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1
法拉第系统和包括该法拉第系统的离子注入设备 [申请号/专利号:200610084625]
申请人/专利权人:
三星电子株式会社
公开了一种法拉第系统,其中该法拉第系统包括用于聚集离子束以产生电流的法拉第筒,用于邻近于法拉第筒的入口形成电场,以防止响应于离子束从法拉第筒释放二次电子的抑制电极,以及...
2007年3月28日
韩国
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2
一种离子束传输控制优化方法 [申请号/专利号:200610072967]
申请人/专利权人:
北京中科信电子装备有限公司
本发明公开了一种离子束传输控制优化方法,包括如下步骤:(1)调节偏转电源,使得聚焦杯获得束流极大值;(2)调节Q1电源,使得聚焦杯获得束流极大值;(3)调节Q2电源,使...
2006年11月22日
北京
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3
离子布植机的电子束缚内磁铁 [申请号/专利号:200580045542]
申请人/专利权人:
瓦里安半导体设备公司
本发明揭露一种借由束缚一离子布植机的一磁铁的一磁性区域内的电子,以降低电子损耗且因此改良一低能量射束的输送效率,从而改良邻近该离子布植机的该磁铁的空间电荷中和的方法以及...
2007年12月26日
美国
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4
用于离子束聚焦的系统和方法 [申请号/专利号:200580043440]
申请人/专利权人:
艾克塞利斯技术公司
提供了用于聚焦离子注入器(110)中的被扫描的离子束的系统与方法。一种束聚焦系统(140)被提供,其包含:第一与第二磁体,用以提供对应的磁场,其协同地提供具有时变的聚焦...
2007年11月28日
美国
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5
工件的离子束铣削及其程度的确定和控制 [申请号/专利号:200580036411]
申请人/专利权人:
西拉半导体工程实验室有限公司
用于对工件进行受到引导的经过多次偏转的离子束铣削并确定和控制其程度的方法、装置和系统。提供离子束;并且引导所述提供的离子束并使所述提供的离子束产生至少两次偏转从而形成受...
2007年11月7日
以色
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6
离子注入机中的高效率扫描 [申请号/专利号:01809373]
申请人/专利权人:
瓦里安半导体设备联合公司
离子注入装置包括用来产生离子束的离子束发生器、用来在第一方向上横越工件扫描离子束的扫描器、用来在第二方向上这样平移工件以使离子束分布在工件上的机械平移器、以及用来控制平...
2003年7月9日
美国
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7
电子束描绘装置 [申请号/专利号:200580009184]
申请人/专利权人:
先锋株式会社
本发明提供了一种电子束描绘装置,该装置具有:射束偏转部,其使电子束偏转来使电子束的照射位置变化;同步信号生成部,其生成与基板旋转同步的同步信号;控制器,其在从一个圆的描...
2007年3月21日
日本
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8
扫描偏转装置 [申请号/专利号:200520017093]
申请人/专利权人:
北京中科信电子装备有限公司
本实用新型公开了一种扫描偏转装置,由前板、扫描壳体、两个安装条、安装板、两个斜支撑板、后板、接线块、两个绝缘瓷拄子和斜板组成,其中扫描壳体使整个扫描偏转装置处于真空环境...
北京
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9
X方向可调节的离子源引出装置 [申请号/专利号:200520017082]
申请人/专利权人:
北京中科信电子装备有限公司
一种X方向可调节的离子源引出装置,通过固定法兰(4)固定于离子源三通上,丝杆螺母副(12)穿过齿轮传动副(14)中心并固定,齿轮传动副(14)与直流电机(1)转轴接触,...
北京
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10
电子光学镜筒及其制造方法 [申请号/专利号:03812860]
申请人/专利权人:
株式会社东京大学TLO
本发明提供适于小型化的电子光学镜筒及其制造方法。筒体(1)包含内筒(11)及外筒(12)。筒体整体上以具有高电阻导电性的陶瓷构成。在内筒的内表面(111),利用电镀、蒸...
2005年8月24日
日本
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11
一种电子束的束流引导装置 [申请号/专利号:03137303]
申请人/专利权人:
清华大学、清华同方威视技术股份有限公司
一种电子束的束流引导装置,涉及辐照加工技术领域。它包括电子加速器、真空泵及可弯曲和伸缩的束流软管。其结构特点是,束流软管的两端设有引入窗和引出窗使束流软管封闭。束流软管...
2005年1月19日
北京
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12
偏转加速/减速间隙 [申请号/专利号:200480010693]
申请人/专利权人:
艾克塞利斯技术公司
披露了一种用于使离子束中的离子加速/减速的加速结构和相关方法。所述结构和相关方法适用于在半导体制造过程中将离子选择性地注入工件或晶片内以对所述晶片区域进行选择性掺杂。除...
2006年5月24日
美国
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13
偏转和分裂束的切隔电磁铁、电磁铁、及偏转束的方法 [申请号/专利号:02106911]
申请人/专利权人:
高能加速器研究所
制备一种由其切隔电磁铁划分成一个第一束偏转磁极空间和一个第二束偏转磁极空间的切隔电磁铁。然后,使电流在包括谱电磁铁的线圈中流动,并因而在第一束偏转磁极空间和第二束偏转磁...
2002年10月16日
日本
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14
回转减速浸没式物镜电子光学聚焦、偏转和信号的收集方法 [申请号/专利号:200710002340]
申请人/专利权人:
汉民微测科技股份有限公司
一种回转减速浸没式物简方法,它提供具有大束电流的低电压电子束,相当高的空间分辨率,相当大的扫描范围,和高的信号收集效率。该物镜包括用于在样品附近产生磁场的磁透镜,以把粒...
2007年7月11日
台湾
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15
离子束导件中保含离子束的方法和系统 [申请号/专利号:200480014193]
申请人/专利权人:
艾克塞利斯技术公司
提供一种离子注入系统以及为此的束线组件,其中在离子束导件内提供多尖点(Multicusped)磁场,且该离子束导件被供能,以在一沿该离子束导件通道的前进波内提供微波电场...
2006年6月28日
美国
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16
电子束的束流引导装置 [申请号/专利号:03265294]
申请人/专利权人:
清华大学、清华同方威视技术股份有限公司
电子束的束流引导装置,涉及辐照加工技术领域。它包括电子加速器、真空泵及可弯曲和伸缩的束流软管。其结构特点是,束流软管的两端设有引入窗和引出窗使束流软管封闭。束流软管的引...
北京
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17
控制多微柱中的电子束的方法以及使用所述方法的多微柱 [申请号/专利号:200580020391]
申请人/专利权人:
电子线技术院株式会社
提供了一种控制多微柱中的电子束的方法,其中具有电子发射器、透镜以及偏转器的单元微柱被排列在n×m矩阵中。电压被均等或者不同地施加给各个电子发射器或者吸引器。相同的控制电...
2007年5月30日
韩国
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18
利用电子束作"结构化"的能量传输方法 [申请号/专利号:97180399]
申请人/专利权人:
F·O·B·有限公司(制造彩色光电构成元件公司)
本发明是一种利用电子束的“结构化”能量传输方法,已知有多种方法利用电子束处理材料或改变其性质。迄今无法将微小的表面区域图元在该表面上进行某种排列以达成某些效果。根据本发...
1999年12月29日
联邦
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19
用于屏蔽带电粒子束的设备 [申请号/专利号:200580017795]
申请人/专利权人:
纳米束有限公司
用来屏蔽带电粒子束的设备。射束屏蔽单元(1)包括固定到支撑板(15)的第一和第二屏蔽板(2,3)。阻止器(4)与5第一屏蔽板(2)机械地连接和电连接。...
2007年6月20日
英国
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20
离子注入装置 [申请号/专利号:200580009834]
申请人/专利权人:
株式会社爱发科
本发明的课题是提供能抑制离子束的发散、能进行精细的扫描波形的控制、可得到约10°的大的扫描角的离子注入装置。在离子注入装置中,作成了具备如下的离子束扫描机构(10A)的...
2007年5月9日
日本
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21
在半导体处理中校正晶圆晶体切割误差的方法 [申请号/专利号:200580007997]
申请人/专利权人:
艾克塞利斯技术公司
本发明涉及解决在离子植入系统中的晶体切割误差数据,由此易于更准确的离子植入。本发明的一个或多个方面也考虑可能的遮蔽效应,其可由形成于被掺杂的晶圆表面上的特征而造成。根据...
2007年3月28日
美国
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22
调制离子束电流 [申请号/专利号:200580006020]
申请人/专利权人:
艾克塞利斯技术公司
本发明的目的在于在离子注入系统中调制离子束电流,例如以减轻非均匀的离子注入。披露了用于调制离子束的强度的多种布置。例如,通过偏置离子源下游的一个或多个不同元件可以改变束...
2007年2月28日
美国
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23
带电粒子束装置、控制方法、基板检查方法及半导体器件制造方法 [申请号/专利号:200510002635]
申请人/专利权人:
株式会社东芝
本发明提供一种带电粒子束装置,其具备:生成带电粒子束的带电粒子束发生器;生成使上述带电粒子束在外部的基板上成像的透镜场的投影光学系统;围着上述带电粒子束的光轴地配置的偏...
2005年7月27日
日本
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24
一种带电粒子束柱体部及其导引方法 [申请号/专利号:03817636]
申请人/专利权人:
应用材料股份有限公司、应用材料以色列公司
现提供一种带电粒子束柱体部以及用于将一次带电粒子导引至一样品上的方法。该一次带电粒子束是沿一电子束的初始轴移向一聚焦组件,并通过一电子束成型器以影响该一次带电粒子束的截...
2005年9月21日
美国
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25
对准带电颗粒束列的方法与装置 [申请号/专利号:02822953]
申请人/专利权人:
应用材料以色列有限公司
本发明提供了用于自动对准带电颗粒束与孔的方法。从而,束被偏转向孔的两个边缘。从获得消光所需的信号计算一校正偏转场。进而,提供了用于自动对准带电颗粒束与光轴的方法。从而引...
2005年7月13日
以色
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26
快速改变焦距的系统和方法 [申请号/专利号:02824633]
申请人/专利权人:
应用材料以色列有限公司
一种快速改变带电粒子束焦距的设备和方法,该方法包括步骤:改变控制信号以响应控制信号电压值与带电粒子束焦距之间的关系。...
2005年3月30日
以色
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27
利用离子束注入晶片的方法 [申请号/专利号:01810261]
申请人/专利权人:
普罗泰罗斯公司
提供一种利用离子束均匀注入晶片的方法。晶片(20)一般为具有为圆盘形状并由直径和中心的表面区域的类型。离子束(14)首先形成为入射到晶片上的细长形状,该形状具有沿着第一...
2003年8月27日
美国
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28
用于带电粒子束装置的圆柱腔体 [申请号/专利号:01805431]
申请人/专利权人:
ICT半导体集成电路测试有限公司
本发明提供一种改进的用于带电粒子束装置的圆柱腔体。这个腔体包括偏向器,该偏向器用于在样本表面扫描粒子束、相对于物镜调准粒子束、补偿由物镜所引起的像差。因此,用于偏向器并...
2003年3月19日
联邦
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29
用于离子注入器的高传输,低能量离子束管线装置和方法 [申请号/专利号:00813878]
申请人/专利权人:
瓦里安半导体设备联合公司
离子束装置包括离子源,第一磁铁组件,界定分辨孔的结构,和第二磁铁组件。离子源狭长的排出孔,用来产生带状离子束。第一磁铁组件提供第一磁场,用来偏转垂直于带状离子束横截面的...
2002年10月30日
美国
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30
一种电子束产生和控制装置 [申请号/专利号:200510066314]
申请人/专利权人:
中国科学院物理研究所
本发明公开了一种飞秒电子束产生和控制装置。该装置由激光源、光阴极、阳极、磁透镜、X方向偏转板、Y方向偏转板组成。激光源发出飞秒级超短脉冲紫外激光驱动光阴极,可以产生能量...
2006年10月25日
北京
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