包含制作在半导体本体上的多层导电的和绝缘的结构的外引互连装置的-钱眼专利分类

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钱眼专利首页 > 包含制作在半导体本体上的多层导电的和绝缘的结构的外引互连装置的的专利共 960 条

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1

布线结构及其形成方法　[申请号/专利号：200810087411]
申请人/专利权人：富士通株式会社
本发明公开了一种布线结构及其形成方法。根据本发明一个实施例，通过自接触块的相对面朝彼此的相对面生长多个ＣＮＴ来形成ＣＮＴ束；以及，通过接触所述多个ＣＮＴ使它们相交，以实...

2008年10月1日

2

半导体器件　[申请号/专利号：200810110601]
申请人/专利权人：富士通株式会社
...

2008年12月3日

3

半导体器件及其制造方法　[申请号/专利号：200810086076]
申请人/专利权人：国际商业机器公司
本发明涉及一种半导体器件及其制造方法。公开了一种在半导体器件内形成腔的方法。所述方法包括在半导体器件的ＩＬＤ层内的腔的内表面上淀积抗成核层。所述抗成核层防止了在所述腔内...

2008年11月5日

4

显示设备及其制造方法　[申请号/专利号：200810084541]
申请人/专利权人：索尼株式会社
本发明公开了显示设备和该显示设备的制造方法，其中，像素具有沿与相邻像素的边界直线延伸的外侧区域和沿该外侧区域的内侧延伸的内侧区域。横跨外侧区域和内侧区域配置配线。由于配...

2008年10月1日

5

电极装置、电子纸及液晶显示器　[申请号/专利号：200810116473]
申请人/专利权人：京东方科技集团股份有限公司
本发明涉及一种电极装置、电子纸及液晶显示器，电极装置包括至少两个薄膜场效应晶体管ＴＦＴ电极，所述ＴＦＴ电极分上下两层，分别排列于像素内材料层的上下侧；所述上侧的ＴＦＴ电...

2008年11月19日

6

有源矩阵衬底,液晶显示面板及其制造方法　[申请号/专利号：200810091503]
申请人/专利权人：NEC液晶技术株式会社
公开了一种有源矩阵衬底，包括衬底，形成在衬底上的栅极线，数据线，形成在衬底上从而与栅极线交叉，公共线，其形成在大致平行于栅极线延伸的衬底上，像素，形成在由栅极线和数据线...

2008年10月15日

7

显示设备、其驱动方法以及电子设备　[申请号/专利号：200810084543]
申请人/专利权人：索尼株式会社
本发明公开了显示设备、其驱动方法以及电子设备，其中，该显示设备包括像素阵列部以及用于驱动所述像素阵列部的驱动部。通过本发明，可以执行从黑显示到白显示的所有信号电位内优化...

2008年10月1日

8

半导体装置及其制造方法　[申请号/专利号：200810083557]
申请人/专利权人：松下电器产业株式会社
本发明公开了一种半导体装置及其制造方法。其目的在于：通过防止因切割晶片时在芯片侧面所产生的碎片和破损等传播到芯片区域内，来防止半导体装置的可靠性及耐湿性的下降。在形成在...

2008年10月22日

9

显示器件及其制造方法　[申请号/专利号：200810093120]
申请人/专利权人：乐金显示有限公司
提供一种显示器件及其制造方法。该显示器件包括基板，栅线，公共线，公共电极，绝缘层，数据线，漏极，和像素电极。栅线沿第一方向设置。公共线设置得基本平行于栅线。公共电极从公...

2008年10月22日

10

半导体器件及其制造方法　[申请号/专利号：200810097177]
申请人/专利权人：东部高科股份有限公司
本发明提供一种半导体器件及其制造方法。具体而言，提供一种半导体器件的金属互连及其制造方法。该半导体器件可以包括半导体衬底，形成有诸如晶体管的器件结构。层间介电层可以形成...

2008年11月19日

11

LCOS芯片像素器件结构及其制备方法　[申请号/专利号：200810053147]
申请人/专利权人：天津力伟创科技有限公司
ＬＣＯＳ芯片像素器件结构，在一块Ｐ型硅衬底上分别按照行与列平行排布若干个像素单元，每行或每列的像素单元包括一由ｐ＋－ｉ－Ｐ电容器的上极板、薄膜绝缘层、ｐ＋－ｉ－Ｐ电容器...

2008年10月8日

12

半导体装置　[申请号/专利号：200810087612]
申请人/专利权人：三洋电机株式会社、三洋半导体株式会社
本发明的半导体装置，对应光检测器的受光部，在层间绝缘膜上设置开口部。沿着受光部（４）和电路部（６）之间的边界，在布线构造层９０内用金属材料形成包围开口部（１２０）的隔壁...

2008年10月1日

13

半导体器件　[申请号/专利号：200810107944]
申请人/专利权人：罗姆股份有限公司
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2008年11月26日

14

通过氧化锌透明电极串联微间距发光二极管芯片及其制造工艺　[申请号/专利号：200810037355]
申请人/专利权人：上海大学、上海半导体照明工程技术研究中心
本发明涉及了一种通过氧化锌透明电极串联微间距发光二极管芯片及其制造工艺，它包括ｎ型金ｐａｄ、透明电流扩展层、填充体、基板、ｐ型金ｐａｄ、ｐ型电流扩展层、ｐ型电极接触、发...

2008年10月1日

15

半导体器件　[申请号/专利号：200810096554]
申请人/专利权人：株式会社瑞萨科技
本发明提供一种半导体器件，旨在增强具有第一至第四电容元件的半导体器件的可靠性。第一至第四电容元件布置在半导体衬底之上。第一和第二电容元件的串联电路和第三和第四电容元件的...

2008年11月19日

16

半导体器件及其形成方法　[申请号/专利号：200810127727]
申请人/专利权人：三星电子株式会社
本发明公开了一种半导体器件及其形成方法。该半导体器件包括彼此分开并界定在半导体衬底的同一阱内的第一掺杂区域和第二掺杂区域。栅绝缘层和栅电极堆叠在第一和第二掺杂区之间的沟...

2008年11月12日

17

一种半导体整流器件　[申请号/专利号：200820031497]
申请人/专利权人：苏州硅能半导体科技股份有限公司
一种半导体整流器件由一等效的ＰＮ结和垂直ＭＯＳ管并联组成，而垂直ＭＯＳ管中的上部源／漏区通过以下工序形成：ａ．在栅电极光刻和腐蚀工序之后，对硅片第一主表面暴露出来的区域...

18

半导体器件及其制造方法　[申请号/专利号：200810109329]
申请人/专利权人：罗姆股份有限公司
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2008年12月3日

19

一种深沟槽大功率N型MOS器件　[申请号/专利号：200820030788]
申请人/专利权人：苏州硅能半导体科技股份有限公司
本实用新型涉及一种深沟槽大功率Ｎ型ＭＯＳ器件。这种ＭＯＳ器件在俯视平面上，中心区设有并联单胞组成的阵列，单胞阵列的外围设有终端保护结构，终端保护结构由位于内圈的至少一个...

20

一种深沟槽大功率P型MOS器件　[申请号/专利号：200820030791]
申请人/专利权人：苏州硅能半导体科技股份有限公司
本实用新型涉及一种深沟槽大功率Ｐ型ＭＯＳ器件。这种ＭＯＳ器件在俯视平面上，中心区设有并联单胞组成的阵列，单胞阵列的外围设有终端保护结构，终端保护结构由位于内圈的至少一个...

21

有机发光显示器件及其母板　[申请号/专利号：200810098635]
申请人/专利权人：三星SDI株式会社
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2008年12月10日

22

薄膜晶体管阵列面板及其制造方法　[申请号/专利号：200810097141]
申请人/专利权人：三星电子株式会社
本发明提供薄膜晶体管阵列面板及其制造方法。一种薄膜晶体管阵列面板包括：基板；多个第一信号线，形成在基板上；多个第二信号线，与第一信号线绝缘，形成在基板上，并且通过横越第...

2008年11月19日

23

集成电路、制造集成电路的方法、存储模块、计算系统　[申请号/专利号：200810098137]
申请人/专利权人：奇梦达闪存有限责任公司、奇梦达股份公司
本发明的实施例大体涉及集成电路、制造集成电路的方法、存储模块、以及计算系统。...

2008年11月19日

24

有源矩阵基板、其制造方法、电光装置、其制造方法及电子设备　[申请号/专利号：200810092381]
申请人/专利权人：精工爱普生株式会社
本发明的目的在于提供可以充分应对静电的有源矩阵基板及其制造方法，电光装置及其制造方法、电子设备。其包括：基板（２０）；多个像素部；对多个像素部进行开关的薄膜晶体管；与有...

2008年10月29日

25

半导体集成电路　[申请号/专利号：200810109050]
申请人/专利权人：株式会社瑞萨科技
...

2008年12月10日

26

有机电致发光器件　[申请号/专利号：200810108165]
申请人/专利权人：乐金显示有限公司
...

2008年12月3日

27

半导体装置及其制造方法　[申请号/专利号：200810096655]
申请人/专利权人：精工电子有限公司
在本发明的具有晶体管电路和泄放电阻电路的半导体装置中，为了抑制泄放电阻的电阻值变动而具有以下结构。具有：晶体管电路，在晶体管结构之上，隔着层间绝缘膜（１０７）层叠作为金...

2008年10月1日

28

电路结构及其制造方法　[申请号/专利号：200810091376]
申请人/专利权人：国际商业机器公司
本发明提供一种电路结构及其制造方法，该电路结构包括具有ＰＦＥＴ和ＮＦＥＴ器件的ＦＥＴ器件结构，ＰＦＥＴ和ＮＦＥＴ器件具有高ｋ电介质栅极绝缘体和含金属的栅极。ＮＦＥＴ和Ｐ...

2008年11月12日

29

非易失性存储装置及其操作方法　[申请号/专利号：200810092453]
申请人/专利权人：三星电子株式会社
本发明提供了一种非易失性存储装置及其操作方法。该非易失性存储装置包括以ＮＡＮＤ串设置在半导体基底上的存储晶体管。串选择晶体管设置在ＮＡＮＤ串的第一端，接地选择晶体管设置...

2008年10月22日

30

半导体器件及其制造方法　[申请号/专利号：200810096799]
申请人/专利权人：东部高科股份有限公司
本发明公开了半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：第一主图样，形成在衬底上；以及第一虚拟图样，在形成有第一主图样的层上以与第一主图样平行的方向形成。可以插入其他虚拟...

2008年11月12日

31

包括阻挡金属和涂布膜的半导体器件及其制造方法　[申请号/专利号：200810109142]
申请人/专利权人：恩益禧电子股份有限公司
...

2008年11月26日

32

半导体器件　[申请号/专利号：200810087495]
申请人/专利权人：松下电器产业株式会社
一种半导体器件，具备相位补偿用电路（６），该相位补偿用电路使用了在形成在半导体衬底上的栅极电极和扩散层间具有绝缘膜的结构的ＭＯＳ电容器，相位补偿用电路由第一ＭＯＳ电容器...

2008年10月1日

33

灰度等级电压选择电路以及显示控制电路　[申请号/专利号：200810090066]
申请人/专利权人：株式会社东芝
灰度等级电压选择电路具备：多个灰度等级选择部件，分别从４灰度等级电压中选择１个；多个竞赛图电路，循环进行以二选一的方式选择由多个灰度等级选择部件分别选择出的灰度等级电压...

2008年10月8日

34

混入磁性体粉末的半导体装置及其制造方法　[申请号/专利号：200810088198]
申请人/专利权人：卡西欧计算机株式会社
...

2008年12月10日

35

半导体结构及其制造方法　[申请号/专利号：200810132559]
申请人/专利权人：友达光电股份有限公司
本发明公开了一种半导体结构及其制造方法。相较于现有技术的薄膜晶体管数组结构，本发明的结构为使用图案化第一金属层作为数据导线，而使用图案化第二金属层作为栅极导线。在薄膜晶...

2008年11月19日

36

具有金属互连的半导体器件、制造方法及半导体集群设备　[申请号/专利号：200810127762]
申请人/专利权人：三星电子株式会社
...

2008年11月26日

37

显示装置和显示装置的制造方法　[申请号/专利号：200810099138]
申请人/专利权人：三菱电机株式会社
本发明的目的在于提供一种降低膜浮起以及膜剥离的显示装置。本发明的显示装置具有：形成在衬底（１１）上的第一辅助电容电极、第二辅助电容电极、第一栅电极布线、以及形成在第二栅...

2008年11月12日

38

薄膜晶体管、薄膜晶体管阵列基板、显示面板及光电装置　[申请号/专利号：200810125691]
申请人/专利权人：友达光电股份有限公司
本发明提供一种薄膜晶体管、薄膜晶体管阵列基板、显示面板及光电装置。所述的薄膜晶体管，其配置于一基板上。此薄膜晶体管包括一栅极、一介电层、一半导体层、一源极以及一漏极。此...

2008年11月5日

39

电子结构及其制造方法　[申请号/专利号：200810095282]
申请人/专利权人：国际商业机器公司
...

2008年11月26日

40

半导体器件及其制造方法、光测定装置、光检测装置　[申请号/专利号：200810090225]
申请人/专利权人：冲电气工业株式会社
本发明提供一种半导体器件及其制造方法、光测定装置、光检测装置，使得信号处理电路的动作不会因为未被遮光层遮挡而倾斜入射到信号处理电路的光而变得不稳定，且信号处理电路的动作...

2008年10月29日

41

集成电路装置及其形成方法　[申请号/专利号：200810127788]
申请人/专利权人：三星电子株式会社
本发明公开了一种包括具有碳纳米管的电互连结构的集成电路装置及其形成方法。具体而言，集成电路装置包括包含碳纳米管的导电互连。电互连包括第一金属区域。在该第一金属区域的上表...

2008年11月12日

42

先进的磁性随机存取记忆体设计　[申请号/专利号：200810006260]
申请人/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
本发明涉及一种用于制作先进的磁性随机存取记忆阵列（ＭＲＡＭ）的技术，供建构记忆体集成电路芯片。更特别地，本发明涉及一种集成电路记忆体芯片，其包含至少一高速磁性记忆胞阵列...

2008年11月12日

43

半导体装置及其制造方法　[申请号/专利号：200810086794]
申请人/专利权人：株式会社半导体能源研究所
本发明提供当形成接触孔时容易进行蚀刻控制的半导体装置的制造技术。本发明的半导体装置至少包括：形成在绝缘表面上的半导体层；形成在半导体层上的第一绝缘层；形成在第一绝缘层上...

2008年10月1日

44

基于SOI衬底的共平面波导及其制作方法　[申请号/专利号：200810036912]
申请人/专利权人：华东师范大学、上海集成电路研发中心有限公司
本发明提供了一种基于ＳＯＩ衬底的共平面波导及其制作方法。所述共平面波导包括ＳＯＩ衬底，形成在ＳＯＩ衬底上的二氧化硅层，以及形成在二氧化硅层上且间隔排列的地线和信号线，其...

2008年10月8日

45

制造具有自对准接触栓塞的半导体器件的方法和相关器件　[申请号/专利号：200810099060]
申请人/专利权人：三星电子株式会社
提供了制造具有自对准接触栓塞的半导体器件的方法。方法包括：在半导体基板上形成下绝缘层；在下绝缘层上形成相互平行的多个互连图案；形成上绝缘层，其被配置为填充在互连图案之间...

2008年11月19日

46

薄膜晶体管阵列基板与液晶显示面板的制作方法　[申请号/专利号：200810108609]
申请人/专利权人：友达光电股份有限公司
本发明公开了一种薄膜晶体管阵列基板与液晶显示面板的制作方法，该薄膜晶体管阵列基板的制作方法，整合了光传感器的制作，在透明导电层与金属电极之间形成光敏介电层，以感测外界光...

2008年10月1日

47

集成电路结构　[申请号/专利号：200810084038]
申请人/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
本发明涉及一种集成电路结构，包括衬底、位于衬底之中的从一端逐渐变窄的穿透硅通道、由衬底上表面延伸进入衬底的硬掩膜区，其中此硬掩膜围绕穿透硅通道的上方部分、位于衬底上的介...

2008年11月19日

48

半导体装置　[申请号/专利号：200810109111]
申请人/专利权人：三菱电机株式会社
...

2008年11月26日

49

电容器结构　[申请号/专利号：200810087271]
申请人/专利权人：松下电器产业株式会社
本发明提供一种电容器结构，其中，在第一布线层上设置有：第一电极（１６），其具有从第一电极布线（１１）的电极基部（１４）以梳状突出的多个齿部（１５）；和第二电极（２６），...

2008年10月1日

50

有机电致发光显示装置　[申请号/专利号：200810099166]
申请人/专利权人：索尼株式会社
本发明提供一种有机电致发光显示装置，该装置包括多个有机电致发光元件，每个都具有：（Ａ）下电极；（Ｂ）绝缘层，具有开口，在该绝缘层中下电极暴露在开口的底部；（Ｃ）辅助配线...

2008年11月19日

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