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钱眼专利首页 > 只是PIN型势垒的 的专利共 56 条
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1
叠层结构和具有该叠层结构的太阳能电池　[申请号/专利号：200810089989]
申请人/专利权人：福建钧石能源有限公司
本发明公开了一种叠层结构，包括透明导电氧化物层和反光层，所述叠层结构还包括辅助反光层，所述反光层位于所述透明导电氧化物层和辅助反光层之间。本发明提供的太阳能电池包括透明...
2008年10月29日
2
薄膜、薄膜的形成方法和具有该薄膜的太阳能电池　[申请号/专利号：200810089987]
申请人/专利权人：福建钧石能源有限公司
本发明的提供了一种增加氢化非晶硅薄膜能带隙的方法，将氟元素加入到非晶硅材料中。本发明的薄膜具有更宽的能带隙，具有这种薄膜的太阳能电池能够显著提高光电转换效率和稳定性。...
2008年10月29日
3
叠层结构和具有该叠层结构的光伏器件　[申请号/专利号：200810089988]
申请人/专利权人：福建钧石能源有限公司
公开了一种叠层结构，包括透明导电层和反光层，所述叠层结构还包括隔离层和辅助反光层，所述隔离层位于所述反光层和所述辅助反光层之间。还公开了一种光伏器件，所述光伏器件至少包...
2008年10月29日
4
薄膜太阳能电池及其制造方法　[申请号/专利号：200810089986]
申请人/专利权人：福建钧石能源有限公司
本发明公开了一种薄膜太阳能电池，包括基板、前电极和背电极，所述前电极和背电极之间包括至少一个ｐ－ｉ－ｎ叠层结构，在所述ｐ－ｉ－ｎ叠层结构中的ｐ层面向ｉ层的表面具有氧化层...
2008年10月29日
5
硅类薄膜太阳能电池　[申请号/专利号：200480021059]
申请人/专利权人：株式会社钟化
本发明提供一种硅类薄膜太阳能电池，该电池是，通过不使用与光电转换层的形成不同种的设备将具有比光电转换层的折射率低的层设置在从光入射侧观察时位于光电转换层后方的部位，可以...
2006年8月30日
6
薄膜太阳能电池的膜层和薄膜太阳能电池　[申请号/专利号：200810089990]
申请人/专利权人：福建钧石能源有限公司
公开了一种薄膜太阳能电池，在薄膜太阳能电池的透明前电极和ｐ－ｉ－ｎ光电单元的ｐ层之间包括折射率为２．２～３．４的膜层。该膜层作为透明前电极和ｐ层之间的界面层，能够缩小透...
2008年10月29日
7
半导体结为碳材料的太阳能电池及制备方法　[申请号/专利号：200810064841]
申请人/专利权人：哈尔滨工业大学
半导体结为碳材料的太阳能电池及制备方法，它涉及太阳能电池及制备方法。它解决了现有制备成本高、原材料紧缺、技术不成熟、效率低和污染环境的问题。本发明的铝膜层（２）设在基底...
2008年11月5日
8
膜层、膜层的形成方法和具有该膜层的薄膜太阳能电池　[申请号/专利号：200810089985]
申请人/专利权人：福建钧石能源有限公司
本发明公开了一种膜层、膜层的形成方法和具有该膜层的薄膜太阳能电池，所述膜层在具有氩气的反应气体等离子体辉光放电过程中形成，所形成的膜层具有很高的电子缺陷密度和较好的导电...
2008年10月29日
9
柔性衬底硅基薄膜太阳电池　[申请号/专利号：200810052621]
申请人/专利权人：南开大学
本发明公开了一种柔性衬底硅基薄膜太阳电池，包括衬底Ｓ为不透明和透明柔性材料，且太阳电池的结构为Ｐ型硅基薄膜／Ｉ型硅基薄膜／Ｎ型硅基薄膜，所述Ｐ型硅基薄膜、Ｉ型硅基薄膜和...
2008年9月3日
10
硅基薄膜太阳电池用窗口材料及其制备方法　[申请号/专利号：200810052620]
申请人/专利权人：南开大学
本发明公开了硅基薄膜太阳电池用窗口材料及其制备方法。所述窗口材料为磷掺杂硅基薄膜Ｎ，包括磷掺杂Ｎ型微晶硅氧薄膜，或者磷掺杂的Ｎ型纳米硅氧。该窗口材料的制备是将待处理样品...
2008年9月3日
11
可见-红外波段吸收的非晶薄膜太阳能电池　[申请号/专利号：200810035501]
申请人/专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
本发明公开了一种可见－红外波段吸收的非晶薄膜太阳能电池，该电池包括：衬底，在衬底上通过磁控溅射方法生成的二个串联的薄膜太阳能子电池。所说的二个串联的薄膜太阳能子电池是由...
2008年8月27日
12
单个共形结纳米线光伏器件　[申请号/专利号：200710142489]
申请人/专利权人：通用电气公司
在有些实施方案中，本发明的目标在于包含涂有薄共形涂层的细长纳米结构的光伏器件（例如，太阳能电池）。这种共形涂层一般提供基本连续的电荷分离结。取决于实施方案，这类器件能包...
2008年2月27日
13
2008年6月11日
14
陶瓷基片结晶硅薄膜太阳能电池　[申请号/专利号：200720040107]
申请人/专利权人：常州市亚玛顿科技有限公司
本实用新型涉及一种陶瓷基片硅薄膜太阳能电池，特别涉及一种陶瓷基片结晶硅薄膜太阳能电池。它包括基片（１）、导电膜及匹配层（２）、匹配层和透明导电膜层（６），下电极引线（７...
15
陶瓷基片非晶硅薄膜太阳能电池　[申请号/专利号：200720040106]
申请人/专利权人：常州市亚玛顿科技有限公司
本实用新型涉及一种陶瓷基片硅薄膜太阳能电池，特别涉及一种陶瓷基片非晶硅薄膜太阳能电池。它包括基片（１）、导电膜及匹配层（２）、匹配层和透明导电膜层（６），下电极引线（７...
16
一种柔性太阳能电池　[申请号/专利号：200720118154]
申请人/专利权人：李毅
本实用新型涉及在改性的高透光率的柔性基片上制造太阳能光伏电池，属于柔性非晶硅薄膜太阳能电池制造技术领域。本实用新型以提高光电转化效率为目的，用改性的，透光率９０％－９３...
17
薄膜硅太阳能电池中的纳米线　[申请号/专利号：200710142488]
申请人/专利权人：通用电气公司
在有些实施方案中，本发明涉及包含硅（Ｓｉ）纳米线１０１为活性ＰＶ元件的光伏（ＰＶ）器件１００、２００和１４００，在其中，这类器件一般都是薄膜Ｓｉ太阳能电池。这类太阳能电...
2008年3月5日
18
以掺硼非晶金刚石薄膜为窗口层的a-Si:H太阳电池及其制备方法　[申请号/专利号：200710071698]
申请人/专利权人：哈尔滨工业大学
以掺硼非晶金刚石薄膜为窗口层的ａ－Ｓｉ∶Ｈ太阳电池及其制备方法，它涉及一种非晶硅太阳电池及其制备方法。它解决了现有ｐ型非晶硅层太阳电池转化效率较低的问题。它的康宁玻璃（...
2007年8月1日
19
氢化非晶硅薄膜太阳电池及制备方法　[申请号/专利号：200710020383]
申请人/专利权人：江苏林洋新能源有限公司
本发明公开了一种氢化非晶硅薄膜太阳电池及制备方法，产品包括在铟锡氧化物透明导电膜玻璃上设有第一层Ａｇ／Ｃｒ电极，在铟锡氧化物透明导电膜玻璃上依次设置掺硼的ｐ型氢化非晶硅...
2007年8月15日
20
光电元件　[申请号/专利号：200310114921]
申请人/专利权人：佳能株式会社
提供一种光电元件，在设置了透明性保护部件后的最终制品状态下其转换效率高、制造成本低、轻质、且综合性能优越。该光电元件，从光入射侧依次包含具有ｉ型非晶态半导体的第一ｐｉｎ...
2004年6月2日
21
一种叠层高效纳米硅薄膜太阳能电池　[申请号/专利号：200810024201]
申请人/专利权人：无锡市纳微电子有限公司
本发明为一种叠层高效纳米硅薄膜太阳能电池。其光热稳定性好，转换效率高，稳定性、可靠性较好，生产成本低。其包括材质为玻璃或有机薄膜的电池底层（１），底层（１）设置有ＰＩＮ...
2008年10月22日
22
叠层型光电元件　[申请号/专利号：200310114917]
申请人/专利权人：佳能株式会社
提供一种叠层型光电元件，由在基体上层叠多个具有ｐｉｎ结的光电元件而成，上述ｐｉｎ结是由用以Ⅳ族元素为主成分的非单晶构成的ｐ型半导体层、ｉ型半导体、ｎ型半导体层形成的，其...
2004年6月2日
23
一种双结层太阳能电池及其制造方法　[申请号/专利号：200610039199]
申请人/专利权人：姜堰新金太阳能光伏制造有限公司
本发明公开了一种双结层太阳能电池及其制造方法，其结构为基底（４）－银电极层（５）／金属氧化物透明导电层（６）／ｎ型微晶硅（７）－ｉ型微晶硅（８）－ｐ型非晶硅或ｐ型微晶硅...
2006年10月25日
24
串联薄膜太阳能电池　[申请号/专利号：200510113841]
申请人/专利权人：三菱重工业株式会社
本发明公开了一种串联薄膜太阳能电池，所述串联薄膜太阳能电池包括：第一导电层（２０），形成于透明衬底（１０）上；第一太阳能电池层（１５０），形成于所述第一导电层（２０）上...
2006年5月10日
25
一种太阳能电池及其制备方法　[申请号/专利号：200610044272]
申请人/专利权人：威海蓝星玻璃股份有限公司
本发明涉及可再生能源领域的硅薄膜太阳能电池技术领域，具体地说是一种太阳能电池及其制备方法，特征是在沉积窗口层ｐ（１）前用Ｈ等离子体对透明导电膜Ｔ进行预处理形成表面处理层...
2006年11月22日
26
半导体器件的形成方法　[申请号/专利号：200410036680]
申请人/专利权人：佳能株式会社
一种利用高频等离子体ＣＶＤ法形成半导体器件的方法，所述半导体器件在衬底上具有由硅系列薄膜构成的多个ｐｉｎ结，其特征在于，按下述顺序进行如下工序：形成第一半导体层的工序；...
2004年12月1日
27
用于铟镓砷/磷化铟平面PIN光电探测器芯片制作的外延片结构　[申请号/专利号：200410036171]
申请人/专利权人：厦门三安电子有限公司
本发明公开一种制造长波长光通信用铟镓砷／磷化铟平面ＰＩＮ光电探测器芯片的Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体材料；在进行铟镓砷／磷化铟平面ＰＩＮ光电探测器芯片制作中，外延片结构决定了芯...
2006年5月3日
28
叠层型光电元件　[申请号/专利号：200410031301]
申请人/专利权人：佳能株式会社
在包括在支撑体１０２上顺序叠层了金属层１０３，下部透明导电层１０４，由非单晶硅构成的第１ｎ层１０５，由微晶硅构成的第１ｉ层１０６，由非单晶硅构成的第１ｐ层１０８，由非单...
2004年11月3日
29
层积型光电变换装置　[申请号/专利号：200480001413]
申请人/专利权人：株式会社钟化
一种层积型光电变换装置，在衬底（１）上从光入射侧顺序层积一导电型层（３１、５１）、实质本征半导体的光电变换层（３２、５２）、及含有反向导电型层（３３、５３）的多个光电变...
2005年12月7日
30
半导体器件和硅基膜的形成方法　[申请号/专利号：02121842]
申请人/专利权人：佳能株式会社
本发明提供一种包括硅基膜构成的半导体结的半导体器件，其特征是，至少一层硅基膜含微晶，微晶位于含无取向性的微晶的硅基膜的至少一个界面区中。还提供一种包括硅基膜构成的半导体...
2002年12月11日
31
叠层型光电动势装置　[申请号/专利号：200610100509]
申请人/专利权人：三洋电机株式会社
本发明的光电动势装置，在光入射侧配置有将非晶硅层（８）作为光电变换层的光电动势组件，在其后侧配置有将微晶硅层（５）作为光电变换层的光电动势组件，其特征在于，将利用红外吸...
2007年1月10日
32
叠层型光电元件及其制造方法　[申请号/专利号：200410038646]
申请人/专利权人：佳能株式会社
本发明涉及一种叠层型光电器件，该光电器件叠置多层具有ｐｉｎ结构的单位元件、在该层叠的单位元件的光入射侧的面上具有透明电极，设置于上述光入射侧的透明电极是由氧化铟锡（ＩＴ...
2004年12月1日
33
一种硅光电二极管的制造方法　[申请号/专利号：200410099042]
申请人/专利权人：上海贝岭股份有限公司
一种硅光电二极管的制造方法，包含下列步骤：选择一种高电阻率的区熔单晶片作为初始材料，该材料表现为Ｎ型；晶片正面开出环状区域作为保护环区，扩散入浓磷；正面采用注入的方法注...
2006年7月5日
34
光电二级管及其制造方法　[申请号/专利号：200410097430]
申请人/专利权人：三星电子株式会社
本发明涉及光电二极管及其制造方法。例如，一种制造光电二极管的方法包括：在半导体衬底上形成第一导电类型的掩埋层，并在掩埋层上形成第一本征帽盖外延层。在第一本征帽盖外延层上...
2005年6月1日
35
具有与掩埋层接触的导电插塞的光电二极管及其制造方法　[申请号/专利号：200410010420]
申请人/专利权人：三星电子株式会社
制造光电二极管的方法包括在衬底上顺序地形成第一导电类型的掩埋层、第一导电类型的第一外延层和第二导电类型的第二外延层。蚀刻第二和第一外延层以形成暴露部分掩埋层的沟槽。在沟...
2005年6月8日
36
改进的光电探测器　[申请号/专利号：03803039]
申请人/专利权人：派克米瑞斯公司
本发明包含具有由第二ｐ型半导体层耦合的第一ｐ型半导体层和ｎ型半导体层的光电二极管。第二ｐ型半导体层在沿载流子的路径上具有分级的掺杂。具体而言，掺杂的浓度分级为从阳极附近...
2005年11月23日
37
高传输速度PIN型红外线接收二极管　[申请号/专利号：02236187]
申请人/专利权人：鼎元光电科技股份有限公司
本实用新型是在提供一种高传输速度ＰＩＮ型红外线接收二极管，其包括有：一厚Ｎ型半导体层；一层叠于上述厚Ｎ型半导体层的薄Ｉ型半导体层；一配置于上述薄Ｉ型半导体层中央处的Ｐ型...
38
硅基薄膜的形成方法,硅基薄膜和光电元件　[申请号/专利号：01124925]
申请人/专利权人：佳能株式会社
在用含有卤化硅和氢气的源气的高频等离子体ＣＶＤ中，将由公式Ｑ＝Ｐ↓［Ｏ］×Ｐ↓［Ｒ］／Ｓ／ｄ确定的Ｑ值控制为５０或更高，其中，Ｐ↓［Ｏ］（Ｗ）为供给功率，Ｓ（ｃｍ↑［２...
2002年1月9日
39
横向多晶硅PIN二极管及其制造方法　[申请号/专利号：01138535]
申请人/专利权人：国际商业机器公司
本发明公开了一种具有横向延伸的Ｉ区的Ｐ型区－本征区－Ｎ型区二极管。本发明还提供了一种制造本发明的Ｐ型区－本征区－Ｎ型区二极管的方法，该方法与诸如硅锗ＢｉＣＭＯＳ工艺的现...
2002年7月10日
40
光电转换装置　[申请号/专利号：200510003971]
申请人/专利权人：三菱重工业株式会社
一种光电转换装置，使用具有最合适的电阻率和透过率之间关系的透明电极或者透明导电膜来实现高光电转换率。在透明绝缘性基板上至少依次层积有：第一透明电极，由ｐ型硅层、ｉ型硅层...
2005年7月13日
41
利用微晶硅制造薄层太阳能电池的方法以及层序列　[申请号/专利号：200580044170]
申请人/专利权人：于利奇研究中心有限公司
本发明涉及一种用于利用微晶硅制造薄层太阳能电池的方法以及一种层序列。根据本发明，在ｐｉｎ薄层太阳能电池或ｎｉｐ薄层太阳能电池中，在涂敷微晶ｉ层之前，利用ＨＷＣＶＤ方法将...
2007年12月12日
42
光电元件及光电元件的形成方法　[申请号/专利号：200410090189]
申请人/专利权人：佳能株式会社
本发明提供光电元件及光电元件的形成方法。该光电元件，具有在基板上串联配置了第一ｐｉｎ结和第二ｐｉｎ结的结构，所述第一ｐｉｎ结的ｉ型半导体层由非晶质硅构成，所述第二ｐｉｎ...
2005年3月30日
43
制造串联型薄膜光电转换器件的方法　[申请号/专利号：03808022]
申请人/专利权人：株式会社钟化
一种制造串联型薄膜光电转换器的方法，其中：在膜沉积系统中，在衬底（１）上形成至少一个光电转换单元（３）；将具有该光电转换单元（３）的衬底（１）从膜沉积系统取出到空气中；...
2005年7月27日
44
在衬底上淀积氧化物膜的方法　[申请号/专利号：02817006]
申请人/专利权人：纳沙泰尔大学
本发明涉及一种在放置在腔室（２６）中的钢化玻璃衬底（１０）上淀积透明导电氧化物层（１２）的方法。本发明方法这样构成：提供原料源（３２，３４，３６），其中分别装有一种氧基...
2004年11月24日
45
光能转换装置　[申请号/专利号：01807883]
申请人/专利权人：索尼株式会社
一种光能转换装置１０，包含：形成在衬底上的第一杂质掺杂的半导体层５，它是混有第一杂质的半导体材料层；形成在第一杂质掺杂的半导体层５上的光活性层６，它是含氢的非晶半导体材...
2003年6月4日
46
半导体元件及其制造方法　[申请号/专利号：99105945]
申请人/专利权人：佳能株式会社
在包含微晶态半导体的半导体元件中，在微晶态晶粒内提供半导体结。而且在包含微晶态半导体的半导体元件中，提供不同直径的微晶态晶粒作为混合物，以便形成半导体层。因此，半导体结...
1999年10月13日
47
包含微晶态半导体的半导体元件　[申请号/专利号：200410005828]
申请人/专利权人：佳能株式会社
在包含微晶态半导体的半导体元件中，在微晶态晶粒内提供半导体结。而且在包含微晶态半导体的半导体元件中，提供不同直径的微晶态晶粒作为混合物，以便形成半导体层。因此，半导体结...
2004年9月29日
48
光电导薄膜和使用此薄膜的光生伏打器件　[申请号/专利号：200410061799]
申请人/专利权人：佳能株式会社
一种形成在基片上且至少含有氢和硅晶粒的光电导薄膜，用恒定光电流方法测量时，光电导薄膜的Ｕｒｂａｃｈ能Ｅｕ为６０ｍｅＶ或以下。该薄膜作为光电导薄膜，没有光退化，有很好的光...
2005年1月5日
49
低寄生电容结构的贯穿式光电二极管　[申请号/专利号：200510085437]
申请人/专利权人：桦晶科技股份有限公司
本发明公开一种贯穿式（ｒｅａｃｈ－ｔｈｒｏｕｇｈ）光电二极管，具有一活动区接线垫（ａｃｔｉｖｅ　　ｂｏｎｄｉｎｇ　　ｐａｄ），形成在光学活动区之上以降低接线垫与基板间的...
2007年1月24日
50
一种特殊的非晶硅光电池　[申请号/专利号：03239069]
申请人/专利权人：周庆明
一种特殊的非晶硅光电池、由玻璃基底（１）、透明电极（２）、非晶硅层（３）背电极（４）、背电极（５）构成。透明电极（２）由ＩＴＯ或二氧化锡透明导电膜制成，非晶硅层（３）由...
 

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