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钱眼专利首页 > 用于在基底上施加磁性膜 的专利共 63 条
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1
磁畴数据存储装置及其制造方法　[申请号/专利号：200810002213]
申请人/专利权人：三星电子株式会社
示例性实施例可提供使用磁畴壁移动的数据存储装置及其制造方法，所述数据存储装置包括具有磁化方向可确定的至少两个磁畴的第一磁层和／或形成在第一磁层的下表面上的第二软磁层。即...
2008年7月9日
2
磁阻效应器件、磁层叠结构体及磁层叠结构体的制造方法　[申请号/专利号：200810086892]
申请人/专利权人：富士通株式会社
本发明提供一种磁阻效应器件、磁层叠结构体及磁层叠结构体的制造方法。其中，由ＮｉＦｅＮ制成的底层（２）设置于衬底的主表面之上。由包含Ｉｒ和Ｍｎ的反铁磁材料制成的钉扎层（３...
2008年9月24日
3
p型掺杂ZnO基稀磁半导体材料及制备方法　[申请号/专利号：200710160237]
申请人/专利权人：浙江大学、横店集团东磁股份有限公司
本发明公开了一种ｐ型掺杂ＺｎＯ基稀磁半导体材料及制备方法。材料分子结构式为Ｚｎ↓［１－ｘ－ｙ］ＴＭ↓［ｙ］Ｎａ↓［ｘ］Ｏ，Ｔｍ代表过渡金属元素Ｃｏ、Ｎｉ、Ｍｎ等，ｘ＝０...
2008年5月21日
4
形成光敏性聚酰亚胺图案的方法和具有该图案的电子器件　[申请号/专利号：200510116592]
申请人/专利权人：TDK株式会社
本发明提供了一种在金属导体３２上形成光敏性聚酰亚胺图案３８的方法，包括以这个顺序执行下列（Ａ）到（Ｅ）的步骤：（Ａ）通过在金属导体３２上涂敷酯键型光敏性聚酰亚胺前体组合...
2006年4月5日
5
磁各向异性增强的装置以及相关方法　[申请号/专利号：200810131463]
申请人/专利权人：希捷科技有限公司
一种装置，包括绝热基底、在该绝热基底上的能量吸收层、以及在该能量吸收层上的闪光退火磁性层。闪光退火磁性层可以被配置用于数据存储。一种方法，包括提供绝热基底，在该绝热基底...
2008年11月19日
6
磁阻元件、其制造方法和磁性多层膜制造装置　[申请号/专利号：200810095658]
申请人/专利权人：佳能安内华股份有限公司
本发明公开了一种磁阻元件、其制造方法和磁性多层膜制造装置。所述磁阻元件包括：从包含锰的层形成的反铁磁性层；包含位于反铁磁性层的一侧之上并从包含铁磁性材料和铂族金属的层形...
2008年11月12日
7
N*O掺杂p型Zn***Co*O稀磁半导体薄膜及其制备方法　[申请号/专利号：200810059939]
申请人/专利权人：浙江大学
本发明涉及Ｎ↓［２］Ｏ掺杂生长ｐ型Ｚｎ↓［１－ｘ］Ｃｏ↓［ｘ］Ｏ稀磁半导体薄膜的方法，采用的是脉冲激光沉积法。靶材是由纯ＺｎＯ、Ｃｏ↓［２］Ｏ↓［３］粉末混合烧结的陶瓷...
2008年8月6日
8
形成NiP非磁性膜的方法和使用该膜制造磁头的方法　[申请号/专利号：200510051143]
申请人/专利权人：富士通株式会社
本发明的方法可以容易而安全地形成ＮｉＰ非磁性膜。在通过电解电镀形成ＮｉＰ非磁性膜的方法中，电解电镀在由以下组分构成的ＮｉＰ电镀溶液中进行：提供镍离子的试剂；提供磷离子的...
2006年6月7日
9
用于磁性器件的磁性膜、用于硬盘驱动器的磁头和固态器件　[申请号/专利号：200510097112]
申请人/专利权人：富士通株式会社
本发明提供一种具有大于或等于２．４６特斯拉的高饱和磁化强度的磁性材料。通过在记录头中使用这种磁性材料，可以在记录介质上以更高的密度来记录信息。该磁性材料还可以应用于各种...
2007年2月14日
10
一种氧化锌掺铁稀磁半导体材料的制备方法　[申请号/专利号：200710160238]
申请人/专利权人：浙江大学、横店集团东磁股份有限公司
本发明公开了一种氧化锌掺铁稀磁半导体材料的制备方法。它用乙酸锌、醋酸亚铁作为前驱物，溶于乙二醇甲醚中，并加入乙醇胺作为稳定剂，抗坏血酸作为抗氧化剂，搅拌得到溶胶，将溶胶...
2008年5月21日
11
一种磁性金属及合金一维纳米材料制备方法　[申请号/专利号：200410101397]
申请人/专利权人：北京理工大学
一种磁性金属及合金一维纳米材料制备方法，涉及信息功能材料和生物医用材料。以多孔聚碳酸酯或氧化铝作为模板，调节电沉积液中金属离子浓度，控制沉积溶液ｐＨ和沉积电压，组装金属...
2005年6月1日
12
一种镧系稀土离子掺杂钛酸铋/尖晶石铁氧体铁电铁磁复合薄膜及其制备方法　[申请号/专利号：200710034857]
申请人/专利权人：湘潭大学
本发明涉及一种镧系稀土离子掺杂钛酸铋／尖晶石铁氧体无铅铁电铁磁复合薄膜及其制备方法。先配制镧系稀土离子掺杂钛酸铋铁电体溶液，放置３～７天，再配制尖晶石铁氧体铁磁溶液，然...
2007年12月19日
13
一种用于开关电源模块的无源基板及其制备方法　[申请号/专利号：200710017394]
申请人/专利权人：西安交通大学
本发明公开了一种用于开关电源模块的无源基板及其制备方法，整体分为无源基板层和电路层；无源基板层包括磁芯和相应的上下绕线层，磁芯嵌入在板材中，上下绕线层位于磁芯的上下，上...
2007年8月15日
14
薄膜器件及薄膜电感器　[申请号/专利号：200610143760]
申请人/专利权人：TDK株式会社
本发明提供一种通过确保导电膜的粘着性及磁性膜的磁特性来确保工作性能的薄膜器件。支持体（１）的表面粗糙度（算术平均粗糙度Ｒａ）处于Ｘμｍ≤Ｒａ≤０．１μｍ的范围内。此表面...
2007年5月23日
15
微细磁性元件及其电化学制造方法　[申请号/专利号：200610096724]
申请人/专利权人：南京航空航天大学
本发明涉及一种微细磁性元件及其电化学制造方法，属于电铸制造领域。本发明的微细磁性元件特征在于：具有复合层与强磁性粒子层交替形成的叠层结构，且所述的复合层由金属与强磁性粒...
2007年5月9日
16
微细磁性元件的化学沉积及电化学沉积制造方法和系统　[申请号/专利号：200610085359]
申请人/专利权人：南京航空航天大学
一种微细磁性元件的化学沉积及电化学沉积制造方法和系统，属化学沉积和电铸加工领域。本发明方法及系统的关键之处在于：在现有的微细化学复合沉积或电化学复合沉积制造方法及系统基...
2006年11月15日
17
一种铁电/铁磁两相复合薄膜及其制备方法　[申请号/专利号：200610052569]
申请人/专利权人：浙江大学
本发明公开的铁电／铁磁两相复合薄膜是在Ｓｉ基板上原位生成的铁电相和铁磁相两相复合薄膜，其中铁电相为ＰｂＴｉＯ↓［３］相，铁磁相为ＮｉＦｅ↓［２］Ｏ↓［４］相。其制备方法...
2007年1月3日
18
非晶FeCuNbCrSiB薄膜螺线管微电感器件的制作方法　[申请号/专利号：200610023898]
申请人/专利权人：上海交通大学
一种微电子技术领域的非晶ＦｅＣｕＮｂＣｒＳｉＢ薄膜螺线管微电感器件的制作方法，其制作方法如下：制作双面套刻符号；溅射底层；甩正胶、曝光、显影；电镀底层线圈、连接导体和引...
2006年8月2日
19
基于非晶FeCuNbCrSiB磁性薄膜的螺线管微电感器件的制作方法　[申请号/专利号：200610023896]
申请人/专利权人：上海交通大学
一种微电子技术领域的基于非晶ＦｅＣｕＮｂＣｒＳｉＢ磁性薄膜的螺线管微电感器件的制作方法，方法如下：制作双面套刻符号；溅射底层；甩正胶、曝光、显影；电镀底层线圈、连接导体...
2006年8月2日
20
垂直各向异性铁基软磁薄膜的制备方法　[申请号/专利号：200310109546]
申请人/专利权人：华东师范大学
一种垂直各向异性铁基软磁薄膜的制备方法，属于磁性材料制备技术领域，用射频磁控溅射方法在基片上制备铁基软磁薄膜，完成制备后在适当温度退火，不加外磁场或在垂直于膜面的外磁场...
2004年12月15日
21
非晶态Zn-Fe-O铁磁性半导体材料及其制备方法　[申请号/专利号：200610043855]
申请人/专利权人：山东大学
一种新的非晶态高居里温度的Ｚｎ↓［ｘ］Ｆｅ↓［１－ｘ］Ｏ铁磁性半导体材料及其制备方法。在真空系统中，应用组分交替沉积的办法，获得均匀的无定形的非晶态相，Ｆｅ的原子百分比...
2006年11月8日
22
一种含金属芯的闭合形状的磁性多层膜及其制法和用途　[申请号/专利号：200610011167]
申请人/专利权人：中国科学院物理研究所
本发明涉及一种含金属芯的闭合形状的磁性多层膜，其特征在于：所述的磁性多层膜的横截面呈闭合的矩形环或者椭圆环，其中矩形内环的宽度为１０～１０００００ｎｍ，外环宽度为２０～...
2007年7月18日
23
一种闭合形状的磁性多层膜及其制备方法和用途　[申请号/专利号：200610011166]
申请人/专利权人：中国科学院物理研究所
本发明涉及一种闭合形状的磁性多层膜，其特征在于：所述的磁性多层膜的横截面呈闭合的矩形环或者椭圆环，其中矩形内环的宽度为１０～１０００００ｎｍ，矩形外环的宽度为２０～２０...
2007年7月18日
24
一种环状含金属芯的磁性多层膜及其制备方法和用途　[申请号/专利号：200510135370]
申请人/专利权人：中国科学院物理研究所
本发明涉及一种环状含金属芯的磁性多层膜，其特征在于：所述的磁性多层膜的横截面呈闭合的环状，该圆环的内径为１０～１０００００ｎｍ，外径为２０～２０００００ｎｍ；还包括位于...
2007年7月4日
25
一种环状磁性多层膜及其制备方法和用途　[申请号/专利号：200510135365]
申请人/专利权人：中国科学院物理研究所
本发明涉及一种环状磁性多层膜，其特征在于：所述的磁性多层膜的横截面呈闭合的圆环状，该圆环的内径为１０～１０００００ｎｍ，外径为２０～２０００００ｎｍ。按照形成的材料分类...
2007年7月4日
26
具有磁性层结构的器件的制造方法　[申请号/专利号：200480016087]
申请人/专利权人：皇家飞利浦电子股份有限公司
公开了一种具有磁性层结构的器件的制造方法，该方法包括以下步骤：形成磁性层结构（２）；用电流加热该磁性层结构，其中电流是具有一定持续时间的脉冲（３），从而从该层结构向层结...
2006年8月30日
27
非晶态高掺杂Co*Ti*-*O*铁磁性半导体薄膜的制备方法　[申请号/专利号：200510043640]
申请人/专利权人：山东大学
一种非晶态高掺杂Ｃｏ↓［ｘ］Ｔｉ↓［１－ｘ］Ｏ↓［２］铁磁性半导体薄膜及其制备方法，属于自旋电子材料技术领域。在真空系统中，应用组分交替沉积的办法，获得均匀的无定形的非...
2005年11月16日
28
叠层磁性薄膜及其制造方法　[申请号/专利号：200510097939]
申请人/专利权人：太阳诱电株式会社
本发明利用粒状膜同时实现叠层磁性薄膜的高电阻率化和高频频带中的优良软磁特性。叠层磁性薄膜１０具有在基板１２上使绝缘层１４和粒状层１６交替多次成膜而形成的叠层结构。绝缘层...
2006年3月22日
29
共模滤波器改良结构　[申请号/专利号：200420089266]
申请人/专利权人：西北台庆科技股份有限公司
本实用新型公开了一种共模滤波器的改良结构，其主要将一第一平面导线与第二平面导线以互呈平行直线印刷于下料片，将数组第一导线与第二导线印刷于下料片，由数组绝缘膜面分别盖覆数...
30
Fe*O*/Si纳米多孔阵列复合材料的制备方法　[申请号/专利号：200410090212]
申请人/专利权人：桂林工学院
本发明公开了一种Ｆｅ↓［３］Ｏ↓［４］／Ｓｉ纳米多孔阵列复合材料的制备方法，利用水热法在单晶硅上形成一层结构均匀，硅纳米微晶密度高且在硅纳米微晶表面原位生成一层热稳定性...
2006年5月3日
31
用于磁性装置的磁性膜　[申请号/专利号：200410098212]
申请人/专利权人：富士通株式会社
本发明提供了一种能够被实际应用的磁性装置的磁性膜，该磁性膜具有大于２．４５Ｔ的饱和磁化强度。该磁性膜是一种由铁、钴和钯组成的合金膜。钯的摩尔含量为１－７％，而且该合金膜...
2005年12月14日
32
磁膜结构及其制造方法、半导体器件及其运行方法　[申请号/专利号：200510087878]
申请人/专利权人：三星电子株式会社
本发明涉及磁膜结构及其制造方法、半导体器件及其运行方法。该磁膜结构包括：下磁膜；形成在该下磁膜上的隧穿膜；形成在该隧穿膜上的上磁膜，其中该下和上磁膜是铁磁膜，当该下和上...
2006年3月15日
33
磁性纳米复合薄膜及其溶胶凝胶制备方法　[申请号/专利号：200410067150]
申请人/专利权人：上海交通大学
一种磁性纳米复合薄膜及其溶胶凝胶制备方法，首先分别制得二氧化钛溶胶和钡铁氧体的前驱体溶胶，然后将钡铁氧体的前驱体溶胶和二氧化钛溶胶相混合，制成不同质量配比的稳定的混合溶...
2005年3月2日
34
La1*Pb*MnO*化合物有序纳米线阵列及其制备方法　[申请号/专利号：200410014816]
申请人/专利权人：中国科学技术大学
本发明Ｌａ↓［１－ｘ］Ｐｂ↓［ｘ］ＭｎＯ↓［３］化合物有序纳米线阵列及其制备方法，特征是采用溶胶－凝胶法配制Ｌａ↓［１－ｘ］Ｐｂ↓［ｘ］ＭｎＯ↓［３］的溶胶溶液；采用二...
2005年11月2日
35
柔体磁性材料　[申请号/专利号：200410038082]
申请人/专利权人：洪振宁
一种柔体磁性材料，由柔性材料、磁性粉末材料复合制得。属磁性材料加工技术领域，主要解决现有技术制得的磁性材料均为刚体结构。在需柔性等强磁场应用场合困难的问题。由于柔体磁性...
2005年2月16日
36
一种具有可控磁各向异性的磁性颗粒薄膜及其制备方法　[申请号/专利号：200410009791]
申请人/专利权人：清华大学
一种具有可控磁各向异性的磁性颗粒薄膜及其制备方法，涉及一种在高频通讯芯片中用于集成电感器件的纳米颗粒型磁性薄膜及其制备工艺。本发明使用非连续多层膜交替磁控溅射法，得到玻...
2005年6月29日
37
纳米磁性网络结构薄膜的制作方法　[申请号/专利号：200310122815]
申请人/专利权人：浙江大学
本发明公开了一种纳米磁性网络结构薄膜的制作方法。１）把９９．９９％的铝箔退火；２）退过火的铝箔在草酸中一次氧化；３）清洗；４）二次氧化；５）除去未被氧化的铝；６）清洗；...
2004年12月15日
38
磁阻效应磁头及其制造方法　[申请号/专利号：200310102384]
申请人/专利权人：株式会社日立制作所
本发明涉及磁阻效应磁头及其制造方法。在现有的磁阻效应磁头中，若不将磁畴控制所必须的偏置磁场控制得较大，就不能进行适当的磁畴控制。通过在磁阻效应多层膜的下部形成磁畴控制底...
2004年10月6日
39
铁－钴合金纳米线阵列永磁薄膜材料　[申请号/专利号：03158372]
申请人/专利权人：南京大学
铁－钴合金纳米线阵列永磁薄膜材料，在电化学阳极氧化的氧化铝纳米孔洞模板中电化学沉积的铁钴合金纳米线阵列，铁钴合金纳米线的直径在１０ｎｍ～５０ｎｍ，铁－钴合金的组成为Ｃｏ...
2004年9月15日
40
电感器　[申请号/专利号：200610059893]
申请人/专利权人：胜美达集团株式会社
本发明的目的在于能够将电感器安装于可挠性电路板上，同时能够将该电感器使用于大电流的信号线或电源线上。本发明的电感器，具有通过依次配置耐热性树脂薄膜（１４）、具有可挠性的...
2006年9月27日
41
含有取向的各向异性颗粒的材料、制品和制备方法　[申请号/专利号：03154518]
申请人/专利权人：伊斯曼柯达公司
本发明涉及一种制备取向的各向异性颗粒的方法，包括以下步骤：形成至少一种各向异性颗粒，将这种各向异性颗粒分散在介质中，以及冻干由各向异性颗粒和介质构成的分散体。在另一实施...
2004年3月17日
42
2008年1月23日
43
一种磁性多层膜中实现垂直各向异性的方法　[申请号/专利号：02111172]
申请人/专利权人：复旦大学
本发明是一种用铁磁／反铁磁多层膜中垂直交换偏置产生垂直各向异性的新方法。首先用真空镀膜设备在衬底上制备缓冲层，然后在缓冲层上制备铁磁／反铁磁多层膜，最后在多层膜上覆盖一...
2002年12月18日
44
一种高阻抗大电流型片式磁珠及其制造方法　[申请号/专利号：03139729]
申请人/专利权人：深圳市大唐电子有限公司
一种高阻抗大电流型片式磁珠，包括：电极、铁氧体基材和数条设置在其内互不交错的导线，该数条导线的两端均延伸至铁氧体基材两端与两端的电极并联，其特征在于：所述数条导线分别设...
2004年3月3日
45
Fe-Pt系磁石及其制造方法　[申请号/专利号：02106670]
申请人/专利权人：爱知制钢株式会社
本发明试图提供一种最大磁能积及矫顽力优越，并且，防腐性优越的微小型磁石。本发明的Ｆｅ－Ｐｔ系磁石合金，其特征为，由白金的原子数比为３５～５５％，和从Ⅳａ族的元素、Ⅴａ族...
2002年12月25日
46
产生磁性性能的厚膜组合物　[申请号/专利号：02157447]
申请人/专利权人：E·I·内穆尔杜邦公司
本发明涉及一种磁性厚膜组合物，它包括分散在有机介质中的永磁材料颗粒，所述有机介质包括选自聚氨酯、苯氧基聚合物及其混合物的聚合物和有机溶剂。...
2003年7月2日
47
磁性薄膜及其形成方法、磁性元件以及电感器和磁性元件的制造方法　[申请号/专利号：200510104698]
申请人/专利权人：TDK株式会社
本发明提供具有高共振频率，高频特性优异的磁性薄膜以及高频特性优异的磁性元件以及电感器。在衬底２上设置平面线圈４以及磁性薄膜１，在连接用端子Ｊ１，Ｊ２之间形成电感器。相对...
2006年7月12日
48
一种非铅铁电薄膜的低温制备方法　[申请号/专利号：200510110554]
申请人/专利权人：同济大学
本发明属于制备非铅系的铁电薄膜的制备方法技术领域。本发明所述的非铅铁电薄膜的制备方法是：将涂覆好的薄膜浸渍在９０－３５０℃水热溶液中热处理１０～３０小时，然后溅射上电极...
2007年5月23日
49
R-T-B系永磁铁以及镀膜　[申请号/专利号：200510134110]
申请人/专利权人：TDK株式会社
本发明的目的在于提供一种Ｒ－Ｔ－Ｂ系永磁铁，其具有容易适用于实际的Ｒ－Ｔ－Ｂ系永磁铁的制造、且可以有效地确保硬度的镀膜。本发明通过Ｒ－Ｔ－Ｂ系永磁铁（１）解决上述问题，...
2006年6月28日
50
磁性元件的制造方法　[申请号/专利号：01801954]
申请人/专利权人：皇家菲利浦电子有限公司
为了增加存储介质上的信息密度，写入磁方案的磁迹宽度被作得越来越小。这要求具有适当磁通引导的写入磁头。此专利文件中公开的方法提供了这种磁通引导。该方法包括下列步骤：淀积足...
2002年12月18日
 

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