用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线、接线端装置-钱眼专利分类

半导体装置及其制造方法　[申请号/专利号：200810092336]
申请人/专利权人：三洋电机株式会社、三洋半导体株式会社
本发明提供一种半导体装置及其制造方法，通过提高支承体和粘接层间的耐湿性，从而提高半导体装置的可靠性。本发明的半导体装置具有：在半导体元件上形成的第一绝缘膜（２）、在所述...

2008年10月29日

低阻导电结构、包括其的器件和系统以及形成其的方法　[申请号/专利号：200810108794]
申请人/专利权人：三星电子株式会社
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2008年12月3日

半导体器件　[申请号/专利号：200810098139]
申请人/专利权人：英飞凌科技股份有限公司
本发明公开了一种半导体器件及其制造方法。在一个实施例中，该方法包括将第一半导体放置在导电载体上。第一半导体被模塑料覆盖。通孔在模塑料中形成。将第一材料沉积在通孔中。...

2008年11月19日

发光二极管封装结构　[申请号/专利号：200820003004]
申请人/专利权人：亿光电子工业股份有限公司
一种发光二极管封装结构，该发光二极管封装结构至少包含有发光二极管及金属基板。发光二极管设有两个电极接脚，其中每一所述电极接脚设有至少一定位孔。每一所述金属基板设有至少一...

电子结构及其制造方法　[申请号/专利号：200810095282]
申请人/专利权人：国际商业机器公司
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2008年11月26日

制造电路板的方法及电路板　[申请号/专利号：200810085510]
申请人/专利权人：索尼株式会社
本发明提供了制造电路板的方法和电路板。该方法包括：在半导体衬底中形成多个第一孔，每个第一孔朝着半导体衬底的前表面开口；用绝缘层填充多个第一孔的底侧；用第一导电层填充在底...

2008年9月10日

影像感测器模块与其方法　[申请号/专利号：200810003952]
申请人/专利权人：育霈科技股份有限公司
本发明提供一种影像感测器模块与其方法，所述的影像感测器模块包含一上表面具有晶粒容纳凹槽的基底、位于基底中的导电布线及一具有微透镜并配置于晶粒容纳凹槽中的晶粒。一介电层形...

2008年7月30日

内埋半导体组件的封装工艺及封装结构　[申请号/专利号：200810086150]
申请人/专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
一种内埋半导体组件的封装工艺及封装结构，由至少一绝缘层与基板相堆栈，并压合一第三金属层于绝缘层之上，以使半导体组件可内埋于绝缘层中。基板具有一基层、一第一线路层、一第二...

2008年8月13日

半导体模块、半导体模块的制造方法以及便携式设备　[申请号/专利号：200810142810]
申请人/专利权人：三洋电机株式会社
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2008年11月26日

外引脚结构、主动元件阵列基板、光电装置及其制造方法　[申请号/专利号：200710170332]
申请人/专利权人：友达光电股份有限公司
本发明公开了一种配置在一基板上的外引脚结构、主动元件阵列基板、光电装置及其制造方法，该外引脚结构包括多个第一外引脚、多个第二外引脚以及一图案化介电层。第一外引脚是配置在...

2008年3月26日

半导体器件及其制造方法　[申请号/专利号：200810125539]
申请人/专利权人：日本电气株式会社、恩益禧电子股份有限公司
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2008年12月10日

微波电路用薄膜短路片及其制造方法　[申请号/专利号：200810026894]
申请人/专利权人：广州翔宇微电子有限公司
本发明公开了一种微波电路用薄膜短路片，包括陶瓷介质及覆盖于陶瓷介质表面金属薄膜电极；所述的金属薄膜至少包裹陶瓷介质包括上下端面在内的四个表面；陶瓷介质下端面金属薄膜用于...

2008年9月3日

广州

半导体器件　[申请号/专利号：200810081234]
申请人/专利权人：恩益禧电子股份有限公司
实现了在较高的温度下键合线和电极焊垫之间的结点区域中提高的可靠性。半导体器件（１００）包括半导体芯片（１０２）、ＡｌＣｕ焊垫（１０７）和ＣｕＰ导线（１１１），其中ＡｌＣ...

2008年9月3日

一具有标示结构之封装及其方法　[申请号/专利号：200810000026]
申请人/专利权人：育霈科技股份有限公司
本发明提供一方法其具有一金属标示结构之半导体组件封装，其包含一具有晶粒容纳凹槽之基板，其形成于基板之上表面，以及一通孔结构通过此基板，其中具有一终端接点于通孔结构之下方...

2008年7月30日

多晶粒封裝及其方法　[申请号/专利号：200810000027]
申请人/专利权人：育霈科技股份有限公司
本发明提出一多晶粒封装结构，其包含一基板具有容纳凹槽于其上表面中，与一第一通孔结构其中之终端接点于第一通孔之下，一第一晶粒放置于容纳凹槽，且一第一介电层形成于第一晶粒与...

2008年7月30日

电路板结构、覆晶电路和驱动电路的布线结构　[申请号/专利号：200810089804]
申请人/专利权人：友达光电股份有限公司
本发明公开了一种电路板结构、覆晶电路和驱动电路的布线结构，其中，电路板结构包括一第一基板和一第二基板。第一基板上可以具有多条传输导线，并电性连接至第二基板。其中，第一基...

2008年8月27日

非晶掺钨二氧化锡透明导电氧化物薄膜及其制备方法　[申请号/专利号：200810039208]
申请人/专利权人：复旦大学
本发明属于透明导电薄膜技术领域，具体为非晶掺钨二氧化锡透明导电薄膜及其制备方法。本发明以二氧化锡和金属钨粉末经研磨混合、压片、烧结获得的块体材料为靶材；在普通玻璃衬底上...

2008年11月5日

上海

具有晶粒置入通孔之晶圆级封装及其方法　[申请号/专利号：200810000107]
申请人/专利权人：育霈科技股份有限公司
本发明系揭露一种封装结构，包含具有晶粒置入通孔之基底、连接穿孔结构及第一接触垫。晶粒系配置于上述晶粒置入通孔之内，环绕层充填于晶粒与晶粒置入通孔侧壁间之间隙，及／或形成...

2008年7月16日

具有晶粒容纳通孔之晶圆级封装与其方法　[申请号/专利号：200810000108]
申请人/专利权人：育霈科技股份有限公司
本发明揭示了一种封装结构，其包含：一带有一晶粒容纳通孔之基底；一基座接在基底的下表面上；一晶粒配置在晶粒容纳通孔之中并接在基座上；一介电层形成在晶粒与基底上；一重布层（...

2008年7月16日

半导体组件封装结构及其方法　[申请号/专利号：200810083485]
申请人/专利权人：育霈科技股份有限公司
本发明是提供一种半导体组件封装结构，包含一上表面具有至少一预形成的晶粒容纳凹槽以及端点金属接垫的衬底。至少一第一晶粒是配置于上述晶粒容纳凹槽之内。一第一介电层是形成于第...

2008年9月10日

具有晶粒接收开孔之芯片尺寸影像传感器及其制造方法　[申请号/专利号：200810097401]
申请人/专利权人：育霈科技股份有限公司
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2008年11月26日

层迭封装结构及其制造方法　[申请号/专利号：200710300513]
申请人/专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
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2008年5月28日

多端口CAM单元及其制造方法　[申请号/专利号：200810095235]
申请人/专利权人：国际商业机器公司
本发明涉及多端口ＣＡＭ单元及其制造方法。提供了一种多端口ＣＡＭ单元，其中基本上减小了增加传输距离的不利影响。利用三维集成获得本发明的多端口ＣＡＭ单元，其中多个有源电路层...

2008年11月19日

一种大功率自冷式晶闸管阀及其安装用车　[申请号/专利号：200810114116]
申请人/专利权人：中国电力科学研究院
本发明涉及一种大功率自冷式晶闸管阀及其安装用车，其特征在于：单相晶闸管阀体包括两个晶闸管阀串和对称分布的绝缘拉杆、法兰、散热片、高电位触发板、取能磁环、高压送能电缆和多...

2008年10月22日

北京

多晶片3D CAM单元及其制造方法　[申请号/专利号：200810095236]
申请人/专利权人：国际商业机器公司
本发明涉及多晶片３Ｄ　ＣＡＭ单元及其制造方法。提供了一种多晶片ＣＡＭ单元，其中基本上减小了增加传输距离的不利影响。利用三维集成获得本发明的多晶片ＣＡＭ单元，其中多个有源...

2008年11月19日

成形集成无源器件　[申请号/专利号：200810142803]
申请人/专利权人：阿维科斯公司
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2008年12月3日

布局电路　[申请号/专利号：200810009206]
申请人/专利权人：联发科技股份有限公司
本发明涉及一种布局电路，包含第一３＊２栅格阵列，其包含第一信号接触点，第二信号接触点以及第三信号接触点；第一固定电势接触点以及第二固定电势接触点，耦接至第一固定电势；其...

2008年10月22日

包含半导体芯片叠层的半导体器件及其制造方法　[申请号/专利号：200810109299]
申请人/专利权人：英飞凌科技股份公司
包含半导体芯片叠层的半导体器件及其制造方法。本发明涉及包含半导体芯片叠层（１）的半导体器件（１０）及其制造方法。半导体器件（１０）包括作为半导体芯片叠层（１）的基底的至...

2008年10月22日

利用导电分散剂的透明碳纳米管电极及其制造方法　[申请号/专利号：200710162507]
申请人/专利权人：三星电子株式会社
本发明公开了一种利用导电分散剂的透明碳纳米管（ＣＮＴ）电极。该透明ＣＮＴ电极包括透明基底和形成在透明基底的表面上的ＣＮＴ薄膜，其中，ＣＮＴ薄膜由包含ＣＮＴ和掺杂的分散剂...

2008年4月23日

半导体装置及其制造方法　[申请号/专利号：200810082197]
申请人/专利权人：株式会社东芝
本发明提供一种通过采用不使用焊线的结构来提高电气特性并确保高的可靠性、能够提高制造的成品率并提高生产效率的半导体装置及其制造方法。具备：第一表面（５ａ）上配设有半导体元...

2008年9月10日

具有晶粒接收凹孔之晶圆级影像传感器封装结构及其方法　[申请号/专利号：200810007253]
申请人/专利权人：育霈科技股份有限公司
本发明系提供具有晶粒接收凹孔之晶圆级影像传感器封装结构及其方法。本具有晶粒接收凹孔之晶圆级影像传感器封装结构包含基板，其具有形成于基板上层内之晶粒接收凹孔，其中终端垫系...

2008年8月27日

具有晶粒容纳孔洞的晶圆级影像传感器封装与其方法　[申请号/专利号：200810006264]
申请人/专利权人：育霈科技股份有限公司
本发明系提供一种封装结构，其包含一基底；一晶粒容纳孔洞形成在该基底的上表面，一通孔结构穿过其中；一终端接垫形成在该通孔结构下，而该基底合有一导电布线形成在该基底的一下表...

2008年8月20日

一种多用途功率模块　[申请号/专利号：200810022479]
申请人/专利权人：南京银茂微电子制造有限公司
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2008年12月10日

南京

具减缩结构的复数晶粒封装结构与其形成方法　[申请号/专利号：200810080840]
申请人/专利权人：育霈科技股份有限公司
本发明提供一种具减缩结构的复数晶粒封装结构与其形成方法，所述的封装结构包含一包含于基材上表面预形成一晶粒收纳孔洞的基材。一晶粒以黏胶设置于晶粒收纳孔洞内，且一弹性介电层...

2008年8月27日

厚膜混合电路装置　[申请号/专利号：200810006981]
申请人/专利权人：株式会社电装
本发明涉及厚膜混合电路装置，在该厚膜混合电路装置中，厚膜导体迹线和厚膜电阻器安装在绝缘基板的一个表面上并且相互连接。在所述厚膜导体迹线的一部分上安装电元件。电元件、厚膜...

2008年7月30日

单芯片射频功率放大器　[申请号/专利号：200810034778]
申请人/专利权人：上海士康射频技术有限公司
一种单芯片射频功率放大器，其在单芯片上集成有：工作在Ａ类且用于放大输入信号的输入级、工作在ＡＢ类且通过耦合电容与所述输入级相连接、用于将所述输入级输出的信号再次放大的推...

2008年8月27日

上海

半导体装置及其信号终止方法　[申请号/专利号：200810096673]
申请人/专利权人：三星电子株式会社
本发明提供了一种半导体装置及其信号终止方法，该半导体装置可包括：半导体芯片，其包括耦接在信号输入垫和第一接地电压垫之间的信号终止电阻器；半导体封装，其包括信号输入端子和...

2008年9月17日

半导体封装装置　[申请号/专利号：200810081290]
申请人/专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
本发明公开了一种半导体封装装置，其包含第一封装体、第一重布线层及第二重布线层。第一封装体具有第一基板及第一电子元件。第一电子元件设置于第一基板的第一容置空间中。第一重布...

2008年8月6日

具有接触弹簧的功率半导体模块　[申请号/专利号：200810004469]
申请人/专利权人：塞米克朗电子有限及两合公司
本发明涉及一种功率半导体模块，包括一个基板；在该基板的主表面上设置的印制导线；至少一个以其第一主表面上设置在一个第一印制导线上的半导体组件；从印制导线或者一个半导体组件...

2008年8月13日

内埋式芯片封装结构及其制作方法　[申请号/专利号：200810086149]
申请人/专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
一种内埋式芯片封装结构，包括一核心层、一第一增层线路结构以及一第二增层线路结构。核心层具有相对应的一第一表面以及一第二表面，且包括一第一介电层、一导线架、一芯片、一第一...

2008年8月13日

一种金属微网格透明电极及其制备方法　[申请号/专利号：200810101641]
申请人/专利权人：北京航空航天大学
本发明涉及一种金属微网格透明电极及其制备方法，该透明电极为有序的金属微网格状结构，该透明电极的金属微网格厚度为１０－５０ｎｍ；网格宽度为１４０－８００ｎｍ；其孔径为１－...

2008年8月20日

北京

输出/入元件与控制具数个输出/入元件的集成电路的方法　[申请号/专利号：200710104791]
申请人/专利权人：联发科技股份有限公司
本发明提供一种输出／入元件与控制具数个输出／入元件的集成电路的方法，用于一集成电路产品。该输出／入元件包含一接合焊垫、一信号传递电路、及一封锁单元；该信号传递电路具有一...

2008年3月5日

记忆卡的结构与其方法　[申请号/专利号：200810000793]
申请人/专利权人：育霈科技股份有限公司
本发明系提供一种记忆卡结构，包含一上表面具有晶粒容纳凹槽之基底、一通孔结构及形成于基底之布线。一第一晶粒配置于晶粒容纳凹槽。一第一介电层形成于第一晶粒与基底之上。一第一...

2008年7月30日

半导体模块的制造方法、半导体模块及便携设备　[申请号/专利号：200810127747]
申请人/专利权人：三洋电机株式会社
本发明涉及一种半导体模块的制造方法、半导体模块及便携设备，所述制造方法可以提高在使铜板的突起结构和半导体元件的电极为相向的状态下进行连接时的定位精度的同时，谋求降低半导...

2008年11月12日

芯片封装结构及其封装方法　[申请号/专利号：200810083160]
申请人/专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
本发明公开了一种芯片封装结构及其封装方法。该芯片封装方包括：（ａ）提供线路板，线路板上制作有一手指；（ｂ）装设第一芯片于线路板上，此第一芯片具有至少一焊垫于其上表面；（...

2008年8月6日

具有触点定位特性的焊盘栅格阵列模块　[申请号/专利号：200810095164]
申请人/专利权人：泰科电子公司
一种具有触点定位特性的焊盘栅格阵列模块（１１０）包括衬底（１６２），该衬底具有配合表面（１３０）和在配合表面上的触点衬垫（１５２）阵列。每一个触点衬垫具有外露表面（１５...

2008年9月10日

具有内建封装腔室之影像传感器模块及其方法　[申请号/专利号：200810085049]
申请人/专利权人：育霈科技股份有限公司
本发明系提供一种具有内建封装腔室之影像传感器模块及其方法。其影像传感器模块包括一基材，其上表面内形成一容纳封装腔室，且有导电布线形成于基材内，一具有微透镜之影像传感器晶...

2008年9月17日

具有金属接触层的功率半导体基片及其制造方法　[申请号/专利号：200810096735]
申请人/专利权人：塞米克朗电子有限及两合公司
本发明描述一种功率半导体基片，包括一绝缘的面状的基体、至少一个印制导线和至少一个作为该印制导线的部分的接触面，其中在该接触面上借助于金属材料的加压烧结连接设置一材料层。...

2008年11月12日

半导体器件　[申请号/专利号：200810093595]
申请人/专利权人：株式会社瑞萨科技
本发明公开了一种半导体器件。本发明的目的是实现其中密封功率ＭＯＳＦＥＴ的小表面安装封装的导通电阻的减小。硅芯片安装在与构成漏极引线的引线集成的芯片焊盘部上。硅芯片的主表...

2008年10月29日