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发明名称 全文


  具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射,如红外线发射的半导体器件;制造或处理这些半导体器件或其部件所特有的方法或设备;这些半导体器件的零部件(4838)  专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备(4690)  带有绝缘栅的(2952)  利用互连在器件中的分离元件间传输电流(2805)
  引线或其他导电构件的连接,用于工作时向或由器件传导电流(2389)  未在H01L 21/18或H01L 21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜(2353)  由绝缘栅产生场效应的(2112)  薄膜晶体管(1960)
  在制造或处理过程中的测试或测量(1929)  用H01L 21/20至H01L 21/268各组不包含的方法或设备在半导体材料上制造电极的(1840)  制造器件,例如每一个由许多元件组成的集成电路(1829)  冷却装置;加热装置;通风装置或温度补偿装置(1640)
  应用H01L 21/06至H01L 21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的(1441)  用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置,例如引线、接线端装置(1379)  机械处理,例如研磨、抛光、切割(1226)  化学或电处理,例如电解腐蚀(1208)
  其衬底为非半导体的,例如为绝缘体的(1150)  半导体器件或其部件的制造或处理(1126)  图像结构(1103)  由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件(1085)
  半导体材料在基片上的沉积,例如外延生长(1067)  电动编程只读存储器(1031)  衬底不是半导体的,例如绝缘体(1011)  安装架,例如不可拆卸的绝缘衬底(1010)
  由多个单个半导体或其他固态器件组成的组装件(997)  包含制作在半导体本体上的多层导电的和绝缘的结构的外引互连装置的(960)  其衬底为半导体的(939)  用于定位、定向或对准的(921)
  专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备(880)  在半导体材料上形成绝缘层的,例如用于掩膜的或应用光刻技术的;以及这些层的后处理;这些层的材料的选择(872)  封装,例如密封层、涂层(868)  在重复结构中包括有多个独立组件的(846)
  由焊接或黏结结构组成(817)  衬底是采用硅工艺的半导体的(801)  专门适用于光发射的,如有机发光二极管(800)  具有专门适用于光发射的组件,例如使用有机发光二极管的平板显示器(798)
  包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的(775)  为便于冷却或加热对材料或造型的选择,例如散热器(765)  应用气态化合物的还原或分解产生固态凝结物的,即化学沉积(737)  为便于冷却的器件造型(728)
  动态随机存取存储结构的(698)  封装,例如密封层、涂覆物(695)  用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置(693)  包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的(650)
  包含场效应组件的(636)  用于集成电路器件的(624)  改变半导体材料的表面物理特性或形状的,例如腐蚀、抛光、切割(616)  应用H01L 21/06至H01L 21/326中的单一小组都不包含的方法,在器件组装之前制造或处理部件,例如容器(608)
  用于改善半导体材料性能的热处理,例如退火、烧结(594)  由氧化物或玻璃状氧化物或以氧化物为基础的玻璃组成的无机层(535)  绝缘层的刻蚀(520)  互补MIS场效应晶体管(504)
  引线位于绝缘衬底上的(503)  按配置特点进行区分的(503)  用作转换器件的(499)  通过物态改变而冷却的,例如使用热管(493)
  半导体或其他固态器件的零部件(485)  组件间隔离区的制作(484)  包括光电池板或阵列,如太阳电池板或阵列(478)  防静电荷或放电的保护装置,例如法拉第防护屏(470)
  产生离子注入的(463)  介电区(461)  引线框架的(458)  包含在H01L 33/00组类型的器件(445)
  用H01L 21/20至H01L 21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的(433)  非绝缘层的沉积,例如绝缘层上的导电层、电阻层(420)  后处理(419)  由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造(397)
  专门用于制造或处理这种器件或其部件的方法和设备(386)  包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件(375)  专门适用于制造或处理这种器件或其部件的方法或设备(362)  容器;封接(359)
  材料的选择(356)  专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置(353)  包含在H01L 27/00组类型的器件(352)  按材料特点进行区分的(348)
  包括导电层和绝缘层组成的层状结构,例如平面型触头(336)  用于电极的导电材料或绝缘材料的沉积(330)  无电位跃变势垒或表面势垒的,专门适用于整流、放大、振荡或切换的固态器件,例如介电三极管;奥氏效应器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备(330)  使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备(317)
  不通有待整流、放大或切换电流的(317)  带有浮栅的(316)  对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备;其零部件(314)  通过流动液体的(314)
  半导体器件在支架上的安装(306)  动态随机存取存储结构(305)  压电器件或电致伸缩器件(305)  磁场控制的电阻器(303)
  通过流动气体的,例如空气的(298)  用于传送的,例如在不同的工作站之间(297)  把衬底连续地分成多个独立的器件(290)  材料选择(272)
  按其形状区分的;按各半导体区域的形状、相对尺寸或配置区分的(268)  (262)  气体或蒸气的沉积,例如冷凝(258)  等离子腐蚀;活性离子腐蚀(256)
  器件的零部件(255)  陶瓷合成物(247)  包括无电位跃变势垒或表面势垒的用于整流、放大,或切换的固态组件的(247)  用于可拆卸冷却或加热装置的安装或固定装置(245)
  存储器结构(238)  把半导体再细分成分离部分,例如分隔(236)  包含在H01L 27/00至H01L 51/00各组中两个或多个不同大组内的类型的器件,例如构成混合电路的(235)  晶体管(233)
  不包含在H01L 27/00至H01L 47/00和H01L 51/00各组内的并且未包含在任何其他小类的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备(227)  场效应晶体管(227)  专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备(225)  其他组不包含的,用于半导体器件的电结构装置(224)
  无机层(223)  带有电输入与机械输出的(221)  在非重复结构中包括有多个单个组件的(220)  专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器(217)
  有绝缘栅场效应晶体管的组件(216)  静态随机存取存储结构的(216)  只读存储器结构的(213)  液体的沉积,例如,电解沉积(211)
  按材料特点进行区分的(210)  场效应晶体管(205)  二极管(193)  专门适用于制造或处理包含在H01L 39/00组内的器件或其部件的方法或设备(192)
  包含在H01L 27/00至H01L 51/00各组中两个或多个同一大组的不同小组内的类型的器件(192)  加到半导体器件上的标志,例如注册商标、测试图案(191)  为便于冷却的器件材料选择(191)  用H01L 21/36至H01L 21/428各组不包含的方法或设备在半导体材料上制造电极的(188)
  有机层,例如光刻胶(186)  半导体在容器中的安装(184)  电荷耦合图像器件(182)  零部件(179)
  电可编程序(178)  用于支承或夹紧的(177)  专门适用于整流、放大、振荡或切换,并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒,例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器;半导体本体或其电极的零部件(165)  包含有一个不同材料结点的热电器件,即显示出具有或不具有其他热电效应或其他热磁效应的Seebeck效应或Peltier 效应的热电器件;专门适用于制造或处理这些热电器件或其部件的方法或设备;这些热电器件的零部件(165)
  带有电荷捕获栅绝缘体,例如MNOS存储晶体管(160)  应用电磁辐射的,例如激光辐射(159)  包含在H01L 29/00组类型的器件(152)  具有可适用互连装置的(152)
  只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件(150)  与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的(150)  封装的或有外壳的(149)  金属绝缘体半导体电极(147)
  由氮化物组成的无机层(147)  包含在H01L 33/00组类型的器件(146)  和H01L 41/087优先于H01L 41/09至H01L 41/113各组。(140)  不具有单独容器的器件(137)
  受场效应控制的(135)  防过电流或过电负荷保护装置,例如熔丝、分路器(132)  与其相关的绝缘材料(131)  只读存储器结构(130)
  杂质材料的扩散,例如在半导体或半导体的交界区掺入或析出掺杂材料,电极材料;杂质材料的再分配,例如,不引入或去除过多的掺杂剂(130)  按其材料或它的电性能区分的(129)  专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备(129)  具有冷却、反光或集光装置的(125)
  特点在于至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的,例如光敏晶体管(125)  由在一共用基片内或其上形成的多个固态组元组成的器件的组装;集成电路器件的组装(125)  制作在绝缘衬底上或内的多个半导体芯片间的互连结构(123)  应用物理沉积的,例如真空沉积,溅射(122)
  单极器件(122)  按部件间,例如在容器的帽盖和基座之间或在容器的引线和器壁之间的封接的材料或配置的特点进行区分的(121)  互补场效应晶体管,例如CMOS(118)  MIS工艺(118)
  应用掩膜的(114)  晶闸管型器件,如具有四区再生作用的(112)  双极结型晶体管(112)  专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备(111)
  由不可拆卸地施加到半导体本体上的内引线组成的(107)  防辐射保护装置,例如光(107)  改善其内部性能的,例如产生内部缺陷(106)  按其电极特征区分的(106)
  应用电—磁或者类似磁效应的器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备(103)  异质结晶体管(99)  用于支承处于工作中的完整器件的支座,即可拆卸的夹紧装置(98)  互连结构的布置(97)
  包括1个或两个电极的器件,例如二极管(96)  后处理(94)  肖特基二极管(92)  只包括有一种半导体组件的(88)
  包括使用有机材料作为有源部分,或使用有机材料与其他材料的组合作为有源部分的组件(87)  按外形区分的(86)  其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器(85)  通过所施加的机械力,如压力的变化可控的(84)
  对该层进行物理的或化学的腐蚀,例如由预沉积的外延层产生一个形成图形的层(84)  包括运用机械振动的,例如超声振动(84)  包含有用流动流体传导热的(83)  使用机械装置的,例如卡盘、夹具或夹子(82)
  按其晶体结构区分的,例如多晶的、立方体的、晶面特殊取向的(81)  陶瓷合成物器件(81)  按构成器件的电池或热电偶的结构或排列区分的(80)  以其形状、相对尺寸或位置为特征的(80)
  有电位跃变势垒或表面势垒的电容器(80)  容器;封装(80)  专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制(79)  按形状特点进行区分的(79)
  包括有利用电—磁效应的组件的,例如霍尔效应;应用类似磁场效应的(79)  晶体管型器件,如连续响应于所施加的控制信号的(78)  特点在于至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的(78)  用于压电器件或电致伸缩器件的(77)
  一般压电器件;一般电致伸缩器件;一般磁致伸缩器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备;这些器件的零部件(76)  具有连接到1个不通有待整流、放大或切换的电流的电极上去的半导体区域的;并且这样的电极又是包含3个或更多个电极的半导体器件的组成部分的(74)  阻抗装置(74)  通有待整流、放大或切换电流的(73)
  压电器件的或电致伸缩器件的(72)  专门适用于制造或处理这种器件或其部件的方法或设备(72)  应用气态化合物的还原或分解产生固态凝结物的,即化学沉积(72)  器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体,如掺杂材料(70)
  按其半导体本体的特征区分的(70)  金属—绝缘体—半导体,例如MOS(70)  由辐射控制的器件(69)  以形成材料为特征的(66)
  应用Peltier效应的冷却装置(65)  使用专用的载体的(65)  电极(64)  以材料为特征的(62)
  带有二维载流子气沟道的,如HEMT(62)  应用液体沉积的(60)  制造双极型器件,例如二极管、晶体管、晶闸管的台阶式工艺(60)  包括运用压力的,例如热压黏结(59)
  包含双极型组件的(59)  对红外、可见或紫外辐射敏感的器件(59)  包括使用热能的装置的,例如混合系统或辅助电能源(59)  器件的零部件(59)
  带有电输入与电输出的(58)  高频匹配器(58)  不具有不同材料结点的热电器件;热磁器件,例如应用Nernst-Ettinghausen效应的;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备(57)  只是PIN型势垒的(56)
  由PN结或其他整流结栅产生场效应的(56)  按杂质的浓度或分布特征区分的(56)  按其构成材料的特征区分的(56)  用于改善半导体材料性能的热处理,例如退火、烧结(56)
  应用掩膜的(55)  具有连接到1个通有待整流、放大或切换的电流的电极上去的半导体区域的;并且这样的电极又是包含3个或更多个电极的半导体器件的组成部分的(55)  电极(54)  与该器件有关的光学元件或设备(53)
  材料的选择(52)  在半导体材料上形成绝缘层的,例如,用于掩膜的或应用光刻技术的以及这些层的后处理(52)  至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件,例如PN结、耗尽层、载体集结层(51)  改变半导体材料的表面物理特性或形状的,例如腐蚀、抛光、切割(50)
  材料的选择(49)  带有肖特基栅的(49)  在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理(48)  陶瓷或玻璃衬底(45)
  静态随机存取 存 储 结 构(45)  半导体材料在基片上的沉积,例如外延生长(44)  带有肖特基栅的(43)  只包含双极型的组件(43)
  按半导体器件的类型区分的(43)  冷却、加热、通风或温度补偿设备(43)  以特殊互连装置为特征的(42)  为PIN型势垒的(42)
  双极器件(42)  具有单独容器的器件(42)  产生离子注入的(42)  为便于加热或冷却在容器里选择或配置的填料或辅助构件(39)
  薄膜或厚膜器件(39)  只利用Peltier或Seebeck效应进行工作的(38)  类似线状的(38)  液体的沉积,例如电解沉积(38)
  在容器中填料,例如气体填料(38)  用波或粒子辐射轰击的(37)  按在结点处进行热交换的方法区分的(37)  带有机械输入与电输出的(37)
  应用超导电性的或高导电性的器件,专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备(36)  对红外、可见或紫外辐射敏感的器件(36)  除掺杂或其他杂质外,只包含未列入H01L 31/0272至H01L 31/0312各组的化合物(36)  包括无机层的(36)
  场效应工艺(36)  基板的制备(34)  晶闸管(34)  用于磁致伸缩器件的(34)
  包含有一个不同材料结点的器件,例如约瑟夫逊效应器件(33)  只是金属—绝缘体—半导体型势垒的(33)  只是PN单质结型势垒的(33)  包含非晶半导体材料的器件及器件的部件(33)
  化学或电处理,例如电解腐蚀(33)  杂质材料与半导体的合金(32)  只包含场效应的组件(32)  能量转换器件(32)
  以其晶体结构或以结晶面的特殊取向为特征的(32)  材料的选择(32)  安装架、支架、封装或外壳(31)  应用从气相向固体或从固体向气相的扩散法(31)
  带有PN结栅的(31)  应用物理沉积,例如真空沉积、溅射(31)  应用从固相向固体或从固体向固相的扩散法,例如掺杂氧化层(30)  所有包含在H01L 27/00至H01L 51/00各组中同一小组内的相同类型的器件,例如整流二极管的组装件(30)
  霍尔效应器件(30)  为导体—绝缘体—半导体型的,如金属—绝缘体—半导体场效应晶体管(30)  纵向晶体管(30)  除掺杂材料或其他杂质外,只包括包含在H01L 29/16,H01L 29/18,H01L 29/20,H01L 29/22各组中的无机半导体材料的(30)
  欧姆电极(30)  以场效应工作为特征的,如MIS型探测器(29)  包含在H01L 29/00组类型的器件(29)  只是PN异质结型势垒的(28)
  肖特基势垒电极(28)  特殊表面结构(28)  齐纳二极管(28)  可收缩的或可折叠的(26)
  用H01L 21/36至H01L 21/428各组不包含的方法或设备处理半导体材料的(26)  包含对水分或其他有害物质有吸收作用或起反应的材料的(25)  以雪崩模式工作的势垒,如雪崩光二极管(25)  通过施加于器件的磁场变化可控的(25)
  磁致伸缩器件(24)  零部件(24)  利用介电常数的热变化的,例如在居里点以上或以下工作的(24)  零部件(23)
  应用无机合成物的(23)  应用液体沉积的(23)  限定在组H01L 21/70中的器件的特殊部件的制造(22)  按辅助构件的形状进行区分的,例如活塞(22)
  母片集成电路(22)  包含有碲或硒或硫的(22)  为PN单质结型势垒的(22)  带有PN结栅的(22)
  只能通过对一个或多个通有待整流,放大、振荡或切换的电流的电极供给电流的变化或施加电位的变化方可进行控制的(21)  电容量可变的二极管,例如变容二极管(21)  在该器件的常态工作温度下为固态或凝胶状的(21)  杂质高度集中的埋层的制作,例如集电极埋层、内部连接线(21)
  按容器的材料或其电性能区分的(20)  优先于H01L 29/16至H01L 29/26各组。(20)  涂层(20)  以其形状或以多个半导体区域的形状、相关尺寸或配置为特征的(19)
  不可拆开的,例如胶结的、烧结的、焊接的(19)  有肖特基势垒栅极场效应晶体管的组件(19)  包括内部互连的,例如穿交结构(19)  制造单极型器件的台阶式工艺(19)
  应用掩膜的(19)  其材料是电绝缘体的,例如玻璃(18)  容器中的填充料或辅助构件,例如定心环(18)  器件的零部件(18)
  双向型器,如双向三端晶闸管(18)  只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的(18)  隧道效层二极管(17)  以材料为特征的(17)
  包含硼、碳、氧或氮的化合物的(17)  在超导电和正常导电状态之间可切换的器件(17)  基片或平板的(17)  按材料,它的物理或化学性能,或者在其完整器件内以它的配置为特点进行区分的填充料(16)
  PN结(16)  对很短波长,如X射线、γ射线或微粒子辐射敏感的器件(16)  横向晶体管(16)  除掺杂材料或其他杂质外,只包括AⅡBⅥ化合物的(15)
  仅以一个势垒或面垒为特征的(15)  包含有砷或锑或铋的(15)  双极工艺(15)  用于电极的导电材料或绝缘材料的沉积(15)
  除掺杂材料或其他杂质外,只包括AⅢBⅤ化合物的(15)  包括有压电组件的;包括有电致伸缩组件的;包括有磁致伸缩组件的(14)  中空容器,并有用于半导体本体安装架的绝缘基座(14)  双极和MOS工艺(14)
  由氧化物或玻璃状氧化物或以氧化物为基础的玻璃组成的无机层(14)  有机层,例如光刻胶(14)  空气隙(14)  以至少3个势垒为特征的,如光敏晶体闸流管(14)
  为肖特基型势垒的(14)  无机材料(14)  栅极关断型器件(14)  PIN二极管(14)
  具有由绝缘栅产生的场效层的(13)  由对辐射敏感的半导体器件控制的单光源或多光源,例如图像变换器、图像放大器、图像存储器件(13)  永久超导体器件(13)  应用有机合成物的(13)
  衬底是非半导体的,例如绝缘体(13)  非绝缘层的沉积,例如绝缘层上的导电层、电阻层;这些层的后处理(13)  中空容器,并有用于半导体本体的引线以及作为安装架的导电基座(13)  在不同半导体区域中的(13)
  具有专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射的器件;具有专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的组件(13)  多晶硅半导体区(12)  只包含有金属的(12)  除掺杂或其他杂质外,只包含周期表第Ⅳ族元素的(12)
  带有一维载流子气沟道的,如量子线FET(12)  以包含在H01L 29/04,H01L 29/06,H01L 29/12,H01L 29/30,H01L 29/36各组中两组或更多个组所给出的特征的组合为特点进行区分的(12)  由场效应关断的(11)  由单光源或多光源控制的对辐射敏感的半导体器件(11)
  为PN异质结型势垒的(11)  应用掩膜的(11)  具有H01L 21/06,H01L 21/16及H01L 21/18各组不包含的或有或无杂质,例如掺杂材料的半导体的器件(11)  电解腐蚀(11)
  电流或电场的应用,例如用于电铸成型的(11)  完全浸入流体而不是空气中的完整器件(11)  另一引线由平行于基板的盖板形成,例如夹层型(10)  除掺杂材料或其他杂质外,只包括以游离态存在的周期系中第Ⅳ族元素的(10)
  应用从液相向固体或从固体向液相的扩散法,例如合金扩散工艺方法(10)  气体或蒸气的沉积,例如冷凝(10)  非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理(10)  结点的结构零部件;引线的连接(10)
  除掺杂或其他杂质外,包含已列入H01L 31/0272至H01L 31/032组中两组或更多个组的半导体材料(9)  电荷转移器件(9)  形成同轴电缆的(9)  体负阻效应器件,例如耿氏效应器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备(9)
  用于霍尔效应器件的(9)  零部件(9)  机械处理,例如研磨、超声处理(9)  带有高能辐射的(9)
  电荷传送器件(9)  绝缘层的掺杂(9)  与薄膜或厚膜无源组件相组合的(9)  有源区共用的组件(9)
  绝缘体是蓝宝石的,例如在蓝宝石上生长硅的结构,即SOS(9)  杂质材料的扩散,例如在半导体或半导体的交界区掺入或析出掺杂材料、电极材料(8)  结点引出线材料的选择(8)  在不同半导体区域中的(8)
  除掺杂或其他杂质外,只包含AⅢBⅤ化合物的(8)  以其半导体本体为特征的(8)  在光吸收处,由集光体,如由发光材料,再发射不同波长的光(8)  包含已列入H01L 31/062至H01L 31/075组中两组或更多组的势垒(7)
  除掺杂或其他杂质外,只包含AⅡBⅥ化合物,如CdS、ZnS、HgCdTe(7)  以场效应工作为特征的,如结型场效应光敏晶体管(7)  以两个势垒或面垒为特征的,如双极光晶体管(7)  按物理缺陷的特征区分的;具有光泽表面或粗糙表面的(7)
  缺陷在半导体体内的(7)  引线的连接(7)  零部件(7)  无机层(7)
  应用掩膜的(7)  制造多个器件,每一个由单个电路元件组成(7)  存储器结构(7)  器件中的半导体所含有的硒或碲以游离态存在,而不是其他材料在半导体中的杂质(7)
  引线经过基座的(7)  包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的(7)  包含在H01L 29/16组中的两种或更多种元素的(7)  包括两种或更多种化合物的(7)
  包括有呈现超导电性的组件的(6)  衬底是半导体的,采用H01L 21/822,H01L 21/8252,H01L 21/8254或H01L 21/8256包含工艺的组合(6)  包括3个或更多电极的器件(6)  层的掺杂(6)
  除掺杂材料或其他杂质外,包括有包含在H01L 29/16,H01L 29/18,H01L 29/20,H01L 29/22,H01L 29/24各组中两组或更多个组内的元素的(6)  电荷耦合器件(6)  晶体闸流二极管,如肖克莱二极管、穿通二极管(6)  包含在多于一个小组H01L 29/68,H01L 29/82,H01L 29/84或H01L 29/86中的类型的(6)
  以掺杂材料为特征的(6)  包含沉积在金属或绝缘体衬底上的薄膜(6)  在一个公共衬底之内或之上形成的(5)  容器;安装架(5)
  霍尔效应器件的(5)  分立绝缘层的制备,即非生长阻挡层(5)  用辐射轰击的(5)  其他引线垂直于基座的(5)
  在该器件的常态工作温度下为气态(5)  进一步按掺杂材料的特征区分的(5)  防α射线的(4)  双极和场效应工艺的结合(4)
  杂质材料,例如掺杂材料,电极材料与半导体的合金(4)  应用电磁辐射的,例如激光辐射(4)  应用从气相向固体或从固体向气相的扩散法(4)  应用从固相向固体或从固体向固相的扩散法,例如掺杂氧化层(4)
  后处理(4)  衬底为半导体的(4)  高分子合成物器件(4)  磁致伸缩器件的(4)
  对辐射敏感的光源或器件,均为以至少一个势垒或面垒为特征的半导体器件(4)  包含非晶半导体的(4)  在不同半导体区域的,如Cu2X/CdX异质结,X为周期表中的Ⅵ族元素(3)  只是肖特基型势垒的(3)
  对辐射敏感的光源和器件,均为以至少一个势垒或面垒为特征的半导体器件(3)  体效应辐射探测器型的,如Ge-Li补偿PINγ射线探测器(3)  进一步按掺杂材料的特征区分的(3)  由场效应关断的(3)
  冷子管(3)  功率冷子管(3)  应用连续或不连续改变材料内部成分的(3)  高分子合成物(3)
  用场效应的(3)  在不同半导体区域中的(3)  包括有体负阻效应组件的(2)  有PN结栅极场效应晶体管的组件(2)
  引线平行于基座的(2)  其他引线具有穿过基座的绝缘通道(2)  其他引线平行于基座的(2)  由垂直和横向晶体管组合构成(2)
  包括有运用压力的,例如热压黏结(2)  把硒或碲加到基板后,在硒或碲的裸露面上加电极(2)  硒或碲的预处理及其在基板上的应用,或其组合的后继处理(2)  以元件的外形为特征的(2)
  缺陷在半导体表面的(2)  包括两种或更多种化合物的(1)  渡越时间二极管,如IMPATT、TRAPATT二极管(1)  面垒或浅PN结型的,如面垒α粒子探测器(1)
  可拆开的,例如应用一个弹簧的(1)  只是带宽渐变型势垒的(1)  包含多晶半导体的(1)  除掺杂或其他杂质外,只包含AⅣBⅣ化合物的,如SiC(1)
  以电流通路为特征的(1)  利用导磁率的热变化的,例如在居里点以上或以下工作的(1)  耿氏效应器件(1)  完整器件的处理,例如用电铸加工形成势垒(1)
  老化(1)  硒或碲转换为导电层后的表面处理(1)  包括有运用机械振动的,例如超声振动(1)  电流或电场的应用,例如用于电铸成型的(1)
  应用从液相向固体或从固体向液相的扩散法,例如合金扩散工艺方法(1)  应用掩膜的(1)  由合并晶体管逻辑和集成注入逻辑构成(1)  互补器件,例如互补晶体管(1)
  无跃变势垒或表面势垒的器件(1)  在该器件的常态工作温度下为液态的(1)  衬底是半导体的,采用Ⅲ-Ⅴ族工艺(1)  进一步按掺杂材料的特征区分的(1)
 
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