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钱眼专利首页 > 有肖特基势垒栅极场效应晶体管的组件 的专利共 19 条
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1
矩阵开关　[申请号/专利号：200680000170]
申请人/专利权人：日本电信电话株式会社
四个ＳＰ４Ｔ开关（３↓［１］－３↓［４］）两两组合形成两个开关对。第一导线（４↓［１１］－４↓［１４］，４↓［２１］－４↓［２４］）四个一组地布置在构成开关对的开关（３...
2007年4月4日
2
减小电容和开关损失的肖特基二极管结构及其制造方法　[申请号/专利号：200580027614]
申请人/专利权人：飞兆半导体公司
本发明提供一种ＳｉＣ肖特基势垒二极管（ＳＢＤ），其具有一衬底和两个或两个以上外延层，所述外延层包含至少一个薄的轻微掺杂Ｎ型顶部外延层和一上面安置有最顶端外延层的Ｎ型外延...
2007年8月8日
3
凹入式半导体器件　[申请号/专利号：200580027015]
申请人/专利权人：飞思卡尔半导体公司
一种半导体结构包括第一半导体层（２２）、在第一半导体层上方的第二半导体层（２４）、在第二半导体层上方的第三半导体层（２５）和在第三半导体层上方的第四半导体层（２６）。第...
2007年7月18日
4
用于高K介电材料的界面层　[申请号/专利号：200580023883]
申请人/专利权人：飞思卡尔半导体公司
提供一种方法和装置，用于在硅衬底（１１）上沉积纯锗层（１２）。该锗层非常薄，在约１４＊的量级上，并且小于硅上纯锗的临界厚度。该锗层（１２）用作硅衬底（１１）和高ｋ栅极层...
2007年6月20日
5
半导体器件　[申请号/专利号：200580017592]
申请人/专利权人：日本电气株式会社、恩益禧电子股份有限公司
提供一种具有足够高的散热性能，同时抑制芯片面积增加的半导体器件。在半导体器件（１）中，在半导体衬底（１０）上一维交替地布置多个ＨＢＴ（２０）和多个二极管（３０）。二极管...
2007年5月9日
6
具有碳化硅耐久接触的方法和器件　[申请号/专利号：200580008778]
申请人/专利权人：仙童半导体公司
一种含肖特基势垒的碳化硅器件，具有铼肖特基金属接触。铼接触（２７）的厚度大于２５０埃，可在２０００埃至４０００埃之间。在肖特基接触的周围提供有由离子刻蚀而形成的环状终端...
2007年5月9日
7
半导体装置和使用其的模块　[申请号/专利号：200580003618]
申请人/专利权人：松下电器产业株式会社
本发明的半导体装置（２９）包括：两个电平移动开关（２８Ａ、２８Ｂ），具有第一电极、第二电极、控制电极和信号输出电极，同时具有第一半导体区域，该第一半导体区域构成为：介于...
2007年2月14日
8
高频集成电路　[申请号/专利号：200580034919]
申请人/专利权人：索尼株式会社
一种具有静电保护元件的高频集成电路，在其输入／输出端上配备有作为静电保护元件的场效应晶体管，由此提供了良好的高频特性，并且提高了ＥＳＤ电压的抵抗力。该高频集成电路具有高...
2007年9月19日
9
增强-耗尽场效应晶体管结构及其制造方法　[申请号/专利号：200580032251]
申请人/专利权人：皇家飞利浦电子股份有限公司
本发明涉及带有增强型晶体管和耗尽型晶体管的晶体管结构。为允许良好地控制两个晶体管的制造，使用了分别由第一和第二半导体材料制成的第一肖特基层（１０）和第二肖特基层（１２）...
2007年8月29日
10
肖特基势垒集成电路　[申请号/专利号：200480031457]
申请人/专利权人：斯平内克半导体股份有限公司
揭示了一种肖特基势垒集成电路，该电路具有至少一个ＰＭＯＳ器件或至少一个ＮＭＯＳ器件，至少一个ＰＭＯＳ器件或ＮＭＯＳ器件具有与半导体衬底形成肖特基势垒或类肖特基势垒接触的...
2006年11月29日
11
单个或多个栅极场板的制造　[申请号/专利号：200480025976]
申请人/专利权人：加利福尼亚大学董事会、克锐公司
一种制造单个或多个栅极场板的方法，其利用了下列连续步骤：在场效应晶体管表面上进行介电材料沉积／生长、介电材料蚀刻以及金属蒸镀。由于介电材料沉积／生长是一种充分可控的处理...
2006年10月25日
12
基于氮化镓的装置和制造方法　[申请号/专利号：200380100487]
申请人/专利权人：昂科公司
本发明涉及一种在硅基板（１０、２１０）上生成的氮化物半导体（３４，２３４），其通过沉积少量单层铝（１４，２１４）以保护硅基板使其在生长过程中不受所用的氨的影响，然后从氮...
2005年11月2日
13
具有槽限制的隔离扩散的互补模拟双极型晶体管　[申请号/专利号：03824204]
申请人/专利权人：先进模拟科技公司
一种半导体衬底，包括用电介质材料填充的一对槽。在衬底经历热处理时限制驱入槽之间台地中的掺杂剂横向扩散。因此，半导体器件可一起在衬底上更加紧密地间隔，并能提高器件的封装密...
2005年11月16日
14
肖特基壁垒CMOS器件及其方法　[申请号/专利号：03816343]
申请人/专利权人：斯平内克半导体股份有限公司
本发明揭示一种ＣＭＯＳ器件及其制造方法。本发明为ＣＭＯＳ器件和ＣＭＯＳ集成电路的范围内的源和／漏接触利用了肖特基壁垒接触，以消除对晕／阱注入，浅源／漏延伸的要求以控制短...
2005年9月14日
15
半导体装置　[申请号/专利号：200310101014]
申请人/专利权人：三洋电机株式会社
一种半导体装置，为了使开关电流装置为５ＧＨｚ，必须设置并联ＦＥＴ，为提高绝缘，栅极电极邻接的ＦＥＴ之间必须确保２０ｕｍ左右的间隔距离。在ＦＥＴ的栅极电极及电极焊盘、配线...
2004年5月19日
16
半导体装置　[申请号/专利号：02815748]
申请人/专利权人：三洋电机株式会社
本发明提供一种半导体装置，可以解决以下问题：在微波ＦＥＴ中，内在的肖特基接合或ＰＮ结电容小，这些接合对静电防护弱。但是在微波器件中由于连接保护二极管会增加寄生电容，导致...
2004年10月27日
17
双掩模沟槽肖特基整流器及其制造方法　[申请号/专利号：02810570]
申请人/专利权人：通用半导体公司
一种肖特基整流器，包括半导体结构，该半导体结构具有第一和第二相对表面（分别是１２ａ和１２ｂ），每个表面均延伸以限定形成有源半导体区（５）和终止半导体区（１０）。所述结构...
2005年5月25日
18
面结型场效应晶体管及其制造方法　[申请号/专利号：00818361]
申请人/专利权人：住友电气工业株式会社
一种面结型场效应晶体管及其制造方法，可以得到以低损失、能作高耐压及大电流切换动作的偏差少的面结型场效应晶体管（ＪＦＥＴ）。该ＪＦＥＴ包括：第二导电型的栅极区域（２），其...
2003年6月11日
19
电压容许接口电路　[申请号/专利号：99110120]
申请人/专利权人：精工爱普生株式会社
起所谓电压容许电路作用的接口电路，该电路可由例如３．３Ｖ的内部电源或由电源电压大于内部电源的外部电源、例如５Ｖ电源向其提供信号。由于消除了内部电路的浮动电压状态，所以在...
2000年2月9日
 

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