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非易失性存储单元及其制造方法 [申请号/专利号：200410101205]
申请人/专利权人：
旺宏电子股份有限公司
一种非挥发性内存，此内存包括基底、介电层、导体层、隔离层、埋入式位线、穿隧介电层、电荷陷入层、阻挡介电层与字符线。其中，介电层配置于基底上，导体层配置于介电层上，而隔离...
2006年6月21日
台湾
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半导体装置及其制造方法 [申请号/专利号：200410028780]
申请人/专利权人：
松下电器产业株式会社
一种半导体装置及其制造方法，在层间绝缘膜（１２）上，与触点（１３）的上面相接地布图，形成防止氧原子从上方朝触点（１３）扩散的导电性氧阻挡层（１４）。该导电性氧阻挡层（１...
2004年9月29日
日本
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