电源或电压发生电路，例如，偏置电压发生器、衬底片电压发生器、后备电源、电源控制电路-钱眼专利分类

半导体存储装置的内部电压产生电路　[申请号/专利号：200510003875]
申请人/专利权人：海力士半导体有限公司
本文揭示了一种半导体存储装置的内部电压产生电路，其能够根据该存储装置的不同运行模式将不同电平的电压供应给该存储装置中的列路径和控制逻辑以及数据路径和控制逻辑。当该列路径...

2005年10月19日

半导体存储器件　[申请号/专利号：200410098553]
申请人/专利权人：松下电器产业株式会社
为了降低电源电路的电路规模和电源电路在半导体衬底上方占用的面积，为存储电路的各个部分提供电源电压的电源电路包括字驱动器电源（第一电源电路）、读出放大器电源（第二电源电路...

2005年6月15日

能够降低有效模式下电流消耗的半导体存储装置　[申请号/专利号：200410070307]
申请人/专利权人：海力士半导体有限公司
提供一种能够降低有效模式下电流消耗的半导体存储装置。该半导体存储装置包含一内部电压供应块及一内部电压控制块。该内部电压供应块响应一内部电压驱动使能信号被启动，并产生一用...

2005年2月9日

半导体存储装置内的内电压产生电路　[申请号/专利号：200410070306]
申请人/专利权人：海力士半导体有限公司
本发明提供了一种半导体存储装置中的内电压产生电路，包含：一比较单元，用于比较内电压的电压电平与参考电压的电压电平；一上拉式驱动单元，用于响应该比较单元的输出信号执行输出...

2005年7月13日

非易失性半导体存储装置及其写入方法和删除方法　[申请号/专利号：200410049572]
申请人/专利权人：夏普株式会社
构成存储器阵列（１）的各可变电阻元件（２２），同一行的一端之间连接共通的字线（２０），同一列的另一端之间连接共通的位线（２１）。选择第１字线电压施加到选择字线，选择第２...

2005年2月2日

非易失性半导体存储装置及其控制方法　[申请号/专利号：200410049056]
申请人/专利权人：夏普株式会社
非易失性半导体存储装置包括：存储器阵列（１０１），其在半导体基片上，在行方向及列方向分别配置多个连接由基于电应力的电阻变化来存储信息的可变电阻元件的一端与选择晶体管的漏...

2005年2月2日

在存储单元中迅速储存数据而无电压损耗的方法及装置　[申请号/专利号：200410045501]
申请人/专利权人：海力士半导体有限公司
本发明涉及一种存储装置，尤其是一种在重新储存和写入数据时，用于防止储存在存储单元中的数据的可靠性降低的装置和方法。本发明的半导体存储装置包括：用于提高外部电压电平，然后...

2005年2月2日

电压发生电路　[申请号/专利号：200410044650]
申请人/专利权人：三菱电机株式会社
本发明的电压发生电路在基准电压节点（ＧＧ）和第１节点（ＮＤ１）之间配置第１晶体管（ＰＱ１），使其栅极与第２节点（ＮＤ２）连接。在第２节点和基准电压节点之间配置第２晶体管...

2004年12月1日

半导体存储器件及载有其和逻辑电路器件的半导体器件　[申请号/专利号：200410007488]
申请人/专利权人：松下电器产业株式会社
本发明提供一种半导体存储器件及载有其和逻辑电路器件的半导体器件，可同时实现位线预充电动作的高速化以及缩小布图面积。在位线预充电电压发生装置中所包含的预充电电压激励电路（...

2004年9月8日

控制内电压电平的内部电压发生电路和基准电压发生电路　[申请号/专利号：200310118713]
申请人/专利权人：三星电子株式会社
提供一种控制内部电压电平的内部电压发生电和基准电压发生电路路，其中基准电压发生电路包括配电单元、箝位控制单元以及控制单元；配电单元响应于外部电源电压产生低于外部电源电压...

2004年6月16日

控制内部电源电压的加电斜率的内部电压转换器方案　[申请号/专利号：200310101220]
申请人/专利权人：三星电子株式会社
本发明描述了斜坡电压电路，用于在初始加电或从休眠时期到半导体存储器件的启动转换时补充或提供更高的加电斜率。这样的斜坡电压电路响应于加电信号，能够将加电斜率提高至少两个量...

2004年5月19日

半导体存储器件中的内部电压源发生器　[申请号/专利号：03145337]
申请人/专利权人：三星电子株式会社
在该电路中，响应于正常工作模式，供给或下变换外部电压源以向内部电路提供第一电平的内部电压源。响应于具有与正常模式有补充关系的低功耗模式，将外部电压源转换为低于第一电平的...

2004年2月11日

半导体装置　[申请号/专利号：03136750]
申请人/专利权人：三菱电机株式会社
根据电压电平设定信号（ＺＣＭＰＥ）切换高电压、中间电压及内部电源电压等内部电压的发生形态。即具体地说，在外部电源电压（ＥＸＶＤＤ）的电压电平低的情况下，将接收比较电路的...

2003年12月10日

一种能够在常规方式和低耗电流方式之间转换的升压电路及方法　[申请号/专利号：02126575]
申请人/专利权人：尔必达存储器株式会社
在一种升压电路中，包括连接在节点（Ｎ１，Ｎ３）之间的第一激励电容器（ＣＰ１）和连接在节点（Ｎ２，Ｎ４）之间的第二激励电容器（ＣＰ２），该升压电路包括第一至第五开关（Ｓ１...

2003年2月26日

以低功耗工作的半导体存储器　[申请号/专利号：02104669]
申请人/专利权人：三菱电机株式会社
本发明的课题是，内部电源电路（１００）在低功耗模式下通过经晶体管（２１４、２２４、２３４、２４４）将内部电源布线（１１８、１２８、１３８、１６６）的每一个与外部电源布线...

2003年1月22日

一种能够在常规方式和低耗电流方式之间转换的升压电路　[申请号/专利号：200510050901]
申请人/专利权人：尔必达存储器株式会社
在一种升压电路中，包括连接在节点（Ｎ１，Ｎ３）之间的第一激励电容器（ＣＰ１）和连接在节点（Ｎ２，Ｎ４）之间的第二激励电容器（ＣＰ２），该升压电路包括第一至第五开关（Ｓ１...

2005年8月10日

经缓冲电流回馈电源供应及其应用　[申请号/专利号：02810654]
申请人/专利权人：因芬尼昂技术股份公司
一种用于复数装置之缓冲电流回馈电源供应（４０）。该电源供应（４０）包括第一，第三及第四ＰＭＯＳ晶体管（４８，５４），一电压供应（４２，４４）以及一输出端Ｂ。第一及第二晶...

2004年7月7日

联邦

集成电路存储器件电源电路和操作它们的方法　[申请号/专利号：02157155]
申请人/专利权人：三星电子株式会社
集成电路器件包括控制电路，用于响应控制信号，利用第一电源电压和／或第二电源电压，有选择地驱动集成电路器件的存储单元阵列和读出放大器的供电端。将第二电源电压与第一电源电压...

2004年1月7日

电荷泵电路和使用它的非易失性存储器的工作方法　[申请号/专利号：01142576]
申请人/专利权人：三菱电机株式会社
现有的正负两种电压发生用电荷泵电路虽然可以发生正负两种电压，但是，不能得到所希望的高电压输出。电荷泵电路具有连接在外部电源与第１内部节点间的第１逆流防止电路、与第１内部...

2002年8月21日