输入/输出-钱眼专利分类

具有用于不同信号频率的不同端接器单元的存储装置　[申请号/专利号：200510003647]
申请人/专利权人：三星电子株式会社
本发明涉及具有用于不同信号频率的不同端接器单元的存储装置。一种存储器包括耦合到第一管脚的第一端接器单元，用于接收具有第一频率分量的第一信号。存储器还包括耦合到第二管脚的...

2005年8月24日

韩国

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调节半导体存储器装置中转换速率的装置与方法　[申请号/专利号：200410101326]
申请人/专利权人：海力士半导体有限公司
本发明关于一装置用以调节半导体存储器装置中藉自一外部电路之一信号所输出之一数据信号之一转换速率与一方法，该装置包含：一转换速率控制信号产生块对应于一命令信号经由结合自外...

2005年6月22日

韩国

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半导体存储器件　[申请号/专利号：200410098553]
申请人/专利权人：松下电器产业株式会社
为了降低电源电路的电路规模和电源电路在半导体衬底上方占用的面积，为存储电路的各个部分提供电源电压的电源电路包括字驱动器电源（第一电源电路）、读出放大器电源（第二电源电路...

2005年6月15日

日本

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用于检测输入信号的输入缓冲器　[申请号/专利号：200410097418]
申请人/专利权人：三星电子株式会社
一种检测输入信号的输入缓冲器。该输入缓冲器包括输出节点、第一缓冲器以及第二缓冲器。第一缓冲器可以在参考电压信号的电压电平等于预定电压电平时，控制输出节点的电压电平。第二...

2005年6月1日

韩国

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具有串行输入/输出接口的多端口存储器装置　[申请号/专利号：200410096817]
申请人/专利权人：海力士半导体有限公司
提供一种具有串行输入／输出接口的多端口存储器装置，包括：存储器核心；控制方块，使用以一封包形成输入至上述多个端口的命令及地址，以产生对应于命令及上述存储器核心的操作所需...

2005年11月9日

韩国

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多端口存储装置　[申请号/专利号：200410088568]
申请人/专利权人：海力士半导体有限公司
提供一种半导体存储装置的列修复技术（ｃｏｌｕｍｎ　　ｒｅｐａｉｒ　　ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ）。上述半导体存储装置包括：一正规总线连接部，用以在每一排组的多个总体数据总线与...

2005年11月9日

韩国

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用于高速数据存取的半导体存储装置　[申请号/专利号：200410087153]
申请人/专利权人：海力士半导体有限公司
一种半导体存储装置，具有一高速度的数据传送，其包括多个单元方块，每一单元方块具有多个用以储存数据的单位单元；多个区域位线感测放大方块，每一区域位线感测放大方块用以感测及...

2005年7月13日

韩国

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能调节数据输出驱动器的阻抗的半导体存储器件　[申请号/专利号：200410076966]
申请人/专利权人：海力士半导体有限公司
一种半导体存储器件包括：数据输入／输出垫；数据输入单元，用于缓冲和锁存在数据存取操作期间通过输入／输出垫而输入的数据信号，或者用于缓冲和锁存在ＯＣＤ校准控制操作期间通过...

2005年4月13日

韩国

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用于掩盖写入振荡的数据传送控制设备及其方法　[申请号/专利号：200410076697]
申请人/专利权人：海力士半导体有限公司
本发明涉及一种用于掩盖当ＤＤＲ　ＳＤＲＡＭ中的写入操作完成时发生的数据选通的振荡的数据传送控制设备。该用于掩盖ＤＤＲ　ＳＤＲＡＭ中的写入振荡的数据传送控制设备可方便地用...

2005年2月9日

韩国

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缓冲放大器装置　[申请号/专利号：200410002963]
申请人/专利权人：因芬尼昂技术股份公司
本发明系关于一种用以缓冲并联供应至一半导体电路模块上之相同芯片，特别是ＤＲＡＭ芯片，之信号之缓冲放大器装置，其具有在每一信号线中之可调式延迟电路（７１），以及一延迟侦测...

2004年10月20日

联邦

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用于同步集成电路存储装置的数据输出电路　[申请号/专利号：03143667]
申请人/专利权人：三星电子株式会社
数据输出电路包括多个寄存器和多个寄存器输出选择开关，这些开关分别与所述多个寄存器相连。多个寄存器输出选择开关对通过各自的公共有源区相连。第一数据组选择开关与多个寄存器输...

2004年2月18日

韩国

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时钟同步型半导体存储器　[申请号/专利号：02119179]
申请人/专利权人：三菱电机株式会社
在控制缓冲电路（２０）和地址缓冲电路（２２）中，对每个引脚端子设置多种形式的缓冲电路，按照状态控制信号组（ＥＮＧ），激活１种形式的输入缓冲器。此外，按照在模式寄存器中存...

2003年1月15日

日本

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与传播延迟无关的SDRAM数据收集设备和方法　[申请号/专利号：02801833]
申请人/专利权人：皇家菲利浦电子有限公司
公开了一种指示数据可用性的方法。根据该方法，根据存储在ＳＤＲＡＭ中的数据开始重现数据信号的数据该出操作。该数据是从带第一传播延迟的ＳＤＲＡＭ设备提供的。该ＳＤＲＡＭ设备...

2003年12月24日

荷兰

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缓冲器电路　[申请号/专利号：00130172]
申请人/专利权人：恩益禧电子股份有限公司
提供了一种能够抑制电源电压或地电位波动或偏差的缓冲器电路，包括具有ＣＭＯＳ结构的第一和第二反相器电路，以及均衡电路。第一和第二反相器电路各由控制信号激活时，均衡电路处于...

2001年5月2日

日本

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