以场效应工作为特征的，如MIS型探测器-钱眼专利分类

具有沟道方向中的应力修改和电容减少特征部件的晶体管结构及其方法　[申请号/专利号：200580027628]
申请人/专利权人：飞思卡尔半导体公司
一种晶体管（４０）包括具有外围的有源区，该外围具有相反的侧面；以及位于有源区中的源极（４４）和漏极（４２）。栅极（４６）覆盖有源区的沟道区域，该沟道区域分隔源极（４４）...

2007年7月25日

美国

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具有表面击穿保护的低压穿通双向瞬态电压抑制器件及其制造方法　[申请号/专利号：02813909]
申请人/专利权人：通用半导体公司
提供了一种双向瞬态电压抑制器件。该器件包括：ｐ＃＋［＋］型导电性的下半导体层（１４）；ｐ＃＋［＋］型导电性的上半导体层（１８）；ｎ型导电性的中间半导体层（１６），与上和...

2005年4月6日

美国

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以单一掩模组结合只读元件的非易失性晶体管存储器阵列　[申请号/专利号：200580016660]
申请人/专利权人：爱特梅尔股份有限公司
一种具有排列成排及列的相同布局或基底的存储器单元的存储器阵列。存储器单元有些是电可擦可编程只读存储器单元（ＥＥＰＲＯＭ）（图１及图２），而其余存储器单元是只读存储器单元...

2007年5月2日

美国

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分离的多晶SiGe/多晶Si合金栅极堆叠　[申请号/专利号：200480029021]
申请人/专利权人：国际商业机器公司
本发明涉及场效应晶体管器件的多层栅极电极堆叠结构，其形成在栅极电介质（４３）上硅纳米晶体籽晶层（４１）上。硅纳米晶体层的小晶粒尺寸允许利用原位快速热化学气相沉积（ＲＴＣ...

2006年11月15日

美国

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磁隧道结元件结构和用于制造该结构的方法　[申请号/专利号：200580023937]
申请人/专利权人：飞思卡尔半导体公司
提供了磁隧道结（ＭＴＪ）元件结构和用于制造ＭＴＪ元件结构的方法。ＭＴＪ元件结构（１０）可以包括晶体钉扎层（２６）、非晶体固定层（３０）以及置于晶体钉扎层和非晶体固定层之...

2007年6月20日

美国

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肖特基器件和形成方法　[申请号/专利号：200580021992]
申请人/专利权人：飞思卡尔半导体公司
传导层（４１）包括第一部分，其与下面的具有第一传导类型的第一区域形成了肖特基区域（２５）。具有第二传导类型的第二区域（１３）位于第一区域（２２）下面，其中第二传导类型与...

2007年6月6日

美国

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具有改善的较小正向电压损耗的半导体器件以及制作方法　[申请号/专利号：02825190]
申请人/专利权人：费查尔德半导体有限公司
揭示一种半导体器件。这半导体器件包括一个或多个电荷控制电极的多个电荷控制电极。这些一个或多个电荷控制电极可控制半导体器件漂移区内的电场。...

2005年4月6日

美国

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互补氮化物晶体管垂直和共用漏极　[申请号/专利号：200580012306]
申请人/专利权人：国际整流器公司
本发明公开了一种半导体器件和用于制造所述器件的方法，其中所述半导体器件包括在不同平面上的欧姆接触，且用于制造所述器件的方法包括在连续的步骤中蚀刻不同电导率半导体层的半导...

2007年5月16日

美国

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半导体器件的制作方法及其制作的半导体器件　[申请号/专利号：200580007554]
申请人/专利权人：飞思卡尔半导体公司
一种制作半导体器件的方法包括下列步骤：提供其上形成有图形化互连层（１２０，５２０、１０２０、１６２０）的半导体衬底（１１０、５１０、１０１０、１６１０）；在图形化互连层...

2007年3月14日

美国

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全硅化金属栅极　[申请号/专利号：200580022861]
申请人/专利权人：国际商业机器公司
本发明提供一种包括全硅化金属栅极以及硅化源极和漏极区的先进栅极结构，其中全硅化金属栅极具有大于硅化源／漏极区厚度的厚度。本发明也提供形成该先进栅极结构的方法。...

2007年6月13日

美国

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具有颗粒半导体材料的应力半导体器件结构　[申请号/专利号：200480033367]
申请人/专利权人：国际商业机器公司
一种制造半导体器件结构的方法，包括：提供衬底（１），在所述衬底（１）上提供电极（６），在所述电极（６）中形成凹槽（１２），所述凹槽具有开口，在所述凹槽内设置小颗粒半导体...

2006年12月13日

美国

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具有增加的导通电阻的沟槽MOSFET器件　[申请号/专利号：02823246]
申请人/专利权人：通用半导体公司
一种沟槽ＭＯＳＦＥＴ器件，包括：第一导电类型的衬底（２００）；第一导电类型的外延层；其中该外延层具有比衬底更低的多数载流子浓度；延伸到外延区中的沟槽；沟槽内的绝缘导电区...

2005年11月9日

美国

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具有改良的漏极触点的沟槽双扩散金属氧化半导体器件　[申请号/专利号：02821853]
申请人/专利权人：通用半导体公司
一种沟槽ＤＭＯＳ晶体管器件，其包括：（ａ）第一导电类型的衬底；（ｂ）衬底上的第一导电类型的外延层，其中，该外延层比衬底具有较低的多数载流子浓度；（ｃ）沟槽，其从外延层的...

2005年2月16日

美国

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用于包覆栅金属氧化物半导体场效应晶体管的方法　[申请号/专利号：02818541]
申请人/专利权人：国际商业机器公司
本发明涉及一种包覆栅晶体管，其包括具有上表面和彼此相对的第一和第二侧表面的衬底。在衬底中形成源和漏区（２８），其间具有沟道区。沟道区从衬底的第一侧表面延伸到第二侧表面。...

2004年12月22日

美国

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具有垂直超薄体晶体管的开放位线动态随机存储器　[申请号/专利号：02807549]
申请人/专利权人：微米技术有限公司
本发明提供用于开放位线ＤＲＡＭ器件的结构和方法。开放位线ＤＲＡＭ器件包括存储单元阵列。存储单元阵列中的各个存储单元包括从半导体衬底（８１０）向外延伸的支柱（８４０）。支...

2004年5月26日

美国

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隔离沟槽　[申请号/专利号：200580013499]
申请人/专利权人：飞思卡尔半导体公司
本发明公开一种在晶片（２０１）中形成隔离沟槽（２０９）的工艺。该工艺包括在该沟槽（２０９）中淀积（如，通过定向淀积工艺）第一介质材料（３０７），以及在该沟槽（２０９）中...

2007年4月11日

美国

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低电容大面积半导体光电检测器及光电检测系统　[申请号/专利号：90110074]
申请人/专利权人：通用电气公司
公开一种提供低输出电容的大检测面积光电检测器件，光电检测系统使用该器件可降低噪声。该器件包含：单一导电类型的半导体材料的基体，邻近主要表面设置的相反导电型的大检测区和邻...

1991年7月10日

美国

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特征在于氧化还原电极的电子连接设备　[申请号/专利号：200580007313]
申请人/专利权人：俄亥俄州立大学研究基金会
本发明电子接点包括：（ａ）第一传导组件，包括：（ｉ）具有接触面的衬底；及（ｉｉ）具有第一和第二端的至少一层分子单元，其中至少一层分子单元通过选自下组的结合类型经其第一端...

2007年3月14日

美国

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减少四方性的铁电薄膜　[申请号/专利号：99811267]
申请人/专利权人：特尔科迪亚技术股份有限公司、马里兰州立大学
一种Ｐｂ↓［１－ｘ］Ｌａ↓［ｘ］Ｚｒ↓［ｙ］Ｔｉ↓［１－ｙ］Ｏ↓［３］或Ｐｂ↓［１－ｘ］Ｎｂ↓［ｘ］Ｚｒ↓［ｙ］Ｔｉ↓［１－ｙ］Ｏ↓［３］铁电材料，特别是晶向取向外延铁...

2001年10月24日

美国

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减少字线耦合噪声的置乱方法　[申请号/专利号：200580043581]
申请人/专利权人：德克萨斯仪器股份有限公司
本发明公开了一种减小由于字线耦合造成的阵列噪声的存储电路和方法。所述电路包括多个排列成行和列的存储单元。每一行具有第一部分（１１０２）和第二部分（１１０８）。第一导体耦...

2007年11月28日

美国

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有凹进箝位二极管的沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管　[申请号/专利号：200480043516]
申请人/专利权人：先进模拟科技公司、先进模拟科技（香港）有限公司
在包括在类似导电性的衬底（８４１）之上的外延层（８４２）以及包含厚底端氧化层（８４６）、侧壁栅氧化层（８５０）、和导电栅极（８４４）的沟槽的沟槽栅化ＭＯＳＦＥＴ（８４０...

2007年7月18日

美国

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磁阻位结构及其制造方法　[申请号/专利号：02820834]
申请人/专利权人：微米技术有限公司
本发明实施例提供一种使用传统触点和／或通路工艺步骤产生的磁性位结构。优选这是通过提供具有足够大位末端以容纳尺寸最小化接触孔或通路孔的磁性位结构来实现的。由此，接触孔或通...

2005年1月26日

美国

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具有减小导通电阻的双扩散场效应晶体管　[申请号/专利号：02807518]
申请人/专利权人：通用半导体公司
提供一种双扩散场效应晶体管及其形成方法。该方法首先提供第一导电类型的衬底（３００）。接着，将第一导电类型的至少一种掺杂剂种类引入衬底表面，以致衬底具有不均匀的杂质分布。...

2004年6月9日

美国

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具有垂直层叠跨接的存储单元设计　[申请号/专利号：97194710]
申请人/专利权人：英特尔公司
一种具有垂直层叠跨接（５２０，５２１）的存储单元（５０）。在现有的存储单元中，存储单元内的跨接连接在相同的器件层中实现。由于在布线设计中需要跨接并排地设置。所以浪费了有...

1999年7月7日

美国

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具有多种隔离体绝缘区宽度的集成电路　[申请号/专利号：200580006812]
申请人/专利权人：飞思卡尔半导体公司
一种同时具有隔离体绝缘区宽度不同的Ｐ沟道晶体管（８２３）和Ｎ沟道晶体管（８２１）的集成电路。在一个例子中，在将Ｐ沟道区（１１５）掩蔽的同时去除Ｎ沟道晶体管的外侧侧壁隔离...

2007年3月7日

美国

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具有低正向导通压降和低反向漏电流的半导体二极管　[申请号/专利号：98804966]
申请人/专利权人：弗拉姆技术公司
一种半导体二极管，具有低正向导通压降、低反向漏电流和高电压能力，适合于用在集成电路中和用做分立器件。可以和具有公用的栅和漏连接的场效应器件的制备一样，通过提供了很短沟道...

2000年5月31日

美国

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光和辐射的半导体探测器及其制造方法　[申请号/专利号：95190414]
申请人/专利权人：精工电子工业株式会社
为了提供用于探测光和辐射并把它们转变为电信号的高速低功耗的半导体探测器，用具有衬底背偏的ＰＭＯＳ晶体管作为探测单元，并排列在具有比Ｎ型衬底浓度高的ｎ↑［－］井中，用于形...

1996年9月4日

日本

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具有改进沟槽结构的沟槽DMOS晶体管　[申请号/专利号：03805814]
申请人/专利权人：通用半导体公司
提供一种沟槽ＤＭＯＳ晶体管单元，该沟槽ＤＭＯＳ晶体管单元包括第一导电性类型的衬底（１０４）和位于衬底上的体区（１１６），体区（１１６）具有第二导电性类型。至少一个沟槽（...

2007年2月7日

美国

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具有改进的LDMOS设计的集成电路结构　[申请号/专利号：200380105717]
申请人/专利权人：快捷半导体有限公司
包括ＬＤＭＯＳ器件结构的半导体集成电路，包括半导体层以及半导体层的上表面之上的一对空间分离的场效应栅极结构。栅极结构对之间的层部分中形成第一导电型的第一和第二空间分离的...

2006年4月5日

美国

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