专利┆化工┆机械┆建材┆通讯┆纺织┆电子┆农业┆服饰┆环保┆家居┆电器┆办公┆玩具┆文教┆包装
电气┆塑料┆能源┆橡胶┆照明┆运动┆仪器┆冶金┆数码┆汽车┆物流┆纸业┆印刷┆礼品┆建筑┆五金
发明名称 全文
专利
供应商机
采购商机
企业库
商讯
产品库
钱眼专利首页 > 应用多层磁性层的 的专利共 438 条
<<　1　2　3　4　5　6　7　8　9　 >>免费注册 
热点信息推荐



热点企业推荐
 
 
 
排序
专利信息
公开日
地区
我要留言
1
磁存储器　[申请号/专利号：200610092412]
申请人/专利权人：TDK株式会社
在磁存储器（１）中，磁阻效应元件（４）邻近导线（５）布置，用于产生写磁场，并且此外，铁磁体（２０）布置为覆盖至少部分导线（５），并且因此在一个方向定向此铁磁体（２０）的...
2007年1月31日
2
磁存储器　[申请号/专利号：200610092409]
申请人/专利权人：TDK株式会社
磁存储器（１）具有：在任意确定方向上延伸的导线（５）、与导线（５）邻近配置的磁阻效应元件（４）、以及与导线（５）中的磁阻效应元件（４）相对的侧上相邻配置的反元件侧轭（２...
2007年6月20日
3
电阻式存储器装置及电阻式随机存取存储器堆叠结构　[申请号/专利号：200810005124]
申请人/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
本发明提供一种电阻式存储器装置及电阻式随机存取存储器堆叠结构，该电阻式存储器装置包含：第一电极层，形成于基底上；第一缓冲层，形成于该第一电极层上，其晶格结构具有第一位向...
2008年10月29日
4
一种双自由层垂直铁磁性隧道结结构　[申请号/专利号：200810103181]
申请人/专利权人：北京科技大学
一种双自由层垂直铁磁性隧道结结构，属于磁随机存储技术领域，所提供的双自由层垂直铁磁性隧道结（ＭＴＪ）结构的最底层为底电极层，从底往上依次为反铁磁层、钉扎层、为绝缘层、第...
2008年10月1日
5
磁致电阻效应元件和使用它的磁致电阻随机存取存储器　[申请号/专利号：200810109276]
申请人/专利权人：株式会社东芝
本发明涉及磁致电阻效应元件和使用它的磁致电阻随机存取存储器。磁致电阻效应元件包括：第一磁性层（３），第二磁性层（２）和第一隔离层（４）。第一磁性层（３）具有不变的磁化方...
2008年11月19日
6
先进的磁性随机存取记忆体设计　[申请号/专利号：200810006260]
申请人/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
本发明涉及一种用于制作先进的磁性随机存取记忆阵列（ＭＲＡＭ）的技术，供建构记忆体集成电路芯片。更特别地，本发明涉及一种集成电路记忆体芯片，其包含至少一高速磁性记忆胞阵列...
2008年11月12日
7
磁阻效应元件和磁阻式随机存取存储器　[申请号/专利号：200710161358]
申请人/专利权人：株式会社东芝
提供了一种可以用低电流反转磁化方向，具有低面电阻（ＲＡ）和高ＴＭＲ比值的磁阻效应元件。磁阻效应元件包括：膜叠层，其包括磁化自由层、磁化固定层和位于所述磁化自由层和所述磁...
2008年4月2日
8
CoFeB层构成固定层至少一部分的隧道型磁检测元件及其制法　[申请号/专利号：200710152772]
申请人/专利权人：阿尔卑斯电气株式会社
本发明特别涉及由Ｍｇ－Ｏ形成绝缘障壁层的隧道型磁检测元件，提供可以得到高电阻变化率（△Ｒ／Ｒ）的隧道型磁检测元件及其制造方法。第２固定磁性层（４ｃ），从下面起，以由Ｃｏ...
2008年3月26日
9
包括有二字线晶体管的磁性存储元件及其方法　[申请号/专利号：200610142909]
申请人/专利权人：旺宏电子股份有限公司
本发明关于一种磁性随机存取存储体单元，其包括有磁性金属层、以及邻近于此磁性金属层的磁感测元件。此磁性金属层的一端耦接至一字线晶体管，并且二极管包括并被设置以经由一第二字...
2007年5月23日
10
隧道结非接触式位移测量方法及位移传感器　[申请号/专利号：200810020486]
申请人/专利权人：合肥智丰传感集成技术有限公司
本发明公开了一种隧道结非接触式位移测量方法及位移传感器，在基片上安装有隧道结阵列，所述的隧道结阵列外接有可以探测出每个隧道结电阻大小变化的外围电路，每个隧道结对应一个确...
2008年8月6日
11
磁阻器件、磁头、磁存储设备以及磁存储器　[申请号/专利号：200810080432]
申请人/专利权人：富士通株式会社
一种ＣＰＰ型磁阻器件，包括：磁化被钉扎层；磁化自由层；以及非磁层，设置在所述磁化被钉扎层与所述磁化自由层之间。所述磁化自由层和所述磁化被钉扎层的至少其中一个由ＣｏＦｅＧ...
2008年8月27日
12
磁存储器件以及向磁存储器件写入数据的方法　[申请号/专利号：200610136108]
申请人/专利权人：三星电子株式会社
提供了一种磁存储器件以及向所述磁存储器件写入数据的方法。所述磁存储器件包括：界定多个单位单元区域的多条字线和多条位线；设置于每一单位单元区域内的晶体管；以及磁隧道结（Ｍ...
2007年8月29日
13
一种具有量子效应的MgO双势垒磁性隧道结及其用途　[申请号/专利号：200610080970]
申请人/专利权人：中国科学院物理研究所
本发明涉及一种具有量子效应的ＭｇＯ双势垒磁性隧道结，其核心膜层从下至上包括以下五层：第一磁性层、第一隧道势垒层、中间磁性金属层、第二隧道势垒层以及第二磁性层。本发明提供...
2007年11月28日
14
磁电阻元件和磁性存储器　[申请号/专利号：200810008901]
申请人/专利权人：株式会社东芝
一种磁电阻元件，包括：具有第一平面和位于与第一平面相反一侧上的第二平面，并且具有可变磁化方向的磁化自由层；提供在磁化自由层的第一平面侧上并且具有被钉扎磁化方向的磁化受钉...
2008年7月30日
15
2008年6月11日
16
半导体器件和形成该半导体器件的方法　[申请号/专利号：200710097021]
申请人/专利权人：国际商业机器公司
半导体器件和形成该半导体器件的方法。形成于字线和位线之间的半导体器件，包括：生长层、形成于生长层上的反铁磁体层、形成于反铁磁体层上的被钉扎层、形成于被钉扎层上的隧道阻挡...
2007年12月19日
17
磁阻效应元件及其制造方法　[申请号/专利号：200810088314]
申请人/专利权人：株式会社东芝、TDK株式会社
一种磁阻效应元件，包括：固定磁化层，其磁化被实质地固定在一个方向上；自由磁化层，其磁化根据外部磁场转动，并被形成于所述固定磁化层的相对面；分隔层，包括具有绝缘层和在所述...
2008年10月1日
18
不挥发性半导体存储装置　[申请号/专利号：200810002329]
申请人/专利权人：松下电器产业株式会社
在电阻交叉点单元阵列中，除读出时选择的存储器单元之外，产生无数个寄生电流的路径。因为该寄生电流的总和与选择的存储器单元的电流相比相当大，所以判别选择的存储器单元中存储的...
2008年9月3日
19
磁性随机存取存储器及其形成方法　[申请号/专利号：200810005871]
申请人/专利权人：国际商业机器公司
本发明公开了一种磁性随机存取存储器及其形成方法。在一个实施例中，本发明是一种在磁性随机存取存储器中进行位线和接触通孔集成的方法和设备。根据本发明的磁性随机存取存储器的一...
2008年8月27日
20
用于初始化翻转切换的MRAM器件的参考单元的方法和装置　[申请号/专利号：200810001518]
申请人/专利权人：国际商业机器公司
本发明涉及一种确定在制造的存储器阵列中的参考单元的初始状态的方法，所述方法包括：通过比较通过所述参考单元的电流与流动通过数据单元对的平均电流来进行所述参考单元的第一读操...
2008年7月23日
21
磁阻元件和磁存储器　[申请号/专利号：200710141632]
申请人/专利权人：株式会社东芝
本发明涉及磁阻元件和磁存储器。一种磁阻元件（１０）包括：包含磁性材料并具有（００１）面取向的ｆｃｔ晶体结构的自由层（１２），该自由层（１２）具有与膜面垂直并具有可通过自...
2008年4月16日
22
存储器件和存储器　[申请号/专利号：200810006185]
申请人/专利权人：索尼株式会社
本发明公开了存储器件和具有这种存储器件的存储器，其中，该存储器件包括基于磁体的磁化状态在其上保存信息的存储层、通过非磁性层形成在存储层上的具有固定磁化方向的磁化固定层以...
2008年8月27日
23
隧道磁阻器件、其制造方法、磁头及磁存储器　[申请号/专利号：200710152798]
申请人/专利权人：富士通株式会社
一种隧道磁阻器件、其制造方法、磁头及磁存储器，在该隧道磁阻器件中，势垒层设置在被钉扎层上，该被钉扎层由具有固定磁化方向的铁磁材料制成，该势垒层具有允许电子以隧道现象穿过...
2008年5月21日
24
使用电感转换的磁随机存取存储器装置　[申请号/专利号：200710147836]
申请人/专利权人：三星电子株式会社
提供一种使用电感转换（ＣＩＤ）方法的磁存储器装置。所述使用ＣＩＤ方法的磁存储器装置包括：下部电极；磁阻结构，在下部电极上形成并包括两个边的宽度变化的自由层；以及上部电极...
2008年3月5日
25
具备在固定层中含有CoFeB膜的复合层的隧道型磁检测元件及其制造方法　[申请号/专利号：200710152793]
申请人/专利权人：阿尔卑斯电气株式会社
本发明提供一种隧道型磁检测元件及其制造方法，该隧道型磁检测元件由Ａｌ－Ｏ形成绝缘阻挡层，且能够得到低的ＲＡ且高的电阻变化率（△Ｒ／Ｒ）。第二固定磁性层（４ｃ）通过将由Ｃ...
2008年3月26日
26
隧道磁阻元件、磁头以及磁存储器　[申请号/专利号：200710153185]
申请人/专利权人：富士通株式会社
本发明提供一种具有大ＭＲ比的隧道磁阻（ＴＭＲ）元件。这种ＴＭＲ元件在磁化固定层与磁化自由层之间形成有隧道阻挡层，在磁化自由层上设置有覆盖层。隧道阻挡层由ＭｇＯ膜形成。磁...
2008年4月2日
27
磁阻效应元件、磁存储器、磁头及记录再生装置　[申请号/专利号：200710180640]
申请人/专利权人：株式会社东芝
本发明提供可以谋求ＭＲ变化率提高的磁阻效应元件、磁存储器、磁头及磁记录再生装置。磁阻效应元件具有：磁化方向实质上被固定成一个方向的第１磁性层、磁化方向随外部磁场变化的第...
2008年4月2日
28
磁阻效应元件的制造方法、磁头、磁记录再生装置、及磁性存储器　[申请号/专利号：200710147403]
申请人/专利权人：株式会社东芝
本发明提供一种能获得ＭＲ变化率高、并能期待与高记录密度对应的磁阻效应元件以及利用该元件的磁头、磁记录再生装置及磁性随机存取存储器。所述元件具有：固定磁化方向的第１磁性层...
2008年5月7日
29
存储元件和存储器　[申请号/专利号：200710165918]
申请人/专利权人：索尼株式会社
一种存储元件，其包括：存储层，基于磁性材料的磁化状态来存储信息；以及磁化方向固定的磁化固定层，并且在存储层和磁化固定层之间设置有非磁性层。通过沿堆叠方向施加电流以改变存...
2008年5月7日
30
磁阻效应器件以及使用它的磁性随机存取存储器　[申请号/专利号：200710152885]
申请人/专利权人：株式会社东芝
一种磁阻效应元件（１），包括具有基本上固定磁化方向的磁化固定层（３）。磁化可变层（２）具有可变磁化方向，由具有ＢＣＣ结构并且由Ｆｅ↓［１－ｘ－ｙ］Ｃｏ↓［ｘ］Ｎｉ↓［ｙ...
2008年4月2日
31
采用磁畴壁移动的存储器装置　[申请号/专利号：200710154095]
申请人/专利权人：三星电子株式会社
本发明提供了一种采用磁畴壁移动的存储器装置。该存储器装置包括写轨道和列结构。写轨道形成了具有预定的磁化方向的磁畴。列结构形成在写轨道上并包括至少一个互连层和至少一个存储...
2008年3月19日
32
2008年5月28日
33
非易失性半导体存储装置　[申请号/专利号：200610067698]
申请人/专利权人：株式会社瑞萨科技
本发明使从供给写入电流的写入电流源（４Ｗ）到内部数据线（ＩＤＬ）、位线（ＢＬ）、源极线（ＳＬ）、基准电位结点（ＮＤ）的路径的除存储单元（ＭＣ）以外的电阻值一直恒定，并且...
2006年9月27日
34
自旋存储器和自旋场效应晶体管　[申请号/专利号：200710153622]
申请人/专利权人：株式会社东芝
一种自旋存储器，包括：磁阻元件（１７），其具有磁化方向被固定的第一铁磁层、磁化方向变化的第二铁磁层、以及在第一铁磁层和第二铁磁层之间的第一非磁性层；下电极（１６）和上电...
2008年3月12日
35
2008年6月4日
36
磁存储装置及其驱动方法　[申请号/专利号：200610103118]
申请人/专利权人：富士通株式会社
一种磁存储装置，其包括磁阻效应元件（５４）和写电流施加电路。其中该磁阻效应元件（５４）包括：磁性层（４２），其具有沿第一方向钉扎的磁化；非磁性层（５０），其形成在该磁性...
2007年10月3日
37
采用磁畴壁移动的存储器装置　[申请号/专利号：200710154094]
申请人/专利权人：三星电子株式会社
本发明提供了一种采用磁畴壁移动的存储器装置。该存储器装置包括第一轨道、互连层和第二轨道。包含磁材料的第一轨道沿着第一方向形成。互连层形成在第一轨道上。包含磁材料的第二轨...
2008年3月19日
38
磁性存储单元的结构、存取方法以及磁性存储器电路　[申请号/专利号：200610084560]
申请人/专利权人：财团法人工业技术研究院
一种磁性存储单元结构，适用于双态模式存取操作的一磁性存储装置，包括一磁性固定迭层，做为一基层结构的一部分，其中该磁性固定迭层包括一上固定层与一下固定层。又，该上固定层与...
2007年11月28日
39
磁畴数据存储装置及其制造方法　[申请号/专利号：200810002213]
申请人/专利权人：三星电子株式会社
示例性实施例可提供使用磁畴壁移动的数据存储装置及其制造方法，所述数据存储装置包括具有磁化方向可确定的至少两个磁畴的第一磁层和／或形成在第一磁层的下表面上的第二软磁层。即...
2008年7月9日
40
磁性随机存取存储单元、其写入方法及其制造方法　[申请号/专利号：200710101076]
申请人/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
非易失性磁性随机存取存储（ＭＲＡＭ）单元及其写入与制造方法。该ＭＲＡＭ单元包括字线，位线，以及磁性薄膜存储元件设置于该字线与位线的交叉处。该磁性薄膜存储元件包括由烯土元...
2007年10月31日
41
磁性存储器件及其制造方法　[申请号/专利号：200610121875]
申请人/专利权人：三星电子株式会社
本发明公开了一种磁性存储器件，其包括：公用线；第一写入二极管、读取二极管和第二写入二极管，并联连接到该公用线上。该磁性存储器件还包括：磁性隧道结结构，连接到该读取二极管...
2007年2月28日
42
一种磁性存储器装置以及其制造方法　[申请号/专利号：200610138892]
申请人/专利权人：旺宏电子股份有限公司
本发明公开一种非易失性存储器设备。该设备包括基板、至少一个相对高磁导率的导线、以及至少一个磁阻性存储器单元，其以一绝缘材料与该至少一个相对高磁导率导线分隔，且其位于该相...
2007年4月25日
43
抑制数据读出时的误写入的非易失存储装置　[申请号/专利号：200610137391]
申请人/专利权人：株式会社瑞萨科技
从钉扎层侧到自由层侧的数据写入电流比从自由层侧到钉扎层侧的数据写入电流大。数据读出电流值比数据写入电流小，在高电阻状态和低电阻状态下数据读出电流之差较小时，读出放大器（...
2007年4月25日
44
磁性存储器的资料存取方法　[申请号/专利号：200610079500]
申请人/专利权人：财团法人工业技术研究院
一种磁性存储器的资料存取方法，以双态模式来存取资料。利用第一电流线与第二电流线以提供操作电流。资料存取方法包括一改变资料操作，以改变磁性储存单元的一储存数据。在一第一阶...
2007年11月14日
45
磁性存储单元结构与磁性存储装置　[申请号/专利号：200610059116]
申请人/专利权人：财团法人工业技术研究院
本发明涉及一种磁性存储单元结构适用于双态型模式存取操作的一磁性存储装置，包括一磁性固定迭层，做为一基层结构的一部份。一穿隧绝缘层位于该磁性固定迭层之上。一磁性自由迭层位...
2007年9月19日
46
磁存储器及其制造方法　[申请号/专利号：200610085067]
申请人/专利权人：TDK株式会社
本发明提供一种可靠性高的磁存储器及其制造方法。在磁轭（５）和感磁层（５ｂ）的磁连接部附近，感磁层（５ｂ）内的磁化的方向紊乱。即，如果读出时起作用的感磁层（５ｂ）中的固定...
2006年12月6日
47
磁性存储装置　[申请号/专利号：200610147055]
申请人/专利权人：株式会社日立制作所
一种磁性存储装置包括磁隧道结（ＭＴＪ），具有铁磁自由层，表现出第一相对较高的阻态和第二相对较低的阻态。为了写入磁性存储装置，驱动电流Ｉ↓［ＭＴＪ］（１２５）通过ＭＴＪ。...
2007年11月7日
48
磁阻效应器件、磁头、磁记录系统及磁随机存取存储器　[申请号/专利号：200610151886]
申请人/专利权人：富士通株式会社
一种具有合成铁钉扎旋阀结构的ＣＰＰ型磁阻效应器件，该旋阀结构包括缓冲层、被钉扎铁磁层、非磁金属中间层和自由铁磁层，该自由铁磁层由具有特定成分的ＣｏＦｅＡｌ或ＣｏＭｎＡｌ...
2007年10月3日
49
磁阻效应元件以及磁存储器　[申请号/专利号：200710102315]
申请人/专利权人：株式会社东芝
本发明提供一种磁阻效应元件以及磁存储器，即使进行微观化也具有热稳定性，并且可以用低电流密度实现磁记录层的磁化反转。该磁阻效应元件具备：磁化方向固定的磁化固定层；磁化方向...
2007年10月31日
50
利用磁致电阻效应的相变存储器及其制造和操作方法　[申请号/专利号：200610141578]
申请人/专利权人：三星电子株式会社
本发明涉及一种利用磁致电阻效应的相变存储器以及操作和制造这样的相变存储器的方法。该相变存储器包括：衬底；开关元件，形成在该衬底中；以及存储节点，连接到该开关元件，该存储...
2007年4月11日
 

专利发明首页:·生活及医学 ·作业及运输 ·化学及冶金 ·纺织及造纸 ·建筑及采矿 ·机械及工程 ·物理及测量 ·电子及通讯
...
  　　共438 条信息，当前显示第 1 - 50 条，共9 页
钱眼网客户服务　　联系方式:E-mail:qianyan.biz@hotmail.com 　免责声明
将钱眼设为首页 | 将钱眼推荐给朋友
钱眼网 版权所有 Copyright ©2026 Qianyan.biz All rights reserved. | 网络实名：钱眼
钱眼客服电话:010-82727623 　E_Mail:qianyan.biz@hotmail.com　QQ:532008814　　点击这里给我发消息　
京公网安备 11010502034661号   京ICP备06048586号