有电位跃变势垒或表面势垒的电容器-钱眼专利分类

贯穿SOI衬底的深沟槽电容器及其形成方法　[申请号/专利号：200710147837]
申请人/专利权人：国际商业机器公司
公开了形成贯穿ＳＯＩ衬底的深沟槽电容器的方法以及电容器。在一个实施例中，方法包括：在ＳＯＩ衬底中形成直至硅衬底的沟槽开口；在沟槽开口中沉积侧壁间隔物；进行刻蚀以在硅衬底...

2008年3月12日

半导体器件及其制造方法　[申请号/专利号：200710187992]
申请人/专利权人：奇梦达北美公司
披露了半导体器件及其制造方法。优选的实施例包括形成材料层的方法。该方法包括形成第一材料的至少一个第一层，以及在第一材料的至少一个第一层之上形成第二材料的至少一个第二层。...

2008年5月21日

半导体器件及其制造方法　[申请号/专利号：200710165195]
申请人/专利权人：东部高科股份有限公司
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2008年6月4日

堆叠式金属-氧化物-金属电容器结构　[申请号/专利号：200710145334]
申请人/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
一种堆叠式金属－氧化物－金属（ＭＯＭ）电容器结构及其制造方法，以增加电极／电容器介电耦合面积，并借以增加电容，此金属－氧化物－金属电容器结构包括多个金属化层，呈堆叠关系...

2008年4月23日

半导体装置及制造该半导体装置的方法　[申请号/专利号：200710100621]
申请人/专利权人：索尼株式会社
提供一种半导体装置，其具有在电极之间具有钙钛矿结构的结晶介电膜。该半导体装置至少包括在结晶介电膜的柱形晶体部分中的不连续界面，通过该界面结晶性变为不连续的。...

2007年9月12日

金属-绝缘体-金属结构及其形成方法　[申请号/专利号：200710098239]
申请人/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
本发明揭露一种金属－绝缘体－金属结构及其形成方法，该结构具有较高电容并可减少穿隧电流。在较佳实施例中，该结构具有第一电极，包含一磁矩为第一方向的磁性金属；以及第二电极，...

2007年10月24日

MIM电容器器件及其制造方法　[申请号/专利号：200710096585]
申请人/专利权人：国际商业机器公司
本申请涉及ＭＩＭ电容器器件及其制造方法。所述器件包括：包括一个或者多个导电层的上极板，其具有顶面、底面和侧壁；包括一个或者多个导电层的分流板，其具有顶面、底面和侧壁；以...

2007年12月26日

电容器结构及多层电容器结构　[申请号/专利号：200710005303]
申请人/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
本发明提供一种电容器结构及多层电容器结构，其中该电容器结构包括：一第一总线，包含位于第一方向的第一脚以及位于第二方向的第二脚；一第二总线，与该第一总线电性绝缘，其中该第...

2007年10月3日

生产层排列的方法,生产电气元件、层排列和电气元件的方法　[申请号/专利号：200610163749]
申请人/专利权人：奇梦达股份公司
利用一种生产层排列的方法形成一种基本上含碳的导电碳层。在该碳层上形成一种保护层。在该保护层上形成一种电绝缘层，该保护层防止该碳层在该电绝缘层的形成期间受到损伤。此外，提...

2007年5月30日

联邦

微电子器件和制造微电子器件的方法　[申请号/专利号：200610149505]
申请人/专利权人：奇梦达股份公司
一种包括衬底和晶体管的微电子器件。该晶体管包括衬底中的沟道区、沟道区中的凹槽、第一电介质层和第二电介质层。第一电介质层包括第一电介质材料并沉积在凹槽的底部。第二电介质层...

2007年4月18日

联邦

沟渠式电容器及其制造方法　[申请号/专利号：200610074028]
申请人/专利权人：联华电子股份有限公司
一种沟渠式电容器的制造方法，是先利用位于衬底上的图案化的掩模层进行图案化工艺，以于衬底中形成多个沟渠。然后，于各沟渠表面的衬底中形成下电极。接着，移除部分图案化的掩模层...

2007年10月10日

电容结构及其制作方法　[申请号/专利号：200610071511]
申请人/专利权人：联华电子股份有限公司
一种电容结构，其包括一基底、一第一金属层、一蚀刻终止层、一连接层、一第二金属层与一绝缘层。第一金属层配置于基底中。蚀刻终止层配置于基底上，其中蚀刻终止层具有一开口，此开...

2007年10月3日

电容结构　[申请号/专利号：200610071463]
申请人/专利权人：联华电子股份有限公司
一种电容结构，包括多层堆叠的导电图案，且各导电图案包括一封闭导电环、多个相互平行并与封闭导电环电性连接的主要导电条，以及多个与主要导电条交错设置且未与封闭导电环电性连接...

2007年9月26日

金属-绝缘层-金属电容器的制造方法　[申请号/专利号：200610067991]
申请人/专利权人：联华电子股份有限公司
一种金属－绝缘层－金属电容器的制造方法，首先于衬底上形成一层第一金属层，然后，对第一金属层表面进行等离子体处理工艺。接着，于第一金属层上依序形成一层第一氧化层、氮化层及...

2007年10月3日

电容介电层及其形成方法与电容器　[申请号/专利号：200610058936]
申请人/专利权人：联华电子股份有限公司
一种电容介电层，其包括第一介电层、第二介电层以及氮化硅叠层。其中，氮化硅叠层位于第一介电层与第二介电层之间。此电容介电层的结构可利用降低其厚度，以提高单位面积电容值，且...

2007年9月12日

金字塔形的电容结构及其制造方法　[申请号/专利号：200610056990]
申请人/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
本发明是有关于一种电容结构，具有一般为金字塔形或阶梯形的轮廓，以预防或减少介电层的崩溃。此电容结构包括一第一导电层、至少一介电层位于第一导电层上以及一第二导电层位于介电...

2006年10月4日

高性能金属/绝缘体/金属结构的电容器及其制备方法　[申请号/专利号：200610025277]
申请人/专利权人：复旦大学
本发明属半导体集成电路制造技术领域，具体为一种适合射频、模拟和混合信号集成电路的高性能金属／绝缘体／金属（ＭＩＭ）电容器及其制备方法，该电容器以原子层淀积方法制备的Ａｌ...

2006年10月25日

具有紫外光保护层的半导体元件及其制造方法　[申请号/专利号：200510109275]
申请人/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
本发明提供一种具有紫外光保护层的半导体元件及其制造方法，具体为在一半导体基底上形成一种紫外光保护层，用来保护底部材料及电子元件，避免与紫外光反应或因照射而造成损害。紫外...

2006年7月5日

半导体叠层电容器　[申请号/专利号：200610024666]
申请人/专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
本发明公开了一种半导体叠层电容器，其特征在于包括：在半导体器件上形成的至少一层金属层；填充在所述金属层之间电介质层；所述金属层之间具有至少一个金属互连孔。本发明的半导体...

2007年9月19日

电容绝缘膜及其制造方法、电容元件及其制造方法和半导体存储装置及其制造方法　[申请号/专利号：200510113698]
申请人/专利权人：松下电器产业株式会社
本发明公开了一种电容绝缘膜及其制造方法、电容元件及其制造方法和半导体存储装置及其制造方法。本发明的目的在于：提供一种即使被细微化，也具有充分的极化特性的电容绝缘膜。电容...

2006年5月31日

在半导体器件中形成MIM的方法　[申请号/专利号：200710186916]
申请人/专利权人：东部高科股份有限公司
本发明涉及一种半导体器件，更具体地，涉及一种用于形成金属／绝缘体／金属（ＭＩＭ）的方法。该方法包括步骤：形成由金属层间介电膜环绕的金属布线；在金属布线上顺序形成多个绝缘...

2008年5月21日

用于半导体器件的存储电容器及形成该存储电容器的方法　[申请号/专利号：200510118196]
申请人/专利权人：三星电子株式会社
用于形成存储电容器的方法包括：在半导体衬底上形成具有通过其的开口的层间绝缘层；在该开口内形成接触栓塞；在层间绝缘层和接触栓塞上形成模制氧化物层；选择性地去除部分模制氧化...

2006年6月21日

电容器、半导体存储器件及制造电容器的方法　[申请号/专利号：200510092117]
申请人/专利权人：三星电子株式会社
本发明公开了一种具有可以减小漏电流的介电层的电容器和制造该电容器的方法。在包括下电极、形成于下电极上的介电层和形成于介电层上的上电极的电容器中，通过使用由过渡金属和镧系...

2006年2月22日

金字塔形的电容结构及其制作方法　[申请号/专利号：200510103331]
申请人/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
本发明是关于一种金字塔形的电容结构及其制作方法。该电容结构具有一般为金字塔形或阶梯形的轮廓，以预防或减少介电层的崩溃。此电容结构包括一第一导电层、至少一介电层位于第一导...

2006年9月13日

多晶硅-绝缘层-多晶硅电容和高阻多晶硅器件及制作方法　[申请号/专利号：200510025458]
申请人/专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
本发明公开了一种多晶硅－绝缘层－多晶硅电容和高阻多晶硅器件及制作方法，晶体管多晶硅栅、ＰＩＰ电容下极板和高阻多晶硅都在第一层多晶硅上完成，只有ＰＩＰ电容的上极板是单独的...

2006年11月1日

改善ESD晶体管源漏结电容的方法　[申请号/专利号：200510025455]
申请人/专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
本发明公开了一种改善ＥＳＤ晶体管源漏结电容的方法，采用ＥＳＤ离子注入所特有的光刻板，该光刻板只打开需要作ＥＳＤ离子注入漏端局部区域，并对ＥＳＤ漏极的局部区域进行ＥＳＤ离...

2006年11月1日

一种平板电容及其实现方法　[申请号/专利号：200510111957]
申请人/专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
本发明公开一种平板电容，包括硅衬底层、二氧化硅层，下极板、二氧化硅绝缘层及上极板，其中，下极板、二氧化硅绝缘层及上极板相互配合向上或向下凸起形成沟槽。通过本发明，从沟槽...

2007年6月27日

结可变电容　[申请号/专利号：200510070206]
申请人/专利权人：联华电子股份有限公司
一种结可变电容，包括一栅极，设于一半导体基底的离子井上；一栅极介电层，设于该栅极与该离子井之间；一第一掺杂区，其具有第一电性，设于该栅极一侧的该离子井内，作为该结可变电...

2006年3月1日

半导体器件、RF-IC及其制造方法　[申请号/专利号：200610093537]
申请人/专利权人：株式会社瑞萨科技
提供一种能够减小电容器的寄生电容同时减小被电容器占据的空间的技术。通过在由下电极、电容器绝缘膜和中间电极组成的电容器上方形成由中间电极、另一电容器绝缘膜和上电极组成的另...

2007年1月10日

铁电膜、铁电膜的制造方法、铁电电容器、以及铁电存储器　[申请号/专利号：200510134103]
申请人/专利权人：精工爱普生株式会社
一种铁电膜、铁电膜的制造方法、铁电电容器、以及铁电存储器，所述铁电膜１０１由用通式（Ｐｂ↓［１－ｄ］Ｂｉ↓［ｄ］）（Ｂ↓［１－ａ］Ｘ↓［ａ］）Ｏ↓［３］表示的铁电膜构成...

2006年7月5日

铁电膜及其制造方法　[申请号/专利号：200510134101]
申请人/专利权人：精工爱普生株式会社
一种铁电膜、铁电膜的制造方法，本发明涉及的铁电膜（１０１）的制造方法包括：（ａ）将含有铌元素的多元羧酸盐、含铋元素的多元羧酸盐、多元羧酸或多元羧酸酯、和有机溶剂混合的工...

2006年7月5日

用于半导体元件的电容器及其制造方法　[申请号/专利号：200510118089]
申请人/专利权人：海力士半导体有限公司
本发明公开一种用于半导体元件的电容器及该电容器的制造方法，所述电容器包括：形成在半导体衬底的预定下结构上的下电极；形成在下电极上具有低漏电流特性的氮氧化铝膜；形成在氮氧...

2006年6月28日

微电子器件的电介质多层及其制造方法　[申请号/专利号：200510113817]
申请人/专利权人：三星电子株式会社
本发明提供一种适合于改善微电子器件性能的电介质多层和制造电介质多层的方法。微电子器件的电介质多层包括：由两种或更多不同元素的氧化物形成并且其中不形成层状结构的复合层，以...

2006年5月31日

低成本的深沟槽去耦电容器器件及其制造方法　[申请号/专利号：200510123671]
申请人/专利权人：国际商业机器公司
一种新颖的沟槽型去耦电容器结构以及用于形成该沟槽去耦电容器（ｄｅｃａｐ）的低成本制造方法。在特有的方面，本发明只需在基本逻辑设计中增加简化的沟槽。...

2006年6月28日

半导体器件　[申请号/专利号：200510113432]
申请人/专利权人：恩益禧电子股份有限公司
本发明提供了一种电容元件，具有显示出优良生产可靠性的简单结构。本发明提供了一种半导体器件（１００），该半导体包括由下电极（１０２）、ＳｉＣＮ膜（１０７）和上电极（１１３...

2006年4月26日

一种半导体金属电容　[申请号/专利号：200510111038]
申请人/专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
本发明公开了一种半导体金属电容，该电容具有多层介电层，所述各介电层采用不完全相同的介电材料，从而使得电容受电压依存性的影响大大减小，以满足各种特殊场合的要求。...

2007年6月13日

一种半导体金属电容的结构及其刻蚀方法　[申请号/专利号：200510027553]
申请人/专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
本发明公开了一种半导体金属电容的结构，由下到上分别包括下部电极、介质层和上部电极，所述介质层由下到上分别包括一个氧化膜层、一个氮化膜层和另一个氧化膜层。该结构利用多层介...

2007年1月10日

半导体金属电容　[申请号/专利号：200510111037]
申请人/专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
本发明公开了一种半导体金属电容，其在填充介质中包含层叠式的电容结构，该结构由下到上依次为下层金属板、介电层、中间金属板、另一介电层和上层金属板，所述中间金属板由金属通孔...

2007年6月13日

三维电容器及其制造方法　[申请号/专利号：200510096517]
申请人/专利权人：三星电子株式会社
本发明公开了一种电容器和一种制造该电容器的方法。可以通过形成两个或更多的介电层和下电极来形成该电容器，其中，在形成下电极之前形成该两个或更多的介电层的至少一个。...

2006年3月1日

沟渠式电容器及其制造方法　[申请号/专利号：200510099162]
申请人/专利权人：联华电子股份有限公司
一种沟渠式电容器的制造方法，此方法是先提供衬底，且此衬底中已形成有至少一隔离结构。然后，于隔离结构侧边的衬底中分别形成第一沟渠与第二沟渠。接着，于第一沟渠与第二沟渠周围...

2007年3月14日

具有混合电介质层的半导体集成电路器件及其制造方法　[申请号/专利号：200510092232]
申请人/专利权人：三星电子株式会社
在具有混合电介质层的半导体集成电路器件及其制造方法中，混合电介质层包含按顺序堆迭的下电介质层、中间电介质层和上电介质层。下电介质层包含铪（Ｈｆ）或锆（Ｚｒ）。上电介质层...

2006年3月1日

形成沟槽电容于衬底的方法及沟槽电容　[申请号/专利号：200510118408]
申请人/专利权人：茂德科技股份有限公司
本发明提供一种沟槽电容的形成方法及沟槽电容，该方法包括：去除一衬底的一部分以形成一沟槽于一衬底中；形成一埋入隔离层于衬底中；形成一沟槽电容的第一电极于衬底中，其至少位于...

2006年11月15日

存储器电路　[申请号/专利号：200580027152]
申请人/专利权人：微米技术有限公司
本发明包括存储器电路。在一个实施方式中，存储器电路包括具有多个存储器单元电容器的存储器阵列。单个的电容器包括存储节点电极、电容器电介质区和单元电极。单元电极在存储器阵列...

2007年7月18日

金属-绝缘体-金属电容结构及其制造方法　[申请号/专利号：200510137452]
申请人/专利权人：财团法人工业技术研究院
一种金属－绝缘体－金属电容结构，是至少由上电极、下电极以及绝缘层所构成，其中绝缘层位于上电极与下电极之间。而这种金属－绝缘体－金属电容结构的特征在于下电极包括一层导体层...

2007年7月4日

具有氧化锆的电容器及其制造方法　[申请号/专利号：200510115640]
申请人/专利权人：海力士半导体有限公司
提供了具有氧化锆的电容器及其制造方法。该方法包括：形成存储节点；在存储节点上形成多层介电结构，多层介电结构包括氧化锆（ＺｒＯ↓［２］）层和氧化铝（Ａｌ↓［２］Ｏ↓［３］...

2006年6月21日

铁电体存储器及其制造方法　[申请号/专利号：200510112895]
申请人/专利权人：精工爱普生株式会社
本发明提供一种在制造工序以及制造之后，难以导致特性劣化，并且可靠性高的铁电体存储器及其制造方法。根据本发明的铁电体存储器（１０００）的制造方法，包括以下工序：（ａ）通过...

2006年4月26日

镶嵌式金属绝缘体金属电容结构与自对准氧化工艺　[申请号/专利号：200510088672]
申请人/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
一种自对准的金属绝缘体金属电容结构及其形成方法，此方法包含在介电绝缘层中形成金属填充镶嵌，且其具有曝露表面；形成金属前驱物层在此曝露表面上；对此金属前驱物层进行一工艺，...

2006年7月12日

电容组合及其制造方法　[申请号/专利号：200410078553]
申请人/专利权人：因芬尼昂技术股份公司
一电容组合系具有一衬底、一位于该衬底上之第一导电性辅助层、一电容介电质、一第二导电层、以及一接触电极；藉此，该第一辅助层系在一第一边界区域内与该电容介电质连接，而该第二...

2005年3月16日

联邦

电容不匹配自动校正电路　[申请号/专利号：200510124716]
申请人/专利权人：旺玖科技股份有限公司
一种电容不匹配自动校正电路，包括取样维持电路、比较器、以及开关控制电路。其中，取样维持电路包括补偿电容列、目标电容和参考电容，并提供输出电压。此输出电压为补偿电容列的等...

2007年5月23日