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钱眼专利首页 > 磁性半导体化合物 的专利共 4 条
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1
N*O掺杂p型Zn***Co*O稀磁半导体薄膜及其制备方法　[申请号/专利号：200810059939]
申请人/专利权人：浙江大学
本发明涉及Ｎ↓［２］Ｏ掺杂生长ｐ型Ｚｎ↓［１－ｘ］Ｃｏ↓［ｘ］Ｏ稀磁半导体薄膜的方法，采用的是脉冲激光沉积法。靶材是由纯ＺｎＯ、Ｃｏ↓［２］Ｏ↓［３］粉末混合烧结的陶瓷...
2008年8月6日
2
磁性增强的H掺杂Mn*Ge*磁性半导体薄膜　[申请号/专利号：200810014729]
申请人/专利权人：山东大学
磁性增强的Ｈ掺杂Ｍｎ↓［ｘ］Ｇｅ↓［１－ｘ］磁性半导体薄膜，属于信息技术自旋电子材料领域。该发明通过向Ｍｎ↓［ｘ］Ｇｅ↓［１－ｘ］薄膜中掺杂Ｈ且其含量２ａｔ％－３５ａｔ...
2008年11月5日
3
自旋开关和使用该自旋开关的磁存储元件　[申请号/专利号：02803898]
申请人/专利权人：松下电器产业株式会社
本发明提供由电压驱动的自旋开关，该自旋开关包含：强磁性体、与其磁耦合的磁性半导体、与磁性半导体磁耦合的反强磁性体、和经绝缘体与磁性半导体连接的电极，通过电极电压的变化，...
2004年4月7日
4
p型掺杂ZnO基稀磁半导体材料及制备方法　[申请号/专利号：200710160237]
申请人/专利权人：浙江大学、横店集团东磁股份有限公司
本发明公开了一种ｐ型掺杂ＺｎＯ基稀磁半导体材料及制备方法。材料分子结构式为Ｚｎ↓［１－ｘ－ｙ］ＴＭ↓［ｙ］Ｎａ↓［ｘ］Ｏ，Ｔｍ代表过渡金属元素Ｃｏ、Ｎｉ、Ｍｎ等，ｘ＝０...
2008年5月21日
5
铁磁性Ⅳ族系半导体、铁磁性Ⅲ -Ⅴ族系化合物半导体或铁磁性Ⅱ -Ⅵ族系化合物半导体 ,　[申请号/专利号：03813072]
申请人/专利权人：独立行政法人科学技术振兴机构
采用透射光线的ＩＶ族系半导体ＩＩＩ－Ｖ族系化合物半导体或ＩＩ－ＶＩ族系化合物半导体，可得稳定的铁磁性特性。于ＩＶ族系半导体、ＩＩＩ－Ｖ族半导体系化合物半导体、或ＩＩ－Ｖ...
2005年8月24日
 

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