用甲烷和氢气的气体混合物作为原料气体、由（１１１）晶面生长而沉积的第一金刚石层...
2006年7月19日
12
超硬金刚石及其制造方法　[申请号/专利号：200480020156]
申请人/专利权人：华盛顿卡内基研究所
一种通过微波等离子体化学气相沉积生长、在超过４．０ＧＰａ的压力下加热到超过１５００℃的温度进行退火的单晶金刚石，其硬度大于１２０ＧＰａ。一种制造硬单晶金刚石的方法包括生...
2007年4月4日
13
采用激光烧蚀法制造极平微晶金刚石薄膜的方法　[申请号/专利号：200480014829]
申请人/专利权人：独立行政法人科学技术振兴机构
以往采用ＰＬＤ法生长的金刚石薄膜，其金刚石晶粒的尺寸是１μｍ左右，并且膜的表面是凹凸的。在采用激光烧蚀法制造金刚石薄膜的方法中，衬底温度为４５０－６５０℃，反应室内是氢...
2006年7月5日
14
常压下电镀合成金刚石的方法　[申请号/专利号：200810046804]
申请人/专利权人：郭朝林
本发明涉及一种合成金刚石的方法，特别涉及一种常压下电镀合成金刚石的方法。它是将过渡族金属及其合金加碳后在坩埚内熔化，常压下保持１０００℃－１６００℃温度，通过２Ｖ－３６...
2008年11月19日
15
金刚石覆盖基板、过滤器及电极　[申请号/专利号：200680001510]
申请人/专利权人：住友电气工业株式会社
本发明提供一种可以用作电极的基板，从而解决在电化学氧化处理中，因基体自身腐蚀、或金刚石层和基板剥离导致无法继续电解、或电解效率显著变差的问题。本发明的金刚石基板由基板及...
2007年12月19日
16
金刚石半导体元件及其制造方法　[申请号/专利号：200680001082]
申请人/专利权人：日本电信电话株式会社
在以往的金刚石半导体元件中，晶体缺陷密度高，不能将金刚石特有的高热导率、高介质击穿场强、高频率特性等物理特性反映在晶体管特性上。通过使金刚石基板的面方位稍稍偏离［００１...
2007年10月10日
17
硼掺杂的金刚石　[申请号/专利号：02826749]
申请人/专利权人：六号元素有限公司
本发明公开了通过ＣＶＤ生产且具有均匀的总硼浓度的单晶硼掺杂金刚石层。该层由单一生长面形成，或具有超过１００微米的厚度，或具有超过１ｍｍ↑［３］的体积，或这些特征的组合。...
2005年5月4日
18
改善金刚石晶体的晶体完整性的方法　[申请号/专利号：200580042291]
申请人/专利权人：六号元素技术（控股）公司
本发明提供了通过在高温和高压下加热人造金刚石晶体改善Ⅱａ金刚石晶体完整性的方法。本发明进一步涉及具有低氮浓度和低扩展缺陷密度的人造金刚石材料。...
2007年11月14日
19
大颗粒单晶金刚石的直流等离子体沉降制备方法　[申请号/专利号：200510086580]
申请人/专利权人：北京科技大学
本发明提供了一种大颗粒单晶金刚石的直流等离子体沉降制备方法，属于直流等离子体技术领域。大颗粒单晶金刚石是在５－１００ｋＷ直流等离子体喷射设备上制备的，沉积腔初始的真空为...
2006年4月26日
20
纳米晶体金刚石薄膜、其制造方法及使用纳米晶体金刚石薄膜的装置　[申请号/专利号：200480043161]
申请人/专利权人：凸版印刷株式会社、独立行政法人 物质·材料研究机构
一种在基体上合成的纳米晶体金刚石薄膜，该薄膜包含晶粒直径为１ｎｍ～小于１０００ｎｍ的纳米晶体金刚石作为其主要成分。可以使用含有烃和氢的原料气体通过等离子体ＣＶＤ方法在基...
2007年5月2日
21
金刚石复合基板及其制造方法　[申请号/专利号：200480000322]
申请人/专利权人：住友电气工业株式会社
本发明目的在于提供一种具有好的韧性、大的表面积和高质量的金刚石基板及制造该基板的方法，该基板可用于半导体材料、电子元件、光学元件等等。金刚石多晶膜层叠在金刚石单晶基板表...
2005年11月16日
22
耐磨应用中的CVD金刚石　[申请号/专利号：200480009288]
申请人/专利权人：六号元素有限公司
本发明提供了一种单晶ＣＶＤ（化学气相沉积）金刚石体，其特别适合用作用于耐磨应用的耐磨材料，如拉丝模具、绘画工具或ｓｔｉｃｈｅｌ，或流体喷射喷嘴。所述的金刚石典型地具有低...
2006年5月10日
23
金刚石单晶合成衬底及其制造方法　[申请号/专利号：200410100663]
申请人/专利权人：住友电气工业株式会社
一种金刚石单晶合成衬底，该衬底由具有并排设置成统一平面取向的多个金刚石单晶衬底构造而成，并通过利用汽相合成在其上生长金刚石单晶体来全面整合，其中除了一个金刚石单晶衬底之...
2005年8月10日
24
形成碳纳米管的方法　[申请号/专利号：200380107267]
申请人/专利权人：赛得里姆显示器公司
使用等离子体化学淀积方法在基材表面形成碳纳米管。纳米管生长之后，在新近形成的纳米管结构上进行纯化步骤。纯化可从生长的纳米管的壁上除去石墨及其他碳粒子，控制该纳米管层的厚...
2006年2月1日
25
形成碳纳米管的方法　[申请号/专利号：200380107266]
申请人/专利权人：赛得里姆显示器公司
使用等离子体化学淀积方法在基材表面上形成碳纳米管。在纳米管已经生长以后，在新近形成的纳米管结构上实施处理步骤。该后处理可从生长的纳米管的壁上除去石墨及其他碳粒子控制纳米...
2006年10月25日
26
由C* 生长钻石的方法　[申请号/专利号：98803651]
申请人/专利权人：马丁·莫斯科维茨
本发明涉及由平均直径约为１．５μｍ的工业钻石“晶种”制造直径超过１０μｍ的单晶钻石的方法。如下生长钻石：在中等温度以及如磷或硒的还原剂存在下在排空的容器中使晶种钻石与Ｃ...
2000年5月31日
27
着色的金刚石　[申请号/专利号：02826831]
申请人/专利权人：六号元素有限公司
本发明公开了一种着色的，优选具有鲜艳色彩的，且厚度大于１ｍｍ的单晶ＣＶＤ金刚石的金刚石层。...
2005年5月4日
28
具有金刚石涂层的碳化硅宝石　[申请号/专利号：97180156]
申请人/专利权人：C3公司
本发明提供了一种人造宝石，其制备步骤包括：生长碳化硅单晶体、把该碳化硅单晶体加工成宝石核、然后在该核上沉积一薄层金刚石。...
1999年12月15日
29
金刚石的非均质液相结晶　[申请号/专利号：98814152]
申请人/专利权人：阿纳托里·巴甫洛维奇·塞雷大、阿尔卡迪·伊戈雷维奇·贾金柯、阿纳托里·德米特里耶维奇·皮斯柯沃伊
本发明涉及金刚石非均质液相结晶的原理，结晶是在催化剂的不均匀表面上进行。该表面的特征在于，在含有沥青－焦油和沥青质类的重质烃类的高温脱氢过程中，催化剂会进行氢原子的化学...
2001年6月27日
30
散热片及其制造方法　[申请号/专利号：02802276]
申请人/专利权人：德山株式会社
本文中公开了一种散热片，它包含绝缘的陶瓷基片，以及叠加在该基片的顶面上、用于在其上放置元件的金刚石膜，该散热片具有极好的热辐射特性并能稳定地使用。该散热片通过以下步骤得...
2003年12月31日
31
碳膜生长工艺　[申请号/专利号：98805277]
申请人/专利权人：SI戴梦德技术公司
用对衬底（７０１）进行腐蚀然后淀积薄膜的工艺，制造了可以用于计算机显示器的场发射器件的薄膜（７０５）（碳和／或金刚石）。腐蚀步骤在衬底上产生用于膜淀积工艺的成核位置。用...
2000年7月19日
32
金刚石晶簇的生长　[申请号/专利号：00813865]
申请人/专利权人：德比尔斯工业钻石股份有限公司
本发明披露了金刚石晶簇，它包含：芯（１４）和生长过度区，所述生长过度区含有多个由芯（１４）向外延伸的金刚石晶粒（１６），绝大多数金刚石晶粒（１６）具有随离芯距离的增加而...
2002年10月30日
33
采用类金刚石修饰人工晶体的方法　[申请号/专利号：00122852]
申请人/专利权人：天津泰达生物科技股份有限公司
采用类金刚石修饰人工晶体的方法是在高真空等离子体加速气相沉积的条件下，在低温５～８０℃，载能离子束辅助沉积的作用下，使碳原子的ＳＰ↓［２］向ＳＰ↓［３］转化而形成类金刚...
2002年3月20日
34
着色的金刚石　[申请号/专利号：03823561]
申请人/专利权人：六号元素有限公司
提供了一种生产具有需要色彩的单晶ＣＶＤ金刚石的方法，该方法包括如下步骤：提供着色的单晶ＣＶＤ金刚石，和在适合于产生所需色彩的条件下热处理所述的金刚石。可以产生的颜色有例...
2005年10月26日
35
光学品质的金刚石材料　[申请号/专利号：200380101681]
申请人/专利权人：六号元素有限公司
一种ＣＶＤ单晶金刚石材料，适合用于或用作光学设备或元件。它适宜用于许多光学应用中，例如光学窗口、激光窗口、光学反射器、折光镜和光栅，及标准器。所述的ＣＶＤ金刚石材料是通...
2005年12月7日
36
厚的单晶金刚石层、其制备方法和由该层生产的宝石　[申请号/专利号：01812719]
申请人/专利权人：六号元素(控股)公司
本发明提供厚度大于２ｍｍ的高质量单晶ＣＶＤ金刚石层。本发明还提供所述ＣＶＤ金刚石层的生产方法。该方法包括在含小于３００ｐｐｂ氮的气氛中，在低缺陷密度基材上，发生金刚石层...
2003年9月10日
37
单结晶钻石成长用基材的制造方法　[申请号/专利号：200710085883]
申请人/专利权人：信越化学工业株式会社
一种能更确实地使单结晶钻石成长的单结晶钻石成长用基材的制造方法。一种单结晶钻石成长用基材的制造方法，包含对于钻石成长前的基材预先进行偏压处理，通过以基材侧电极作为阴极的...
2007年10月17日
38
在液体表面生长金刚石晶体的方法　[申请号/专利号：97119937]
申请人/专利权人：方宝贤
本发明涉及到晶体生长，尤其是金刚石晶体的生长方法。本发明所述方法是用碳源在可防止氧化的气体里，在金属液态衬底表面上生长金刚石晶体。在本申请中，作为衬底的金属是与碳没有反...
1999年5月5日
39
导衬的内周面上形成的硬质碳膜的剥离方法　[申请号/专利号：97191299]
申请人/专利权人：时至准钟表股份有限公司
在将辅助电极（７１）插入到与被加工物相滑动接触的内周面上形成有硬质碳膜（１５）的导衬（１１）的中心开口（１１ｊ）内的状态下，将该导衬（１１）配置在内部备有阳极（７９）和...
1999年1月13日
40
通过CVD制备的单晶金刚石　[申请号/专利号：01812728]
申请人/专利权人：六号元素(控股)公司
本发明提供通过ＣＶＤ制备的单晶金刚石，其具有一种或多种使得该金刚石适于在电子领域中应用的电子特征。本发明还提供制造单晶ＣＶＤ金刚石的方法。...
2003年9月10日
41
批量生产CVD金刚石片的灯丝工装　[申请号/专利号：98205844]
申请人/专利权人：曲承林、曲天亮
一种适合热丝ＣＶＤ法批量生产金刚石片的灯丝工装，它是在已有架设灯丝的电极上增加了可在电极上移动的滑块，其位移可抵消灯丝热膨胀所产生的伸长量，使灯丝始终保持直线状态，工作...
42
脉冲激光诱导液----固界面反应制备亚稳态纳米晶的方法　[申请号/专利号：00126686]
申请人/专利权人：湘潭大学
本发明公开了一种人工合成亚稳态纳米晶的方法，将化学纯石墨、立方氮化硼或碳化硼固体材料置于液固反应器中，在反应器中加入有机或无机碳氢化合物溶液或二次蒸馏水至高出化学纯石墨...
2002年2月13日
43
制备n-型半导体金刚石的方法及n-型半导体金刚石　[申请号/专利号：200380100646]
申请人/专利权人：住友电气工业株式会社
本发明制备ｎ－型半导体金刚石的方法的特征在于，通过向结合有１０ｐｐｍ或以上Ｎ的单晶金刚石中注入Ｌｉ离子，使得其中含有１０ｐｐｍ的Ｌｉ离子，来制备结合有Ｌｉ和Ｎ的金刚石，...
2005年12月14日
44
高速生长金刚石单晶的装置和方法　[申请号/专利号：200710055326]
申请人/专利权人：吉林大学
本发明的高速生长金刚石单晶的装置和方法属金刚石材料技术领域。所说的装置是在化学气相沉积系统沉积室内的衬底架上装有的样品托５；样品托５是在多晶金刚石薄膜１上面装有闭合的环...
2007年9月19日
45
浸埋式固态碳源制备单晶金刚石的方法　[申请号/专利号：200710064728]
申请人/专利权人：北京科技大学
一种浸埋式固态碳源制备单晶金刚石的方法，属于金刚石制备技术领域。采用氩气和氢气混合气体作为等离子体源气体，在混合气体中保持氩气和氢气的流量比为Ａｒ／Ｈ↓［２］＝２－４；...
2007年11月14日
46
单晶金刚石　[申请号/专利号：03822264]
申请人/专利权人：六号元素有限公司
提供了一种从在基本上没有表面缺陷的基质上通过化学气相淀积（ＣＶＤ）生长的ＣＶＤ金刚石生产大面积的单晶金刚石板的方法。横截在其上面进行金刚石生长的基质的表面地切开所述均相...
2005年10月12日
47
低电阻率n-型半导体金刚石及其制备方法　[申请号/专利号：200380100213]
申请人/专利权人：住友电气工业株式会社
本发明涉及掺杂锂的金刚石：掺杂了锂和氮的低电阻率的ｎ－型半导体金刚石，以及制备这种金刚石的方法。低电阻率的ｎ－型半导体金刚石一共包含１０↑［１７］ｃｍ↑［－３］或者更多...
2005年11月2日
48
人造金刚石、氮化硼单晶无硝酸提取方法　[申请号/专利号：200310110448]
申请人/专利权人：欧阳昌伦
人造金刚石、氮化硼单晶无硝酸提取方法，它是一种提取人造金刚石、氮化硼单晶的化学酸洗法，它是用含人造金刚石或氮化硼单晶的合成块，在常温下经含硝酸盐的浓硫酸溶液浸泡４－６小...
2005年4月27日
49
导向轴套和往导向轴套上覆盖膜的形成方法　[申请号/专利号：97190873]
申请人/专利权人：时至准钟表股份有限公司
在被装在自动车床上的在切削工具附近对被加工件（５１）可以转动和在轴方向滑动地进行保持的导向轴套（１１）的、与被加工件（５１）相滑动接触的内周面（１１ｂ）和其开口端面的靠...
1998年10月28日
50
涂敷硬碳膜的基底及其制造方法　[申请号/专利号：97118532]
申请人/专利权人：三洋电机株式会社
揭示了一种涂敷硬碳膜的基底，其中在基底和硬碳膜之间有一中间层，该中间层主要包括从Ａｌ、Ｃｒ、Ｓｎ、Ｃｏ和Ｂ以及它们的氧化物、氮化物和碳化物构成的组中选出的至少一种材料。...
1998年5月27日
 

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