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| 本发明公开了一种ｐ型掺杂ＺｎＯ基稀磁半导体材料及制备方法。材料分子结构式为Ｚｎ↓［１－ｘ－ｙ］ＴＭ↓［ｙ］Ｎａ↓［ｘ］Ｏ，Ｔｍ代表过渡金属元素Ｃｏ、Ｎｉ、Ｍｎ等，ｘ＝０－１０％，ｙ＝０－２０％。方法：将醋酸锌、醋酸钠和过渡金属盐作为前驱物，溶于乙二醇甲醚中，并加入乙醇胺作为稳定剂，搅拌后形成稳定的溶胶。将溶胶烘干、热处理后得到粉末样品，或者将溶胶以旋涂的方法在预先清洗的Ｓｉ片或其他衬底（石英玻璃，蓝宝石，ＳｉＣ等）上均匀覆涂，烘干、热处理后，得到薄膜样品。溶胶－凝胶法制备材料具有技术简单，低耗费且易于获得大面积薄膜等优点，在制得室温铁磁性ＺｎＯ基稀磁半导体的基础上，成功引入Ｎａ离子得到ｐ型掺杂，使磁性能得到提高，并通过调节Ｎａ离子的浓度控制磁性能。 |
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p型掺杂ZnO基稀磁半导体材料及制备方法
一种ｐ型掺杂ＺｎＯ基稀磁半导体材料，其特征在于分子结构式为Ｚｎ↓［１－ｘ－ｙ］ＴＭ↓［ｙ］Ｎａ↓［ｘ］Ｏ，ＴＭ代表过渡金属元素Ｃｏ、Ｎｉ、Ｍｎ等，ｘ＝０－１０％，ｙ＝０－２０％。
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