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钱眼专利首页 > 通过所施加的机械力，如压力的变化可控的 的专利共 84 条
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1
一种纳米硅异质结压敏二极管及纳米硅异质结压力传感器　[申请号/专利号：200810020042]
申请人/专利权人：韦文生
本发明公开了一种纳米硅异质结压敏二极管及纳米硅异质结压力传感器，本发明的优点在于应用纳米硅／单晶硅异质结构在应力状态下的反向Ｉ－Ｖ特性，制成了敏感性、线性特性好的纳米硅...
2008年8月27日
2
一种具有气压敏感效应的碳/硅异质结新材料及其应用　[申请号/专利号：200710013464]
申请人/专利权人：中国石油大学(华东)
本发明提供了一种具有气压敏感效应的碳／硅异质结新材料，该材料是通过磁控溅射的方法，将纯度为９９．９％的石墨靶或者将含有０～１０％（质量分数）的铁的铁－石墨复合靶溅射到抛...
2007年8月8日
3
压电电阻元件及其制造方法　[申请号/专利号：200710004284]
申请人/专利权人：冲电气工业株式会社
本发明提供压电电阻元件及其制造方法。第一课题在于提供受外部电场的影响（表面电场效应）引起的电阻值的变动小的压电电阻元件及其制造方法。并且，第二课题在于提供击穿耐压高且漏...
2007年9月19日
4
扭转谐振器和采用其的滤波器　[申请号/专利号：200680000095]
申请人/专利权人：松下电器产业株式会社、国立大学法人东京大学
一种没有桨叶的，并且能够有效振荡的高频扭转振荡器。所述扭转振荡器具有没有桨叶的横截面恒等的梁结构，并且具有经由缝隙贴近所述梁结构的侧表面设置的电极。二者之间的静电电容使...
2007年4月4日
5
梳齿电极对的制造方法　[申请号/专利号：200610059745]
申请人/专利权人：富士通株式会社
本发明提供梳齿电极对的制造方法。该方法由材料衬底制造一对梳齿电极，该材料衬底包括第一导电层、第二导电层以及位于第一导电层与第二导电层之间的绝缘层。该对梳齿电极包括第一梳...
2006年9月13日
6
提高单梁结构微机械谐振压力传感器激励性能的方法　[申请号/专利号：200410101006]
申请人/专利权人：中国电子科技集团公司第二十四研究所
本发明涉及一种提高单梁结构微机械谐振压力传感器激励性能的方法。该方法是将该传感器的谐振梁表面上制作的激励电阻用铂制成铂薄膜电阻。用本发明方法可提高单梁结构谐振压力传感器...
2005年7月27日
7
微移动器件及使用湿蚀刻的制造方法　[申请号/专利号：200610058970]
申请人/专利权人：富士通株式会社
一种微移动器件，包括：基础衬底；固定部，其与基础衬底接合；可移动部，其具有连接至固定部的固定端，并沿着基础衬底延伸；以及压电驱动部，其设置在可移动部和固定部与基础衬底相...
2006年9月20日
8
电容型动态量传感器及其制造方法　[申请号/专利号：200410045715]
申请人/专利权人：精工电子有限公司
提供了一种电容型动态量传感器，其能减小检测灵敏度的变化，没有其电极脱落或断开，并且在可靠性上极佳；并提供了其制造方法。在所述电容型动态量传感器中，其中要形成振荡器的半导...
2005年2月2日
9
供高温力学量传感器用的纳米多晶硅-氮化铝隔膜-硅单晶衬底基片　[申请号/专利号：200610013089]
申请人/专利权人：井叶之
本发明的要点是在力学量传感器中，利用氮化铝作为力敏电阻和［００１］晶向硅单晶弹性膜之间的绝缘隔离膜。氮化铝的热膨胀系数与硅的十分接近，因此不会引入大的热应力。力敏电阻可...
2007年7月25日
10
一种基于绝缘体上硅片的应力传感器芯片　[申请号/专利号：200510117116]
申请人/专利权人：清华大学
本发明公开了属于高温力学测量以及集成电路制造、封装和测量技术领域的一种基于绝缘体上硅片的应力传感器芯片。在硅衬底上制作二氧化硅绝缘层，并在二氧化硅绝缘层上制作应力敏感元...
2006年4月5日
11
加速度传感器　[申请号/专利号：200510107569]
申请人/专利权人：冲电气工业株式会社
防止压敏电阻元件与接触孔内的配线电连接的部位发生剥离和分离等接触不良。压敏电阻型３轴加速度传感器具有：锤部、设置在该锤部周边的底座部５１、固定在该底座部５１上的周边固定...
2006年7月26日
12
加速度传感器及其制造方法　[申请号/专利号：200510107009]
申请人/专利权人：冲电气工业株式会社
本发明涉及一种用简单的制造方法提高耐冲击性的加速度传感器，该加速度传感器包括：挠性地支承锤固定部（１３）的周边固定部（１２）；固定在锤固定部（１３）上的锤部（２３）；为...
2006年6月28日
13
形成压阻器件的方法与形成电路布局的方法　[申请号/专利号：200510098017]
申请人/专利权人：探微科技股份有限公司
本发明公开了一种形成压阻器件的方法与形成电路布局的方法。该方法首先提供晶片，并在该晶片的正面形成电路布局，其中该电路布局包含有至少一个第一压阻器件布局和至少一个第二压阻...
2007年3月7日
14
加速度传感器　[申请号/专利号：200510084468]
申请人/专利权人：富士通媒体部品株式会社、富士通株式会社
提供了一种加速度传感器，其抑制了偏移电压的波动并且具有改善的温度特性。该加速度传感器包括：形成在半导体基板中央的重物；形成在重物周边的框架；连接重物和框架的梁或隔膜；检...
2006年5月17日
15
加速度传感器　[申请号/专利号：200510068900]
申请人/专利权人：富士通媒体部品株式会社、富士通株式会社
加速度传感器。该加速度传感器减少了噪声，可以解决由于热膨胀系数差异而出现的应力问题。该加速度传感器检测三维坐标系统中的三个轴向的加速度，包括：具有四个侧面的框架，通过半...
2006年5月3日
16
用于制造微型机电系统的方法　[申请号/专利号：200510059283]
申请人/专利权人：冲电气工业株式会社
在具有夹在两个半导体层之间的牺牲层的衬底上制造微型机电系统。半导体层被选择性地刻蚀，使得形成未被刻蚀的框架和由牺牲层固定在框架内而不能移动的刻蚀的微型结构。一种粘性板被...
2005年12月7日
17
物理量传感器　[申请号/专利号：200510056567]
申请人/专利权人：雅马哈株式会社
本发明涉及一种使用多个压电传感器构成的物理量传感器，每个压电传感器具有第一和第二半导体层实现电阻和端子、和与部分地暴露衬底的主表面的绝缘膜开口相关的传导重量部分。两个半...
2005年8月17日
18
位移检测器件　[申请号/专利号：200610154224]
申请人/专利权人：日立金属株式会社
在具有用于调整板的ＩＣ芯片的位移检测器件中，在组装或使用该器件期间，硅破裂碎片可能会从松动切屑上掉落，并影响位移检测器件的性能。通过设置芯片的ＩＣ芯片晶片上的研磨迹线与...
2007年3月28日
19
半导体装置的制造方法　[申请号/专利号：200610153725]
申请人/专利权人：冲电气工业株式会社
为清洗在表面形成有铝布线（４）等的电路元件和保护它的保护膜（６）的半导体衬底（１），覆盖保护膜（６）地形成清洗用的抗蚀剂（１１）。将形成有覆盖保护膜（６）的抗蚀剂（１１...
2007年4月4日
20
传感器器件、传感器系统及其制造方法　[申请号/专利号：200580010304]
申请人/专利权人：松下电工株式会社
一种传感器系统，包括传感器器件（１０）和用于驱动器件（１０）的集成电路（２０）。该器件（１０）包括硅基材料的传感器主体（１）、硅基材料的上密封构件（２）和硅基材料的下密...
2007年3月28日
21
半导体装置　[申请号/专利号：200580000775]
申请人/专利权人：东京毅力科创株式会社
基板（５１）被形成为具有四条沿切片线的边的矩形形状，堤部（５６）被形成为包围执行元件（５０）和输入输出用的电极垫片（５４）、（５５）的整个周围。堤部（５６）是具有四条边...
2006年9月27日
22
多量程三轴加速度传感器装置　[申请号/专利号：200710140744]
申请人/专利权人：日立金属株式会社
公开了一种多量程三轴加速度传感器装置，其中多个三轴加速度传感器元件在其间没有轴偏差的情况下形成于单个硅芯片中并具有不同的加速度测量量程。多个传感器元件中每个都包括配重、...
2008年2月13日
23
压容式传感器　[申请号/专利号：200520116497]
申请人/专利权人：杭州科岛微电子有限公司、厦门大学萨本栋微机电研究中心
测量灵敏度和线性度高，温度影响小的压容式传感器，硅片衬底层上设有空腔（９），硅片衬底层上面具有二氧化硅层其上面复合有硅膜层，空腔底部具有二氧化硅层，在相互复合的硅膜层和...
24
半导体变形测量仪及其制造方法　[申请号/专利号：200710107784]
申请人/专利权人：株式会社百利达、东光株式会社
本发明提供半导体变形测量仪及其制造方法。该半导体变形测量仪防止半导体的变形测量仪的沟道的产生，在扩散电阻区域的周围附着了杂质或电荷的情况下，或在半导体基板的杂质浓度低的...
2007年11月7日
25
硅电容压力敏感器件封装结构　[申请号/专利号：200520093653]
申请人/专利权人：沈阳仪表科学研究院
硅电容压力敏感器件封装结构，包括基座、引压管，其特征在于基座内中段相对设置两个挡块，硅电容芯片置于一挡块与填充陶瓷块之间，引线座位于基座一端、引压导管位于基座另一端，各...
26
抗高过载SOI压力敏感芯片的结构　[申请号/专利号：200520021822]
申请人/专利权人：哈尔滨市东北汽车电子工程技术研究开发中心
本实用新型提供的是一种用于抗高过载ＳＯＩ压力敏感芯片的结构。带双岛的硅膜片的薄膜区正面或背面除沿双岛长度方向的梁以外的其余薄膜为经减薄处理的、形成梁膜岛结构的硅膜片，硅...
27
物理量传感器　[申请号/专利号：200520004166]
申请人/专利权人：雅马哈株式会社
本实用新型涉及一种使用多个压电传感器构成的物理量传感器，每个压电传感器具有第一和第二半导体层实现电阻和端子、和与部分地暴露衬底的主表面的绝缘膜开口相关的传导重量部分。两...
28
剪切测试设备　[申请号/专利号：200580026930]
申请人/专利权人：达格精度工业有限公司
用于半导体衬底上的金和焊料焊球的剪切测试装置，包括：支撑元件（２１），其上在直接剪切负载路径中提供压电晶体（２４）。该晶体（２４）可以具有屏蔽（２５）。该屏蔽和晶体间以...
2007年8月8日
29
半导体加速度传感器　[申请号/专利号：200510131590]
申请人/专利权人：日立金属株式会社
公开了一种半导体加速度传感器，其在Ｘ、Ｙ和Ｚ轴之中的加速度检测灵敏度上具有较小的差异，并且具有较高的检测灵敏度。该加速度传感器具有在其中心的块部分，围绕该块部分的支撑框...
2006年5月24日
30
具有执行器的半导体装置　[申请号/专利号：200510119434]
申请人/专利权人：株式会社东芝
提供一种具有执行器的半导体装置，其中具有半导体基板；在上述半导体基板的上方设置空间进行配置，具有下部电极及上部电极和夹在这些下部电极及上部电极之间的压电体层，在上述下部...
2006年6月21日
31
半导体压阻式传感器及其操作方法　[申请号/专利号：200610005063]
申请人/专利权人：台达电子工业股份有限公司
一种半导体压阻式传感器与一电路电性连接，半导体压阻式传感器包括一半导体基材、至少一压阻组件以及一导电材料层。半导体基材包括一悬膜与一基材，基材邻设于悬膜周缘；压阻组件设...
2007年7月25日
32
微型多维力／力矩传感器微加工方法　[申请号/专利号：200510009924]
申请人/专利权人：哈尔滨工业大学
微型多维力／力矩传感器微加工方法，它涉及一种在传感器弹性体上直接加工应变片的方法。本发明为了提高传感器的精度，提供一种微型多维力／力矩传感器微加工方法，它是这样实现的：...
2005年10月26日
33
用于测量动力学参量的电容传感器　[申请号/专利号：200510050927]
申请人/专利权人：精工电子有限公司
公开了一种基于电容的改变来测量动力学参量的电容电容传感器；具有质量块５的半导体基板２，质量块５由横梁４来支持并根据动力学参量来移动；在玻璃基板１和３上有固定电极１１和基...
2005年7月27日
34
电子装置及其制造方法　[申请号/专利号：200510003982]
申请人/专利权人：精工爱普生株式会社
本发明涉及一种可靠性高的电子装置及制造成本低、接合可靠性高的电子装置的制造方法。多个部件（１）被毫微粒子（４）接合的电子装置，在被接合的部件（１）中至少１个以上的部件（...
2005年7月20日
35
半导体压力传感器及其制造方法　[申请号/专利号：200480002413]
申请人/专利权人：株式会社藤仓
本发明的目的在于提供一种不损害压力测定精度及连接的可靠性且实现小型化的半导体压力传感器，该半导体压力传感器中，在由单晶硅形成的膜片的表面形成有压电电阻感压计的感压芯片的...
2006年2月22日
36
含有垂直排列的纳米织物制品的器件及其制备方法　[申请号/专利号：200480003939]
申请人/专利权人：南泰若股份有限公司
介绍了采用垂直排列纳米织物制品的机电开关和存储单元及其制备方法。机电器件具有包含主水平表面和在其中形成的沟道的结构。导电迹线位于沟道中；纳米管制品垂直悬置在沟道中，与沟...
2006年3月15日
37
柔性静电激励器　[申请号/专利号：200580017738]
申请人/专利权人：研究三角协会
一种静电激励器，其具有包括第一电极（２０）的基部（１０），并且具有柔性膜（５０），该柔性膜包括至少两个彼此相接触的不同材料的材料层。至少一个材料层包括与第一电极电隔离的...
2007年5月9日
38
压力传感器装置和方法　[申请号/专利号：200580011775]
申请人/专利权人：迅捷公司
本发明的实施方案提供一种膜片型压力计，装在该膜片型压力计的参考压力室中的接口印刷电路板（“ＰＣＢ”）接收来自参考压力室中的一个或多个敏感元件的信号。举例来说，敏感元件可...
2007年4月4日
39
电容型动态量传感器　[申请号/专利号：200410068230]
申请人/专利权人：精工电子有限公司
在金属电极中形成凹槽或孔的图形，所述金属电极在电容型动态量传感器中布置在和振动元件相关的上侧和下侧。因此，即便使用单一导电材料例如Ａ１制作电极时，也可以避免在该电极表面...
2005年3月9日
40
静电电容式半导体物理量传感器及其制造方法　[申请号/专利号：200580011007]
申请人/专利权人：松下电工株式会社
在静电电容式半导体物理量传感器中，玻璃衬底和硅衬底相互面对的周边区域（连接区域）接触以用于阳极连接，而同时该玻璃衬底和该硅衬底具有在其间施加的阳极连接电压以结合为一体。...
2007年4月4日
41
电容传感器　[申请号/专利号：200710091401]
申请人/专利权人：松下电工株式会社
本发明披露了一种电容传感器，该电容传感器包括误差补偿单元，在作为边缘部分的固定电极的一部分和活动电极的一部分在检测单元错位的方向上彼此相对并保持一定间隙的布置中，误差补...
2007年10月3日
42
压力感知型无触点开关　[申请号/专利号：200510010870]
申请人/专利权人：昆明凯旋利科技有限公司
压力感知型无触点开关。本发明属于电子元件类，特别是由压电或压阻传感材料结合封装的感知型开关。本开关采用了压电、或压阻、或压电压阻复合的传感材料，在传感材料的受力面两侧分...
2006年12月27日
43
压力传感器　[申请号/专利号：200410088565]
申请人/专利权人：株式会社不二工机
本发明的课题在于压力传感器主体和连接件的连接部分的气密性的进一步提高。压力传感器包括具有压力送入孔（１２）的外壳（１０）；压力检测元件（２２），该压力检测元件（２２）由...
2005年5月11日
44
加速度传感器　[申请号/专利号：200510107131]
申请人/专利权人：冲电气工业株式会社
本发明提供一种加速度传感器。该加速度传感器可以减小ＸＹＺ三轴的输出差，从而实现省电化。压电阻型三轴加速度传感器具有：外框部（１１），配置于该外框部（１１）内的质量部（１...
2006年6月28日
45
检测半导体动态量传感器的方法　[申请号/专利号：200510009003]
申请人/专利权人：株式会社电装
一种检测半导体动态量的方法，包括改变施加到周边固定部分（５０）的电位（Ｖ４），同时向固定电极（３１、４１）和可移动电极（２４）施加预定电位（Ｖ１、Ｖ２）和（Ｖ３），从而...
2005年8月17日
46
一种压力传感器　[申请号/专利号：200510022394]
申请人/专利权人：比亚迪股份有限公司
本发明公开了一种压力传感器，包括相连接的硅传感器和玻璃底座，在硅传感器与玻璃底座连接的表面设有隔膜，在与隔膜相对的硅传感器的另一面设有应变计，在玻璃底座上开有贯通的第一...
2007年6月27日
47
一种厚膜力敏浆料及其制备方法　[申请号/专利号：200510122889]
申请人/专利权人：中国科学院合肥物质科学研究院
一种厚膜力敏浆料由６０～８０％钌酸铋和２０～４０％硼硅酸铅混合料中加入有机溶剂调制得到的浆料。钌酸铋由氧化钌纳米粉体与氧化铋于６５０～８００℃固相反应生成。氧化钌纳米粉...
2006年7月19日
48
具有硅衬底的电子电路器件　[申请号/专利号：200510071700]
申请人/专利权人：精工电子有限公司、石田诚
一种具有硅衬底的电子电路器件包括：具有半导体元件和凹槽的硅衬底；和至少一个无源元件，其采用与形成该半导体元件所使用的硅平面工艺不同的工艺来形成。在该电子电路器件中，该无...
2005年10月12日
49
具有传感芯片和电路芯片的电容式物理量传感器　[申请号/专利号：200510109685]
申请人/专利权人：株式会社电装
一种电容式物理量传感器，其包括传感芯片（１００）和电路芯片（２００）。该传感芯片（１００）包括：支承基片（１１，１３）；半导体层（１２）；可动电极（２４）；以及固定电极...
2006年3月22日
50
半导体微型器件　[申请号/专利号：200510055867]
申请人/专利权人：三菱电机株式会社
提供一种半导体微型器件，具有：矩形的硅微型构造物芯片；具有固定硅构造物芯片的芯片焊盘的引脚框架，包括该芯片焊盘与所说硅构造物芯片接触的接触部；以及，将所说硅构造物芯片和...
2005年11月16日
 

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