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1
一种注入效率可控的门极换流晶闸管IEC-GCT的设计方法　[申请号/专利号：200710017568]
申请人/专利权人：西安理工大学
本发明公开的一种注入效率可控的门极换流晶闸管的设计方法，以ＳＡ－ＧＴＯ的结构为基础，其特点是在ＳＡ－ＧＴＯ的阳极欧姆接触处附加有氧化层，使ｎ↑［＋］短路区成为一个浮置区...
2007年10月3日
2
晶闸管、专用于制造晶闸管的芯片及其制造方法　[申请号/专利号：200410065393]
申请人/专利权人：安徽省祁门县黄山电器有限责任公司
本发明公开了晶闸管、专用于制造晶闸管的芯片及其制造方法，晶闸管由外壳、芯片、引出线几部分组成，芯片包括长基区Ｎ、短基区Ｐ、隔离墙，Ｎ↑［＋］区，Ｐ↑［＋］区，槽型钝化台...
2006年6月7日
3
提高双向小晶闸管Ⅲ象限触发灵敏度的工艺方法　[申请号/专利号：200810019655]
申请人/专利权人：启东吉莱电子有限公司
本发明涉及一种提高双向小晶闸管Ⅲ象限触发灵敏度的工艺方法，通过改进现有双向晶闸管的生产工艺，使晶闸管触发电流与Ｖ↓［ＤＲＭ、ＲＲＭ］更接近，从而提高双向小晶闸管Ⅲ象限触...
2008年8月6日
4
一种大功率双向晶闸管的生产方法　[申请号/专利号：200710020320]
申请人/专利权人：江苏威斯特整流器有限公司
一种大功率双向晶闸管的生产方法，其主要工艺步骤为：硅片超砂、硼铝乳胶源扩散、化抛、机抛、氧化、光刻、三氯氧磷扩散、烧结、反刻、合金、表面磨角、腐蚀、保护。本发明（１）采...
2007年11月7日
5
半导体元件及其制造方法　[申请号/专利号：99115996]
申请人/专利权人：ABB瑞士控股有限公司
一种制造半导体元件（６）的方法，所述元件包括处于相对较厚的原料晶片（１）上的一个阴极（３）和一个阳极（５），作为第一步，先在阳极一侧制出一个截止区（２１）。然后对阴极一...
2000年7月12日
6
闸流晶体管及其制造方法　[申请号/专利号：200610149386]
申请人/专利权人：半导体元件工业有限责任公司
一种闸流晶体管和一种用于制造闸流晶体管的方法，该闸流晶体管包括：栅极区，其从一主表面延伸到半导体衬底中；和阳极区，其从第二主表面延伸到半导体衬底中。阴极区延伸到栅极区的...
2007年6月27日
7
闸流晶体管及其制造方法　[申请号/专利号：200610149385]
申请人/专利权人：半导体元件工业有限责任公司
一种闸流晶体管和用于制造该闸流晶体管的方法，该方法包括：提供半导体衬底，该半导体衬底具有第一和第二主表面。在半导体衬底中形成第一掺杂区，其中该第一掺杂区自第一主表面延伸...
2007年6月27日
8
Ⅲ族元素两次扩散提高大功率晶闸管阻断伏安特性的方法　[申请号/专利号：200610048001]
申请人/专利权人：鞍山市华辰电力器件有限公司
本发明涉及大功率电力半导体器件晶闸管生产工艺领域，尤其涉及一种Ⅲ族元素两次扩散提高大功率晶闸管阻断伏安特性的方法。该方法包括超砂、清洗硅片、清洗石英闭管源瓶、一次扩散、...
2007年3月21日
9
一种用于门极可关断晶闸管离子注入扩散工艺方法　[申请号/专利号：200610031478]
申请人/专利权人：株洲南车时代电气股份有限公司
一种用于门极可关断晶闸管离子注入扩散工艺方法，采用离子注入扩散技术，在门极可关断晶闸管（ＧＴＯ）制作中芯片阴极面的杂质分布中，要求交界（标２０ｕｍ处）的ＰＮ结电压设计值...
2006年12月6日
10
一种晶闸管门极与阴极隔离的制造方法　[申请号/专利号：200610031192]
申请人/专利权人：株洲南车时代电气股份有限公司
本发明公开了一种晶闸管门极与阴极隔离的制造方法，包括晶闸管的芯片准备（１）、测试（１２）和封装（１４），在测试（１２）之前进行的步骤是，掩膜挡片和封装垫片制作（２），掩...
2006年9月6日
11
低电容过压保护器件及其生产工艺　[申请号/专利号：200610027005]
申请人/专利权人：上海维安热电材料股份有限公司
一种涉及防雷系统中的低电容过压保护的半导体器件，尤指一种主要在高频领域应用的，其电容要求在３０ｐＦ以下的低电容过压保护器件及其生产工艺。该装置由发射结、集电结、引脚及引...
2006年10月25日
12
使用沉陷沟槽具有顶部漏极的半导体功率器件　[申请号/专利号：200580024408]
申请人/专利权人：飞兆半导体公司
一种半导体功率器件，包括：第一导电型基板；第一导电型外延层，该外延层位于基板上方并与基板相接触。第一沟槽延伸到并终止于外延层内。沉陷沟槽从外延层的顶表面延伸穿过外延层并...
2007年12月26日
13
门极换流晶闸管GCT的门-阴极结构设计方法　[申请号/专利号：200510096016]
申请人/专利权人：西安理工大学
本发明公开了一种门极换流晶闸管ＧＣＴ的门－阴极结构设计方法，该方法包括，首先确定ＧＣＴ的门－阴极横向尺寸，确定梯形阴极单元图形尺寸和单元外围尺寸，再确定梯形阴极单元的个...
2006年3月22日
14
半导体元件及其制造方法　[申请号/专利号：200510073526]
申请人/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
本发明提供一种半导体元件及其制造方法，具体涉及一种降低硅之中的应力以助于在硅上方形成硅化镍的方法。该方法包括：应力补偿的源／漏区离子布植制程、于非晶硅层上形成一硅化物的...
2006年1月4日
15
一种大功率晶闸管管芯的制备方法　[申请号/专利号：200410049712]
申请人/专利权人：沈首良
本发明涉及一种大功率晶闸管管芯的制备方法，属于半导体器件制造技术领域。该方法首先将硅片、含硅铝箔和钼片按设计厚度依次装入模具中，将模具放进烧结炉中，抽真空至２×１０↑［...
2005年3月16日
16
高开关速度的功率器件及其制备方法　[申请号/专利号：03826494]
申请人/专利权人：ST微电子公司
一种由在第一和第二导电端子（Ａ、Ｓ）之间串联的半导体闸流管（２５）和ＭＯＳＦＥＴ晶体管（２６）形成的功率器件（１）。该功率器件（１）还具有连接到ＭＯＳＦＥＴ晶体管（２６...
2006年5月24日
17
无外延衬底中隔离的互补金属氧化物硅器件　[申请号/专利号：03823803]
申请人/专利权人：先进模拟科技公司
通过向不包括外延层的半导体衬底中注入掺杂剂形成用于电隔离半导体器件的结构。继注入之后，该结构遭受非常有限的热预算，因此掺杂剂不会显著地扩散。结果，该隔离结构的尺寸是有限...
2005年10月26日
18
制备纳米多孔薄膜的方法　[申请号/专利号：03806009]
申请人/专利权人：陶氏环球技术公司
申请人发现，当活性纳米粒子与单体母体化合形成有机基体材料时，特别是聚亚芳基或聚亚芳醚基体材料，选择用作多孔试剂的活性纳米粒子的对获得非常小的孔径是有效的。...
2005年7月20日
19
具有低导通电阻的高电压功率MOSFET　[申请号/专利号：03804389]
申请人/专利权人：通用半导体公司
提供一种功率ＭＯＳＦＥＴ，该ＭＯＳＦＥＴ包括第一导电类型的衬底（２）。在衬底（２）上淀积也是第一导电类型的外延层（１）。在外延层（１）中设置第一和第二体区（５，６）并限...
2005年11月23日
20
半导体衬底及其制造方法，以及半导体器件及其制造方法　[申请号/专利号：03138159]
申请人/专利权人：三菱电机株式会社
本发明的课题是，获得能够保持双向耐压，并且可靠性高的半导体器件及其制造方法，以及半导体衬底及其制造方法。Ｎ＃＋［－］型硅衬底１具有互相相向的底面和上表面。借助于Ｐ型杂质...
2004年3月31日
21
含有掺杂柱的高压功率MOSFET　[申请号/专利号：02826545]
申请人/专利权人：通用半导体公司
一种功率半导体器件，包括第一导电类型的衬底（５０２）以及随后设置在衬底上的电压维持区。电压维持区包括具有第一导电类型的外延层（５０１）和位于外延层中的至少一个沟槽（５２...
2005年4月27日
22
具有气体吸附材料综合沉积物的用于制造微电子、微光电子或微机械设备的载体　[申请号/专利号：02812070]
申请人/专利权人：工程吸气公司
本发明以不同的实施例说明了一种支架（１０；２０），其用于制造需要气体吸附材料来保证正确工作的微电子、微光电或微机械器件，该支架包括机械支撑基座（１１；２１）、基座上的气...
2005年5月25日
23
闸流体的制作方法　[申请号/专利号：02142882]
申请人/专利权人：联华电子股份有限公司
一种制作闸流体（ｔｈｙｒｉｓｔｏｒ）的方法，本发明是先提供一半导体基底，且该半导体基底表面至少包含有一主动区域（ａｃｔｉｖｅ　ａｒｅａ）以及一环绕该主动区域的浅沟隔离（...
2003年6月11日
24
可关断半导体器件　[申请号/专利号：95101648]
申请人/专利权人：ABB瑞士控股有限公司
一种用片状半导体制成的可关断半导体器件，该半导体器件ａ）至少具有一个ＧＴＯ－晶闸管－单元或者ＧＴＯ－晶闸管（ＧＴＯ），它至少具有一个阳极单元或者一个阳极（Ａ），至少一个...
1995年11月1日
25
一种静电感应晶闸管的制造方法及其器件　[申请号/专利号：92110673]
申请人/专利权人：朱文有
本发明涉及一种静电感应晶闸管的制造方法及其器件，方法是在扩有栅区的单晶片上进行氧化之后，将除了栅墙以外的栅区和阴极区一起刻成阴极扩散区的窗口后进行大面积的阴极扩散，将金...
1993年6月30日
26
带有自对准单元的MOS栅极器件及其制造方法　[申请号/专利号：97114151]
申请人/专利权人：国际整流器公司
利用一种不需任何严格对准的情况下形成自对准器件单元的方法形成的ＭＯＳ栅极功率半导体器件。采用侧壁间隔作掩模腐蚀硅中的凹陷，以减少严格对准步骤数。随意选择形成的金属连接多...
1998年6月10日
27
一种光控双向晶闸管的设计　[申请号/专利号：91104568]
申请人/专利权人：吉林大学
本发明是对光控双向晶闸管的设计。设计了一种新的锥形槽状光敏门极结构，在器件的两个晶闸管内均采用了带短路点的放大门极结构，在放大门极部位采用了槽状结构，两个晶闸管的阴极图...
1992年6月24日
28
低功耗半导体功率开关器件及其制造方法　[申请号/专利号：00135808]
申请人/专利权人：北京工业大学
一种低功耗半导体功率开关器件及其制造方法，提供低功耗的耐压在２ＫＶ以内的ＩＧＢＴ、ＭＣＴ和晶闸管。特征是，离子注入形成的超薄、低杂质浓度的背ｐ↑［＋］发射区与包含单侧残...
2001年5月23日
29
具有有机抗反射涂层(ARC)的半导体器件及其制造方法　[申请号/专利号：200480017389]
申请人/专利权人：飞思卡尔半导体公司
在制造半导体器件过程中，要被刻蚀的位于导体层（１６）上的构图叠层具有用于构图其下面的四乙基原硅酸盐（ＴＥＯＳ）层（２０）的构图抗蚀剂层（２２）。在较传统温度低的温度下沉...
2006年7月26日
30
功率半导体器件及其制造方法　[申请号/专利号：97111663]
申请人/专利权人：快捷韩国半导体有限公司
一种功率半导体器件，该器件具有形成于阱中源区之间的第一导电类型重掺杂半导体材料的欧姆接触区、形成于阱区中各源区下的扩散层，该扩散层的掺杂量轻于欧姆接触区，重于阱。形成器...
1997年11月12日
31
高压晶闸管的生产工艺　[申请号/专利号：200410012508]
申请人/专利权人：中国北车集团永济电机厂
本发明涉及晶闸管的生产工艺，具体为一种高压晶闸管的生产工艺。包含在Ｎ型半导体表面进行杂质扩散，以形成Ｐ型层，第一次先在Ｎ型硅片上进行扩铝，扩散后铝的表面毫伏数３０－４０...
2005年3月23日
32
用于穿通非外延型绝缘栅双极型晶体管的缓冲区的氢注入　[申请号/专利号：01811704]
申请人/专利权人：国际整流器公司
使用氢注入在晶片的底部形成Ｎ＃＋［＋］缓冲层（３０），在薄（小于２５０微米厚）漂浮区硅晶片（２０）中形成ＩＧＢＴ。在晶片的底部形成弱阳极（２０）。单次氢注入或渐浅深度和...
2003年8月27日
33
一种小功率晶闸管的结构及其制造工艺　[申请号/专利号：99105442]
申请人/专利权人：赵振华
本发明是关于一种小功率晶闸管的结构及其制造工艺，其特征是用Ｎ型硅片，采用新型涂源、深硼预扩和深硼再扩等平面工艺。使该管芯片上的长基区宽度及隔离墙深度增加，从而提高了该产...
1999年11月17日
34
一种双向晶闸管的门极结构　[申请号/专利号：91217587]
申请人/专利权人：吉林大学
本实用新型是一种新型的双向晶闸管的门极结构，这种门极结构是在原发明的马蹄状门极区Ｎ↓［３］发射区上设置了一排短路点，这种新的门极结构可以大大改善双向晶闸管的换向特性，改...
 

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