杂质材料的扩散，例如在半导体或半导体的交界区掺入或析出掺杂材料，电极材料；杂质材料的再分配，例如，不引入或去除过多的掺杂剂-钱眼专利分类

真空装置的密封结构　[申请号/专利号：200680001442]
申请人/专利权人：东京毅力科创株式会社
本发明涉及一种使真空容器（２）和与真空容器（２）的开口部连接并封闭该开口部的部件的盖体（３）之间密封的密封结构。在存在于真空容器（２）与盖体（３）之间的弹性体制的Ｏ形环...

2007年12月19日

提高双向小晶闸管Ⅲ象限触发灵敏度的工艺方法　[申请号/专利号：200810019655]
申请人/专利权人：启东吉莱电子有限公司
本发明涉及一种提高双向小晶闸管Ⅲ象限触发灵敏度的工艺方法，通过改进现有双向晶闸管的生产工艺，使晶闸管触发电流与Ｖ↓［ＤＲＭ、ＲＲＭ］更接近，从而提高双向小晶闸管Ⅲ象限触...

2008年8月6日

江苏

减低启动电压随栅极长度变异而改变的方法　[申请号/专利号：200510092060]
申请人/专利权人：力晶半导体股份有限公司
本发明提供一种减低启动电压随栅极长度变异而改变的方法，其主要利用角度掺杂以及邻近晶体管元件的遮蔽效应而自动补偿晶体管元件因栅极长度的差异所造成其启动电压的变动，包括下列...

2007年2月21日

硅双面扩散衬底片加工方法　[申请号/专利号：200710035895]
申请人/专利权人：衡阳晶体管有限公司
一种硅双面扩散衬底片加工方法，其特征是在主扩、单面研磨之间增设线切割工序，将双面扩散片沿厚度中心线切开，经研磨后抛光即得两片衬底扩散材料片。扩散成本接近常规加工方法的一...

2008年5月7日

湖南

磊晶基板及液相磊晶生长方法　[申请号/专利号：200710139910]
申请人/专利权人：信越半导体股份有限公司
本发明提供一种磊晶基板，是通过液相磊晶生长方法在基板上层积磊晶层而成的磊晶基板，其层积在上述基板上的磊晶层中的碳浓度轮廓，与基于由碳制成的用以保持溶剂的治具供给而得到的...

2008年2月6日

对外延基片减少高浓度参杂物外扩的方法　[申请号/专利号：200610028258]
申请人/专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
本发明公开了一种对外延基片减少高浓度参杂物外扩的方法，该方法通过在外延基片背面多晶硅、氧化硅的基础上增加氮化硅薄膜，可以降低背面氧化膜的厚度要求，降低制造成本，并能减少...

2008年1月2日

上海

使用宽射束的非均一离子注入设备及方法　[申请号/专利号：200610004409]
申请人/专利权人：海力士半导体有限公司
本发明公开了一种非均一离子注入设备，包括：宽离子束产生器，用于产生宽离子束，该宽离子束包含照射在晶片被分成多个区中的至少二个区上的多个宽离子束；及晶片驱动单元，用于当以...

2007年1月10日

韩国

半导体片纵式热处理装置用磁性流体密封单元　[申请号/专利号：200580043902]
申请人/专利权人：株式会社理学
在旋转轴（２０）的下端固定有从单元主体（３０）的下方向外周翻回的外壳构件（６０）。利用磁性流体密封部（４０），将旋转轴（２０）与单元主体（３０）之间的间隙磁性密封。另外...

2007年12月5日

立式热处理装置及其使用方法　[申请号/专利号：200580000806]
申请人/专利权人：东京毅力科创株式会社
本发明的立式热处理装置，其特征在于，包括如下部分：收容被处理体的处理容器；包围所述被处理体的周围而设置，加热所述处理容器，并具有急速冷却功能的主加热器；在所述处理容器的...

2006年10月4日

制造p-型Ⅲ族氮化物半导体的方法和制造其电极的方法　[申请号/专利号：200710149595]
申请人/专利权人：株式会社丰田中央研究所
本发明提供一种具有优异的可靠性和可再现性的ｐ－型Ⅲ族氮化物半导体的制造方法。在ｎ↑［－］－ＧａＮ层表面上形成光刻胶掩模。接着，形成Ｍｇ膜以覆盖所述ｎ↑［－］－ＧａＮ层和...

2008年3月26日

薄膜半导体装置和该薄膜半导体装置的制造方法　[申请号/专利号：200710154784]
申请人/专利权人：索尼株式会社
一种薄膜半导体装置及其制造方法，在该制造方法中，在存在ｎ型或ｐ型杂质的情况下以能量束点照射半导体薄膜，以形成浅扩散层，在该浅扩散层中，所述杂质仅在半导体薄膜的表面层中扩...

2008年3月26日

扩散抛光片单侧主扩散制作方法　[申请号/专利号：200710055275]
申请人/专利权人：吉林华微电子股份有限公司
一种扩散抛光片单侧主扩散制作方法，属于半导体器件制造工艺技术领域。现有方法不管是预扩散还是主扩散，扩散过程始终在硅单晶片两侧同时同样地进行，硅单晶片的结构呈Ｎ↑［＋］－...

2007年9月5日

吉林

半导体硅基板用热处理夹具　[申请号/专利号：200580019566]
申请人/专利权人：株式会社上睦可
提供一种半导体硅基板用热处理夹具，其接触于半导体硅基板并对其进行保持，并被搭载于纵型热处理炉的热处理舟，其中，夹具形状是环结构或圆板结构，其厚度为１．５ｍｍ以上、６．０...

2007年5月23日

立式热处理装置及移载机构的自动示教方法　[申请号/专利号：200580009616]
申请人/专利权人：东京毅力科创株式会社
本发明涉及立式热处理装置（１）的移载机构（２１），其具有可升降及可旋转的基台（２５）和配置在该基台上的可进退并支承晶片（Ｗ）的多个基板支承件（２０）。在基台（２５）上，...

2007年3月21日

半导体结构及其制造方法　[申请号/专利号：200610137539]
申请人/专利权人：国际商业机器公司
提供一种方法，其允许经由新颖表面制备方案，在相异掺杂的半导体表面（ｎ型和ｐ型）上进行均匀、同时的半导体材料的外延生长，而不使衬底变薄，以及一种将此方案实现到用于集成电路...

2007年5月9日

平面型雪崩光电二极管　[申请号/专利号：200480043236]
申请人/专利权人：派克米瑞斯有限责任公司
一种平面型雪崩光电二极管，包括装置上部的小的局部接触层、和定义下部接触区的半导体层，该局部接触层或者由扩散工艺或者由蚀刻工艺制造。半导体倍增层位于该两接触区之间，而半导...

2007年9月12日

Ⅲ族元素两次扩散提高大功率晶闸管阻断伏安特性的方法　[申请号/专利号：200610048001]
申请人/专利权人：鞍山市华辰电力器件有限公司
本发明涉及大功率电力半导体器件晶闸管生产工艺领域，尤其涉及一种Ⅲ族元素两次扩散提高大功率晶闸管阻断伏安特性的方法。该方法包括超砂、清洗硅片、清洗石英闭管源瓶、一次扩散、...

2007年3月21日

辽宁

石英制品的烘焙方法、计算机程序和存储介质　[申请号/专利号：200710112615]
申请人/专利权人：东京毅力科创株式会社
本发明提供一种石英制品的烘焙方法。作为半导体制造装置的热处理装置的部件、即石英制品在加工时被铜污染，当运转热处理装置时，抑制对半导体基板产生的铜污染。在半导体基板的热处...

2007年12月26日

一种透明石英扩散反应炉管的制造方法　[申请号/专利号：200710020024]
申请人/专利权人：连云港市东海县宏伟石英制品有限公司
一种透明石英扩散反应炉管的制造方法，将原料投入到连熔炉的钨坩埚内进行熔炼，炉内工作温度为２４００℃～２５００℃，钨坩埚底部挡料台向上的高温区的高度为７５０ｍｍ～８５０ｍ...

2007年8月8日

江苏

半导体元件及其制造方法　[申请号/专利号：200510073526]
申请人/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
本发明提供一种半导体元件及其制造方法，具体涉及一种降低硅之中的应力以助于在硅上方形成硅化镍的方法。该方法包括：应力补偿的源／漏区离子布植制程、于非晶硅层上形成一硅化物的...

2006年1月4日

防止击穿的半导体元件的制造方法　[申请号/专利号：200510065609]
申请人/专利权人：力晶半导体股份有限公司
一种防止击穿的半导体元件的制造方法，此方法适用于基底，且基底中已形成有平行排列的多个元件隔离结构以定义出多个有源区，且这些元件隔离结构的上表面突出于基底表面。另外，在基...

2006年11月1日

热处理装置　[申请号/专利号：200710152463]
申请人/专利权人：东京毅力科创株式会社
本发明提供一种热处理装置，其特征在于，包括：处理容器，其下部具有炉口，并且具有用于收容被处理体且能够在减压状态下对该被处理体进行规定热处理的石英制容器主体；金属制盖体，...

2008年4月16日

硅基材料层、方法、结构、器件、发射器和显示器　[申请号/专利号：200510084787]
申请人/专利权人：三星电子株式会社
公开了形成硅基材料层的方法，以及由所述方法形成的硅基材料层和包含所述硅基材料层的器件。所述方法包括：在硅基衬底上形成非晶层，采用金属离子对所述非晶层的至少一区域进行掺杂...

2006年2月15日

韩国

热处理装置及热处理方法　[申请号/专利号：200480011439]
申请人/专利权人：东京毅力科创株式会社
本发明的热处理装置具有：容纳被处理体的处理容器；加热上述处理容器的多个加热器；分别检测上述处理容器的多个规定位置的温度的多个温度传感器；存储用于从上述多个温度传感器的输...

2006年5月31日

磷硼同时扩散制造高效硅太阳电池的方法　[申请号/专利号：200610038978]
申请人/专利权人：江苏林洋新能源有限公司
本发明公开了一种磷硼同时扩散制造高效硅太阳电池的方法，包括硼、磷扩散步骤，硼、磷扩散采用下述步骤：取带有多条平行凹槽的源片，在源片每条凹槽的左右两半分别涂上ＳｉＯ↓［２...

2006年10月11日

江苏

热处理用晶片支持器具及热处理装置　[申请号/专利号：200480003487]
申请人/专利权人：信越半导体株式会社
本发明是提供一种不会发生由高温热处理引起的伤痕或滑移位错，且加工容易、可降低成本的热处理用晶片支持器具及热处理装置。本发明的热处理用晶片支持器具，是至少具有支持热处理的...

2006年3月15日

温度调整方法、热处理设备以及半导体器件的制造方法　[申请号/专利号：200580034896]
申请人/专利权人：株式会社日立国际电气
热处理设备中的温度调整方法，该热处理设备具有对处理衬底的处理室内进行加热的加热装置、控制该加热装置的加热控制部、配置在上述处理室内的靠近上述衬底的位置的第一温度检测装置...

2007年9月19日

硅片热处理夹具和硅片热处理方法　[申请号/专利号：200480008600]
申请人/专利权人：株式会社上睦可
本发明提供一种硅片热处理夹具和热处理方法，在相互隔开间隔地从支承框向中心点突出的３个支承臂部的上侧设有支承突起，在将硅片载置在上述支承突起上、在热处理炉内进行热处理时，...

2006年5月3日

杂质导入方法　[申请号/专利号：200480004634]
申请人/专利权人：松下电器产业株式会社
本发明提供包括在半导体衬底的表面形成非晶层的工序以及在非晶化的上述半导体衬底上形成浅的杂质导入层的工序的杂质导入方法和该方法所使用的装置，特别是其特征在于，形成非晶层的...

2006年3月22日

半导体晶片用热处理夹具　[申请号/专利号：200480009308]
申请人/专利权人：株式会社上睦可
一种半导体晶片用热处理夹具，是在其上面搭载半导体晶片并进行热处理的圆盘形状的热处理夹具，通过使其厚度在１．０ｍｍ以上、１００ｍｍ以下，且使与所述晶片接触的面的表面粗糙度...

2006年5月10日

隔热壁体、发热体保持构造体、加热装置及基板处理装置　[申请号/专利号：200620006680]
申请人/专利权人：株式会社日立国际电气
一种隔热壁体，防止发热体的卡挂，将发热体的变形防止于未然。在设有发热体（４２）的安装槽（４０）的侧壁上设有倾斜的锥面（４０ｂ、４０ｃ），该锥面（４０ｂ、４０ｃ）是朝着隔...

制作结的方法以及采用该方法形成的已加工材料　[申请号/专利号：200480029733]
申请人/专利权人：松下电器产业株式会社
一种形成浅结的方法，其步骤简单，并且具有高精确度和高生产量。建立适于所要施加的电磁波的波长的衬底表面状态。之后，施加电磁波对杂质进行电激活，从而使激励能量在杂质薄膜中得...

2006年11月22日

半导体制造装置及半导体制造方法　[申请号/专利号：200480035360]
申请人/专利权人：三菱电机株式会社
本发明涉及一种半导体制造装置及半导体制造方法，其目的在于与厚度无关，容易且稳定地处理晶片。为实现上述目的，半导体制造装置具有：上方具有开口的盒（１００），收纳１个半导体...

2006年12月27日

一种热处理用立式晶舟　[申请号/专利号：200480020071]
申请人/专利权人：信越半导体股份有限公司
一种热处理用立式晶舟１０，具有顶板１、底板２、以及固定于该顶板与底板之间的支柱构件，并于该支柱构件形成有多个槽８，在各槽之间形成有支撑部，用以水平地支撑晶圆状的被处理体...

2006年8月23日

杂质导入方法、导入装置以及由其形成的半导体装置　[申请号/专利号：200480016193]
申请人/专利权人：松下电器产业株式会社
本发明提供一种在向基板导入杂质中能够进行高精度控制的杂质导入方法及杂质导入装置。在保持台（４）上载置被处理基板（５）并且由旋转驱动轴（１３）旋转。在使真空泵（６）动作之...

2006年7月19日

杂质导入方法和杂质导入装置　[申请号/专利号：200510092358]
申请人/专利权人：松下电器产业株式会社
一种杂质导入方法和装置，其经济地能够精密地控制杂质导入量，并且能够抑制杂质深扩散。非晶质处理室包括：容器（１）、设于容器（１）内的试料台（２）、与试料台（２）相对设置的...

2006年3月1日

低热阻器件的形成方法和结构　[申请号/专利号：200510113567]
申请人/专利权人：半导体元件工业有限责任公司
形成一种半导体器件，以具有减小半导体器件的热阻的形状。...

2006年5月17日

低热阻的半导体器件及其方法　[申请号/专利号：200510113566]
申请人/专利权人：半导体元件工业有限责任公司
形成一种半导体器件，以具有减小半导体器件的热阻的形状。...

2006年5月17日

立式热处理装置和被处理体移送方法　[申请号/专利号：200580000305]
申请人/专利权人：东京毅力科创株式会社
在立式热处理装置中，通过被处理体收纳容器（托架）（１６）和环状支撑板（１５）在与上下方向隔开间隔保持多个被处理体的被处理体保持工具（舟皿）（９）之间移送被处理体的改良移...

2006年5月17日

半导体处理用的立式晶舟及立式热处理装置　[申请号/专利号：200610156580]
申请人/专利权人：东京毅力科创株式会社
半导体处理用的立式晶舟，在对多个被处理基板实施热处理时搭载多个被处理基板。立式晶舟包括在圆周方向上留有间隔地被固定在固定部件上的多个支柱、及在高度方向留有间隔地被分别配...

2007年7月4日

发热体的保持构造体、绝缘构造体、加热装置　[申请号/专利号：200610071080]
申请人/专利权人：株式会社日立国际电气
一种发热体的保持构造体，防止发热体的一对供电部彼此的短路及熔接。在具备使用隔热材料形成为圆筒形状的隔热块（３６）和一对供电部（４５、４６）的发热体（４２）、将发热体（４...

2007年4月4日

隔热壁体、发热体保持构造体、加热装置及基板处理装置　[申请号/专利号：200610071079]
申请人/专利权人：株式会社日立国际电气
一种隔热壁体，防止发热体的卡挂，将发热体的变形防止于未然。在设有发热体（４２）的安装槽（４０）的侧壁上设有倾斜的锥面（４０ｂ、４０ｃ），该锥面（４０ｂ、４０ｃ）是朝着隔...

2007年4月4日

等离子体掺杂方法　[申请号/专利号：200580042734]
申请人/专利权人：松下电器产业株式会社
目的是实现一种能够精确控制剂量来改善剂量的面内均匀性的等离子体掺杂方法。该等离子体掺杂方法基于这样的发现而且注意到结果，如果通过用Ｂ↓［２］Ｈ↓［６］等离子体照射硅基板...

2007年11月21日

立式热处理装置及其运用方法　[申请号/专利号：200580022267]
申请人/专利权人：东京毅力科创株式会社
本发明的立式热处理装置具备在下方具有炉口的热处理炉。将被处理体在上下方向搭载在多段中的晶舟，通过上述炉口被收容在上述热处理炉的内部。支撑上述晶舟的盖体能够闭塞上述炉口。...

2007年6月13日

高阻值的硅层及其制造方法　[申请号/专利号：200510064100]
申请人/专利权人：联华电子股份有限公司
一种高阻值的硅层，其配置于基底上。此高阻值的硅层包括多个硅材料层以及配置于相邻二硅材料层之间的界面层。其中，这些硅材料层与界面层中具有掺杂物，且所注入的掺杂物剂量介于１...

2006年10月18日

直接或间接带隙组成的Ⅲ-V族含铝化合物的掺杂及方法　[申请号/专利号：200510029096]
申请人/专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
本发明涉及由直接带隙二元系和间接带隙二元系组成的三元系Ⅲ－Ⅴ族含铝砷化物和锑化物的掺杂及方法，具体涉及ＡｌＩｎＡｓ、ＡｌＧａＡｓ和ＡｌＧａＡｓＳｂ多元系外延材料及其在全...

2006年2月22日

上海

制造重掺杂半导体晶圆的工艺，及无位错、重掺杂半导体晶圆　[申请号/专利号：200510006833]
申请人/专利权人：硅电子股份公司
本发明涉及一种用于制造重掺杂半导体晶圆的工艺，在该工艺中，掺杂使用至少两种电气性活跃的并且属于元素周期系统同一族的掺杂剂。本发明还涉及一种无位错并且用至少两种掺杂剂掺杂...

2005年8月3日

联邦

掺杂方法,制造半导体器件和施加电子仪器的方法　[申请号/专利号：200510008156]
申请人/专利权人：索尼株式会社
在硅膜表面上施加含有掺杂离子的溶液形成溶液层，然后干燥成含有杂质的复合层。用能量束辐照进行热处理，使复合层中的掺杂原子向硅膜扩散，进入源区和漏区。然后除去复合层。...

2005年8月17日

由硅制造掺杂半导体晶片的方法以及该半导体晶片　[申请号/专利号：200510091416]
申请人/专利权人：硅电子股份公司
本发明涉及一种由硅制造掺杂半导体晶片的方法，这些掺杂半导体晶片含有一种诸如硼、磷、砷或锑的电活性掺杂剂，并任选额外用锗掺杂，且具有特定的热导率，其中，由硅制成单晶，并进...

2007年2月14日

联邦