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钱眼专利首页 > 以其晶体结构或以结晶面的特殊取向为特征的 的专利共 32 条
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1
陶瓷基片结晶硅薄膜太阳能电池　[申请号/专利号：200720040107]
申请人/专利权人：常州市亚玛顿科技有限公司
本实用新型涉及一种陶瓷基片硅薄膜太阳能电池，特别涉及一种陶瓷基片结晶硅薄膜太阳能电池。它包括基片（１）、导电膜及匹配层（２）、匹配层和透明导电膜层（６），下电极引线（７...
2
有源矩阵显示器及其制造方法　[申请号/专利号：97193398]
申请人/专利权人：现代电子美国公司
改进的多层矩阵线（３４）包括倒置栅薄膜晶体管（４６），以减少其中的缺陷，增强引入此晶体管的矩阵器件的性能，包括有源矩阵显示器（１０）。倒置栅线由构图前按顺序淀积的多层金...
1999年4月21日
3
2008年5月28日
4
有机抗反射聚合物及其制备方法　[申请号/专利号：00107842]
申请人/专利权人：现代电子产业株式会社
本发明公开了具有化学式１或２的聚合物。该聚合物可用作采用２４８ｎｍｋｒＦ、１９３ｎｍ　　ＡｒＦ或１５７ｎｍＦ＜ｓｕｂ＞２＜／ｓｕｂ＞激光的亚微平版印刷方法中的抗反射涂料...
2001年1月3日
5
单晶硅太阳能电池的制造方法及单晶硅太阳能电池　[申请号/专利号：200810090977]
申请人/专利权人：信越化学工业株式会社
本发明提供一种光封闭型单晶硅太阳能电池，其以结晶性高的单晶硅作为薄膜的光变换层。一种单晶硅太阳能电池的制造方法，包含：将氢离子或稀有气体离子注入单晶硅基板的工序；于金属...
2008年10月15日
6
2008年6月11日
7
一种高耐压碳化硅光导开关　[申请号/专利号：200710045225]
申请人/专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
本发明涉及一种高耐压碳化硅光导开关，属于半导体器件制备技术领域。光导开关采用相对面型设计，在经处理后的碳化硅抛光片的两面制作欧姆接触，形成两个电极。这种相对面型碳化硅光...
2008年2月27日
8
玻璃基材太阳能电池　[申请号/专利号：200720084859]
申请人/专利权人：晶湛(南昌)科技有限公司
一种玻璃基材太阳能电池，其特征是玻璃基片连接金属镀层，金属镀层连接掺硼多晶硅层，掺硼多晶硅层连接掺磷多晶硅层，掺磷多晶硅层连接金属电极，金属电极连接表面保护层。本实用新...
9
新型铝背发射结N型单晶硅太阳电池　[申请号/专利号：200710047776]
申请人/专利权人：宁波杉杉尤利卡太阳能科技发展有限公司
本发明提供一种新型铝背发射结Ｎ型单晶硅太阳电池；本发明的太阳电池结构是，自上层至下层，依次是：（１）Ａｇ银金属栅线正电极；（２）ＳｉＮ↓［ｘ］减反射层，厚度约为８０ｎｍ...
2008年3月26日
10
无应变、无缺陷的外延失配异质结结构及其制备方法　[申请号/专利号：89106257]
申请人/专利权人：ＩＢＭ国际商业机器公司
在衬底和上部外延层间具有大晶格失配的异质结结构及形成有薄中间层结构的方法。靠形成局域的和光电惰性的刃型位错来部分消除中间层和衬底间晶格失配产生的应变。中间层在其厚度达到...
1990年5月16日
11
晶体半导体薄膜,半导体器件及其制造方法　[申请号/专利号：200710088158]
申请人/专利权人：株式会社半导体能源研究所
晶体半导体薄膜，半导体器件及其制造方法：在衬底上形成绝缘薄膜；在绝缘薄膜上形成非晶半导体薄膜；在非晶半导体薄膜上形成薄膜厚度等于或大于２００ｎｍ且等于或小于１０００ｎｍ...
2007年9月26日
12
N型衬底的单面引出电极晶体硅电池及制造方法　[申请号/专利号：200710023629]
申请人/专利权人：江苏林洋新能源有限公司
本发明公开了一种Ｎ型衬底的单面引出电极晶体硅电池及制造方法，产品在Ｎ型衬底的正面，由内向外依次设置Ｎ↑［＋］扩散层、绒面结构、氮化硅薄膜层，在Ｎ型衬底的反面设置Ｎ↑［＋...
2007年11月28日
13
形成独立半导体层的方法　[申请号/专利号：200480024191]
申请人/专利权人：国际商业机器公司
一种在常规ＳＯＩ或体衬底硅器件上提供独立半导体层（２６）的方法，包括在单晶基础结构（２０）上形成无定形或多晶心轴（２２）。然后在心轴（２２）上和基础结构（２０）上形成保...
2006年9月27日
14
电光装置和电子机器　[申请号/专利号：03104408]
申请人/专利权人：精工爱普生株式会社
在基板（１０）上，备有象素电极（９ａ）和与它连接的ＴＦＴ（３０），与该ＴＦＴ连接的扫描线（３ａ）和数据线（６ａ），与上述象素电极连接，构成存储电容（７０）的象素电位侧电...
2003年8月27日
15
有机抗反射聚合物及其制备方法　[申请号/专利号：200410092956]
申请人/专利权人：现代电子产业株式会社
本发明涉及适用于采用１９３ｎｍ　　ＡｒＦ辐射线的亚微平版印刷方法中的半导体器件的抗反射涂料用聚合物，抗反射涂料组合物，及其制备方法。所述聚合物含有在１９３ｎｍ波长处具有...
2005年11月23日
16
铟镓氮外延薄膜及生长方法和在太阳能电池的应用　[申请号/专利号：200610088287]
申请人/专利权人：南京大学
高结晶铟镓氮单晶外延膜，在蓝宝石衬底先设有ＧａＮ缓冲层，且为２０－２００ｎｍ的低温ＧａＮ缓冲层；然后生长厚度可达到１－８０μｍ的高结晶的Ｉｎ↓［ｘ］Ｇａ↓［１－ｘ］（０...
2006年12月27日
17
具有多个半导体层的半导体器件　[申请号/专利号：200580018811]
申请人/专利权人：飞思卡尔半导体公司
一种半导体器件结构（１０），其使用两个半导体层（１６＆２０）以分别优化Ｎ和Ｐ沟道晶体管载流子迁移率。用于确定此点的传导特性是半导体材料类型、晶面、取向以及应变的组合。当...
2007年5月30日
18
制备反蛋白石光子晶体异质结薄膜的方法　[申请号/专利号：200410016497]
申请人/专利权人：浙江大学
本发明的制备反蛋白石光子晶体异质结薄膜的方法是以石英玻璃或硅单晶为衬底，浸入含有单分散的球径相同的二氧化硅小球溶液中，用提拉沉积法在衬底上沉积得蛋白石薄膜，将蛋白石薄膜...
2005年1月5日
19
纳米结构、纳米复合物基的组合物及光生伏打装置　[申请号/专利号：03824102]
申请人/专利权人：奈米系统股份有限公司
本发明提供一种纳米复合物光生伏打装置，其总地包括作为至少一部分光活性层的半导体纳米晶体。本发明的特征也在于包含芯－壳纳米结构和／或两种纳米结构族群的光生伏打装置和其他层...
2006年5月24日
20
半导体-纳米晶体/共轭聚合物薄膜　[申请号/专利号：03806320]
申请人/专利权人：加利福尼亚大学董事会
本发明提供薄膜及其制造方法，该薄膜包括以高的负载量分散在半导体－聚合物内的半导体－纳米晶体。本发明还公开了掺入该薄膜的光生伏打器件。...
2005年7月20日
21
有机抗反射聚合物及其制备方法　[申请号/专利号：00107857]
申请人/专利权人：现代电子产业株式会社
本发明涉及适用于采用１９３ｎｍ ＡｒＦ辐射线的亚微平版印刷方法中的半导体器件的抗反射涂料用聚合物，抗反射涂料组合物，及其制备方法。所述聚合物含有在１９３ｎｍ波长处具有...
2001年4月11日
22
制造多层太阳能电池的方法和半导体结构　[申请号/专利号：95197426]
申请人/专利权人：太平太阳有限公司
一种半导体结构及其形成方法，所述结构中，支撑衬底或基片（１２）为支撑上层的有源区提供机械力。淀积在衬底或基片（１２）上的薄介质层（１１）隔离所淀积的层与衬底，以防止光学...
1998年2月11日
23
硅上锗中的光电探测器　[申请号/专利号：200480044693]
申请人/专利权人：皮雷利＆C.有限公司
本发明提供一种光电探测器结构（１、１′、１″），包括：硅基波导（２），其中待探测的光信号在给定方向（Ｘ）上传输，并被限制在其中；和锗层（４），设置成与所述硅基波导（２）...
2007年12月12日
24
光电检测装置　[申请号/专利号：200480042132]
申请人/专利权人：S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司
制造光电检测装置的方法，特征在于其包括下列步骤：（ａ）提供第一晶片（Ⅰ），其包括由从半导体材料选择的材料制成的光敏层（１）以及包括电路层（２）的第二晶片（Ⅱ），该电路层...
2007年2月28日
25
光电装置　[申请号/专利号：200410074710]
申请人/专利权人：三洋电机株式会社
提供了一种可以提高输出特性的光电装置。该光电装置包含至少一个发电单元，该发电单元具有：包含至少一层的第一导电型的第一非单晶半导体层；包含至少一层的实质上为真正的第二非单...
2005年3月16日
26
光电元件　[申请号/专利号：95120983]
申请人/专利权人：佳能株式会社
一种有高释出电压的光电元件，它能抑制载流子从上电极注入处于发生层的最上层处的ｐ－半导体中。按本发明的光电元件、其中，用“ｎ”表示的ｎ－型半导体层。用“ｉ”表示的ｉ－型半...
1996年9月25日
27
光生伏特器件及其制造方法　[申请号/专利号：90104925]
申请人/专利权人：佳能株式会社
一种光致电压器件包括：一具有被一绝缘层包围着的多个导电表面的基片，设置有覆盖所述那些导电表面的多个单晶层区域的、多个第一光致电压单元，以及设置有一个覆盖着所述多个第一光...
1991年2月20日
28
叠层型光电动势装置及其制造方法　[申请号/专利号：200610057778]
申请人/专利权人：三洋电机株式会社
本发明涉及一种叠层型光电动势装置，在支承基板上顺次形成有背面金属电极、在光电转换层中使用微晶硅的底部单元、在光电转换层中使用非晶硅的前部单元、和表面透明电极。对前部光电...
2006年9月6日
29
采用单晶SiC检测声音吸收的电磁辐射　[申请号/专利号：02814194]
申请人/专利权人：希脱鲁尼克斯
采用至少２００微米厚度的单晶ＳｉＣ（６），透过声音吸收机理探测波长约少于１０微米的电磁辐射（４）。其应用包括ＩＲ辐射探测，非接触温度探测及ＩＲ控制变阻器。...
2004年9月15日
30
基于区熔硅单晶的双极光晶体管及其探测方法　[申请号/专利号：03153378]
申请人/专利权人：北京师范大学
本发明基于区熔硅单晶的双极光晶体管采用区熔硅单晶片来制作。由于区熔硅单晶的生长不需要坩埚，在制备过程中硅单晶除了与保护气体接触外不与其它任何材料直接接触，因此区熔硅单晶...
2005年2月16日
31
包含微晶态半导体的半导体元件　[申请号/专利号：200410005828]
申请人/专利权人：佳能株式会社
在包含微晶态半导体的半导体元件中，在微晶态晶粒内提供半导体结。而且在包含微晶态半导体的半导体元件中，提供不同直径的微晶态晶粒作为混合物，以便形成半导体层。因此，半导体结...
2004年9月29日
32
低温下用顺序横向固化制造单晶或多晶硅薄膜的系统和方法　[申请号/专利号：00815428]
申请人/专利权人：纽约市哥伦比亚大学托管会
揭示了将非晶硅薄膜样本加工成单晶或多晶硅薄膜的方法和系统。该系统包括：受激准分子激光器（１１０），产生具有预定流量的多个受激准分子激光脉冲（１１１）；能量密度调节器（１...
2002年12月25日
33
光电元件的集电极、光电元件及其制造方法　[申请号/专利号：02149932]
申请人/专利权人：佳能株式会社
一种有高释出电压的光电元件，它能抑制载流子从上电极注入处于发生层的最上层处的ｐ－半导体中。按本发明的光电元件、其中，用“ｎ”表示的ｎ－型半导体层。用“ｉ”表示的ｉ－型半...
2003年8月20日
 

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