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| 本发明属半导体集成电路制造技术领域，具体为一种适合射频、模拟和混合信号集成电路的高性能金属／绝缘体／金属（ＭＩＭ）电容器及其制备方法，该电容器以原子层淀积方法制备的Ａｌ↓［２］Ｏ↓［３］／ＨｆＯ↓［２］纳米叠层结构作为绝缘介质，以ＴａＮ做为上、下金属电极。所制得的电容器可分别满足射频旁路电容器和模拟电容器的基本要求，主要表现为：在１０ｋ～２０Ｇ赫兹范围内稳定的高电容密度１２．８ｆＦ／μｍ↑［２］，在３．３Ｖ室温下的漏电为３．２×１０↑［－８］Ａ／ｃｍ↑［２］，在１ＭＨｚ时电容的电压线性系数为２４０ｐｐｍ／Ｖ；对于电容密度为３．１３ｆＦ／μｍ↑［２］的电容器，在３．３Ｖ和１２５℃时漏电为１×１０↑［－９］Ａ／ｃｍ↑［２］，在１００ｋＨｚ时电容的电压系数为１００ｐｐｍ／Ｖ↑［２］。 |
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高性能金属/绝缘体/金属结构的电容器及其制备方法
一种高性能金属／绝缘体／金属结构的电容器，其特征在于采用ＴａＮ做上、下金属电极，用原子层淀积的方法生长的Ａｌ↓［２］Ｏ↓［３］／ＨｆＯ↓［２］纳米叠层薄膜作为绝缘介质层，Ａｌ↓［２］Ｏ↓［３］单层的厚度为０．５－１．５ｎｍ，ＨｆＯ↓［２］单层的厚度为５－１５ｎｍ，与上、下金属电极相连的介质层均为Ａｌ↓［２］Ｏ↓［３］单层。
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