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| 一种制造串联型薄膜光电转换器的方法，其中：在膜沉积系统中，在衬底（１）上形成至少一个光电转换单元（３）；将具有该光电转换单元（３）的衬底（１）从膜沉积系统取出到空气中；衬底（１）被插入膜沉积系统中，并且在氢气以及包含与衬底（１）上的光电转换单元（３）的最高导电型层（３３）相同类型的导电型确定杂质元素的气体的混合环境中，衬底（１）经过等离子暴露；通过附加供应半导体材料气体给膜沉积系统，形成导电型中间层（５）；然后形成下一个光电转换单元（４）。 |
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制造串联型薄膜光电转换器件的方法
一种制造串联型薄膜光电转换器件的方法，其特征在于包括步骤： 在沉积装置中，在衬底（１）上形成至少一个光电转换单元（３）； 将具有光电转换单元（３）的衬底（１）从沉积装置取出到空气； 将衬底（１）引入沉积装置中，并且在包含用于确定与最高导电型层（３３）相同导电型的导电型的杂质元素和氢的气体混合的环境中，在衬底（１）上进行等离子暴露处理； 通过附加供应半导体原料气体给沉积装置，形成导电型中间层（５）；以及 然后形成随后的光电转换单元（４）。
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