金属绝缘体半导体电极-钱眼专利分类

具有球型凹陷沟道的半导体器件及其制造方法　[申请号/专利号：200710161536]
申请人/专利权人：海力士半导体有限公司
一种制造半导体器件的方法，该方法包括：提供具有球型凹陷区的衬底，在所述球型凹陷区和衬底上形成栅极绝缘层，和在所述栅极绝缘层上形成栅极导电层。所述栅极导电层填充所述球型凹...

2008年4月2日

双栅CMOS半导体器件及其制造方法　[申请号/专利号：200710148002]
申请人/专利权人：东部高科股份有限公司
本发明公开了一种双栅互补金属氧化半导体（ＣＭＯＳ）器件，包括注入有锗和铟离子并形成在栅绝缘膜上的ＰＭＯＳ晶体管的栅极；没有注入锗和铟离子并形成在栅绝缘膜上的ＮＭＯＳ晶体...

2008年3月5日

半导体器件及其制造方法　[申请号/专利号：200710136790]
申请人/专利权人：东部高科股份有限公司
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2008年1月30日

非易失性半导体存储器的存储单元　[申请号/专利号：200810002827]
申请人/专利权人：株式会社东芝
本发明提供关于写入／清除以及保存具有出色特性的ＭＯＮＯＳ型存储单元，本发明例子的存储单元具备形成在源·漏扩散层之间的沟道上，主要的构成元素是Ｓｉ，Ｏ，Ｎ的第１绝缘膜、形...

2008年10月1日

半导体器件及其制造方法　[申请号/专利号：200710092268]
申请人/专利权人：株式会社瑞萨科技
提供了一种半导体器件，其在半导体衬底上方具有彼此接近并构成非易失性存储器的控制栅电极和存储栅电极。存储栅电极的高度低于控制栅栅电极的高度。金属硅化物膜形成在控制栅电极的...

2007年10月10日

半导体器件及其制造方法　[申请号/专利号：200710092267]
申请人/专利权人：株式会社瑞萨科技
公开一种具有非易失存储器的半导体器件，其干扰缺陷能得到减少或防止。非易失存储器的存储单元具有存储栅电极，该存储栅电极通过用于电荷存储的绝缘膜而在半导体衬底的主表面上方形...

2007年10月10日

HEMT器件及其制造方法　[申请号/专利号：200810098658]
申请人/专利权人：西安能讯微电子有限公司
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2008年12月10日

西安

MOSFET器件及其制造方法　[申请号/专利号：200710084669]
申请人/专利权人：国际商业机器公司
本发明描述了适合在栅极长度小于大约４０ｎｍ时运行的ＭＯＳＦＥＴ器件及其制造方法。所述ＭＯＳＦＥＴ器件包括由单晶硅基材料形成的接地层。硅基本体层在所述接地层上外延淀积。所...

2007年10月24日

半导体装置及其制造方法　[申请号/专利号：200810098334]
申请人/专利权人：东部高科股份有限公司
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2008年11月26日

低阻导电结构、包括其的器件和系统以及形成其的方法　[申请号/专利号：200810108794]
申请人/专利权人：三星电子株式会社
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2008年12月3日

半导体装置及其制造方法　[申请号/专利号：200810098327]
申请人/专利权人：东部高科股份有限公司
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2008年11月26日

半导体装置及其制造方法　[申请号/专利号：200710181741]
申请人/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司、跨大学校际微电子卓越研究中心
本发明提供一种半导体装置，包括：一主要电极；一介电质，连接于上述主要电极，上述主要电极包括：一材料，其具有一功函数和一功函数调整元素，上述功函数调整元素用以调整上述主要...

2008年4月30日

半导体装置及其制造方法　[申请号/专利号：200710162689]
申请人/专利权人：松下电器产业株式会社
在半导体基板（１０）上，形成具有比有源区域（１１）高的上面的元件分离区域（１２）之后，在有源区域（１１）及元件分离区域（１２）之上，形成栅极布线形成用膜（１４）及保护膜...

2008年4月23日

半导体器件的栅极及其形成方法　[申请号/专利号：200710142098]
申请人/专利权人：东部高科股份有限公司
一种形成半导体器件的栅极的方法包括以下步骤的至少其中之一：在晶圆衬底上方形成栅氧化物层。在栅氧化物层上方形成多晶硅层。在多晶硅层上方形成ＴｉＳｉＮ层。在ＴｉＳｉＮ层上方...

2008年3月5日

沟槽型MOS晶体管及其制造方法　[申请号/专利号：200710145637]
申请人/专利权人：东部高科股份有限公司
本发明公开了一种沟槽型ＭＯＳ晶体管和用于制造沟槽型ＭＯＳ晶体管的方法。在一个方案中，可以减小在沟槽型ＭＯＳ晶体管的栅极和漏区之间的总电容。特别地，在栅极中形成ＰＮ结以减...

2008年3月19日

非易失性半导体存储器件　[申请号/专利号：200710092146]
申请人/专利权人：株式会社半导体能源研究所
本发明目的在于提供一种在写性质和电荷保持特性方面优异的非易失性半导体存储器件。提供其中在一对杂质区之间形成沟道形成区的半导体衬底，并在半导体衬底上方提供第一绝缘层、浮栅...

2007年10月3日

叠层布线和利用该叠层布线的半导体器件及其制造方法　[申请号/专利号：200710088746]
申请人/专利权人：日本电气株式会社、NEC液晶技术株式会社
提供一种由微晶硅薄膜和金属薄膜构成的叠层布线，该叠层布线能够抑制微晶硅薄膜和金属薄膜之间的过多硅化物生成反应，由此防止发生薄膜脱落。在利用叠层布线的多晶硅ＴＦＴ（薄膜晶...

2007年9月26日

场效应晶体管及其制造方法　[申请号/专利号：200810085267]
申请人/专利权人：国际商业机器公司
具有被分隔的应力沟道区域的ＮＦＥＴ和ＰＦＥＴ器件及其制造方法。披露了包括栅极的ＦＥＴ，栅极包括处于第一应力状态下的金属。ＦＥＴ也包括位于单晶Ｓｉ基材料内的沟道区域，沟道...

2008年9月10日

非易失性半导体存储器　[申请号/专利号：200710141064]
申请人/专利权人：株式会社东芝
一种包含存储单元的非易失性半导体存储器，该存储单元包括：半导体衬底、在半导体衬底上的第一绝缘层、在第一绝缘层上的浮栅、在浮栅上的第二绝缘层、和在第二绝缘层上的控制栅电极...

2008年2月20日

半导体装置　[申请号/专利号：200810004943]
申请人/专利权人：三洋电机株式会社
一种半导体装置，具备栅极电极，其隔着第一杂质区域及电场缓和层上的栅极绝缘膜而形成，栅极电极，由按照与第一杂质区域对置的方式形成的第一导电型的第二杂质区域及可以形成耗尽层...

2008年8月13日

半导体器件及其制造方法　[申请号/专利号：200710148157]
申请人/专利权人：东部高科股份有限公司
本发明提供一种用于制造半导体器件的方法。在该方法中，在半导体衬底上顺序地形成栅极氧化层、栅极多晶硅层以及覆盖氧化层。在覆盖氧化层上形成光致抗蚀剂图案。使用光致抗蚀剂图案...

2008年5月21日

纳米硅材料侧壁结构复位闪存及其制作、使用方法　[申请号/专利号：200810035117]
申请人/专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
一种纳米硅材料侧壁结构复位闪存，包括，衬底、位于衬底上的控制栅，控制栅两侧各有一个侧壁，所述的侧壁上有纳米硅层，所述的纳米硅层由二氧化硅、纳米硅和二氧化硅依次叠加而成。...

2008年9月3日

上海

不对称多栅极晶体管及其形成方法　[申请号/专利号：200710186074]
申请人/专利权人：国际商业机器公司
本发明提供一种不对称多栅极晶体管。在一实施例中，不对称多栅极晶体管具有包含不均匀掺杂剖面的半导体鳍。鳍的第一部分具有较高掺杂浓度而鳍的第二部分具有较低掺杂浓度。在另一实...

2008年5月21日

用擦除栅极执行擦除操作的半导体存储装置及其制造方法　[申请号/专利号：200810002004]
申请人/专利权人：三星电子株式会社
本发明提供一种用擦除栅极执行擦除操作的半导体存储装置及其制造方法。所述半导体存储装置可以包括存储具有第一极性的第一电荷传输介质的电荷捕获层以及至少一个擦除栅极。所述至少...

2008年9月24日

薄膜晶体管、有源元件阵列基板以及液晶显示面板　[申请号/专利号：200810005640]
申请人/专利权人：友达光电股份有限公司
本发明公开了一种薄膜晶体管、一种有源元件阵列基板以及一种液晶显示面板，其中薄膜晶体管包括基板、栅极、栅极绝缘层、沟道层以及源极与漏极。栅极与栅极绝缘层配置于基板上，且栅...

2008年7月23日

电流镜像电路　[申请号/专利号：200810081371]
申请人/专利权人：精工电子有限公司
本发明涉及电流镜像电路。提供一种半导体器件，通过利用多晶硅将形成电流镜像电路的相邻ＭＯＳ晶体管的栅极彼此之间连接以及通过进一步将连接到衬底的熔丝连接到与多晶硅相连的栅极...

2008年8月27日

半导体结构及其制造方法　[申请号/专利号：200810004602]
申请人/专利权人：国际商业机器公司
一种诸如ＣＭＯＳ结构的半导体结构，其包括具有横向可变的功函数的栅电极。该具有横向可变的功函数的栅电极可利用倾角离子注入方法或按顺序成层方法来形成。在未掺杂的沟道场效应晶...

2008年8月27日

用于降低极高密度金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极阻抗的采用不同栅极材料和功函数的分裂栅　[申请号/专利号：200810005022]
申请人/专利权人：万国半导体股份有限公司
本发明公开了一个具有沟槽的金属氧化物半导体场效应晶体管（ＭＯＳＦＥＴ）单元。所述的具有沟槽的ＭＯＳＦＥＴ单元包括一个从半导体基底顶表面打开的沟槽栅极，所述的半导体基底被...

2008年8月6日

百慕

半导体结构及其形成方法　[申请号/专利号：200710109025]
申请人/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
本发明提供一种半导体结构及其形成方法，包括：提供半导体衬底；在该半导体衬底上形成栅极叠层；在邻接于该栅极叠层处形成含硅化合物应力源，其中该含硅化合物应力源还包括额外元素...

2008年3月26日

半导体器件及制造该半导体器件的方法　[申请号/专利号：200710001289]
申请人/专利权人：海力士半导体有限公司
本发明公开一种半导体器件，所述半导体器件包括器件隔离结构、凹式沟道结构以及栅极电极。所述器件隔离结构形成于半导体基板中以限定有源区。所述凹式沟道结构设置在所述有源区之下...

2008年2月6日

HEMT器件及其制造方法　[申请号/专利号：200810098656]
申请人/专利权人：西安能讯微电子有限公司
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2008年12月10日

西安

闪存器件的制造方法　[申请号/专利号：200710149501]
申请人/专利权人：东部高科股份有限公司
本发明涉及一种闪存器的制造方法，该方法增加一个单元中浮栅和控制栅之间的耦联率。该方法包括：在半导体衬底的有源区域上按序形成用于浮栅的隧道氧化物膜，多晶硅和第一绝缘薄膜；...

2008年3月12日

一种调制NiSi全硅化物金属栅功函数的方法　[申请号/专利号：200710047189]
申请人/专利权人：复旦大学
本发明属于微电子技术领域，具体涉及一种调制ＮｉＳｉ全硅化物金属栅功函数的方法。该方法是在淀积Ｎｉ膜时，通过顺次淀积Ｎｉ、Ｈｏ、Ｎｉ薄膜层或Ｎｉ、Ｈｏ共淀积工艺最终对应形...

2008年3月12日

上海

非易失性半导体存储器件及其制造方法　[申请号/专利号：200710088470]
申请人/专利权人：株式会社东芝
提出了一种具有新结构所述的非易失性半导体存储器件，其中存储单元以三维状态层叠，从而可以减小芯片面积。本发明的非易失性半导体存储器件是具有多个存储串的非易失性半导体存储器...

2007年10月17日

互补金属氧化物半导体及其形成方法　[申请号/专利号：200710091799]
申请人/专利权人：国际商业机器公司
本发明提供了使用能够在栅极电介质／多晶硅栅极界面提供高浓度的掺杂剂原子的气相掺杂工艺来控制ＣＭＯＳ结构中的多晶硅耗尽效应的方法，及使用该方法制作的包括如ｎＦＥＴ与／或ｐ...

2007年10月17日

存储器件　[申请号/专利号：200710181592]
申请人/专利权人：东部高科股份有限公司
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2008年6月4日

半导体器件及制造方法　[申请号/专利号：200710085015]
申请人/专利权人：奇梦达股份公司
具有横向边界的层，尤其是栅电极叠层，包括在金属层和被提供作为硬掩模的顶层之间的覆盖层。该覆盖层，其优选是多晶硅，使得能够施加清洗剂以便在使用硬掩模构造该层序列之前除去抗...

2007年9月5日

联邦

基于锗硅异质纳米结构的非挥发浮栅存储器及制备方法　[申请号/专利号：200710131530]
申请人/专利权人：南京大学
基于锗硅异质纳米结构的半导体非挥发性浮栅存储器，包括：半导体衬底；在半导体衬底中设有掺杂形成的源极和漏极，在源漏极间的沟道层正上方设有氧化形成隧穿氧化层；设有控制栅介电...

2008年2月13日

南京

半导体器件及其制造方法　[申请号/专利号：200710084476]
申请人/专利权人：株式会社东芝
按照本发明的一个方面，一种半导体器件包括：Ｎ沟道ＭＩＳ晶体管，包括：ｐ型半导体层；形成在ｐ型半导体层上的第一栅极绝缘层；形成在第一栅极绝缘层上的第一栅极电极；和形成在ｐ...

2007年9月12日

非易失性半导体存储装置　[申请号/专利号：200710092135]
申请人/专利权人：株式会社半导体能源研究所
本发明的目的在于提供一种在写入特性及电荷保持特性上优良的非易失性半导体存储装置。在本发明中，设置在彼此相离而形成的一对杂质区域之间具有沟道形成区域的半导体层，并且在其上...

2007年10月3日

一种非易失性存储器件及其设计方法　[申请号/专利号：200710175710]
申请人/专利权人：北京芯技佳易微电子科技有限公司
本发明公开了一种非易失性存储器件及其设计方法：包括：金属层、接触孔、阻挡层和晶体管，晶体管包括多晶硅层，金属层与接触孔形成控制栅；多晶硅层在阻挡层的阻隔下未与接触孔直接...

2008年2月27日

北京

非易失半导体存储器件　[申请号/专利号：200710087896]
申请人/专利权人：株式会社半导体能源研究所
一种具有优越的写入和电荷保持特性的非易失半导体存储器件，其包括：半导体衬底，其中，在以一定间隔形成的一对杂质区之间形成沟道形成区；以及位于所述半导体衬底的上层部分之上的...

2007年11月7日

非易失性半导体存储装置　[申请号/专利号：200710087894]
申请人/专利权人：株式会社半导体能源研究所
本发明的目的在于提供一种写入特性及电荷保持特性优越的非易失性半导体存储装置。在本发明中，提供在彼此相离而形成的一对杂质区域之间具有沟道形成区域的半导体层，并且在其上层部...

2007年9月26日

非易失性半导体存储装置　[申请号/专利号：200710087895]
申请人/专利权人：株式会社半导体能源研究所
提供在彼此相离而形成的一对杂质区域之间具有沟道形成区域的半导体层，并且在所述半导体层上提供第一绝缘层、浮动栅、第二绝缘层、以及控制栅。形成浮动栅的半导体材料的带隙优选小...

2007年9月26日

用于减小接触电阻的方法和结构　[申请号/专利号：200710103804]
申请人/专利权人：国际商业机器公司
本发明提供了减小接触开口内接触电阻的半导体结构以及形成该结构的方法。这在本发明中通过用含金属锗化物接触材料取代常规的接触冶金，例如钨，或金属硅化物，例如Ｎｉ硅化物或Ｃｕ...

2007年11月28日

异质栅多阶梯场极板横向双扩散金属氧化物半导体管　[申请号/专利号：200710023524]
申请人/专利权人：安徽大学
异质栅多阶梯场极板横向双扩散金属氧化物半导体管，其特征是设置源栅和漏栅的异质双栅结构，由第一级场极板和第二级场极板构成多阶梯场极板，源栅、漏栅、第一级场极板和第二级场极...

2007年11月28日

安徽