专利┆化工┆机械┆建材┆通讯┆纺织┆电子┆农业┆服饰┆环保┆家居┆电器┆办公┆玩具┆文教┆包装
电气┆塑料┆能源┆橡胶┆照明┆运动┆仪器┆冶金┆数码┆汽车┆物流┆纸业┆印刷┆礼品┆建筑┆五金
发明名称 全文
专利
供应商机
采购商机
企业库
商讯
产品库
钱眼专利首页 > 肖特基二极管 的专利共 92 条
<<　1　2　 >>免费注册 
热点信息推荐



热点企业推荐
 
 
 
排序
专利信息
公开日
地区
我要留言
1
具有续流二极管的电路装置　[申请号/专利号：200810005558]
申请人/专利权人：株式会社日立制作所
本发明提供一种电路装置，其能降低现有的转换电路中的噪声，并且降低电路的导通损耗。本发明的代表性的实施方式是，一种电路装置至少具有一个以上的开关元件和与其并联连接的续流二...
2008年10月22日
2
包含多晶硅的半导体器件及其制造方法　[申请号/专利号：200810001510]
申请人/专利权人：三星电子株式会社
本发明提供了一种包含多晶硅（ｐｏｌｙ－Ｓｉ）的半导体器件及该半导体器件的制造方法。该半导体器件包括ＴａＮ↓［ｘ］材料层以及形成在ＴａＮ↓［ｘ］材料层上的ｐｏｌｙ－Ｓｉ层...
2008年7月9日
3
纳米硅肖特基二极管　[申请号/专利号：200810024202]
申请人/专利权人：无锡市纳微电子有限公司
本发明为纳米硅肖特基二极管。其在高温下稳定性好，反向漏电程度轻，噪音系数低，伏安特性较好。其特征在于：其包括低电阻率单晶基片，所述基片上覆盖二氧化硅薄膜层，所述二氧化硅...
2008年10月22日
4
反向导通型半导体元件及其制造方法　[申请号/专利号：200510065008]
申请人/专利权人：三菱电机株式会社
提供一种反向导通型半导体元件在衬底上一体地形成有绝缘栅双极晶体管和恢复特性优良的整流二极管。该反向导通型半导体元件在由第一导电类型半导体构成的衬底上一体地形成有绝缘栅双...
2005年11月2日
5
半导体装置及其制造方法　[申请号/专利号：200510059260]
申请人/专利权人：三洋电机株式会社
一种半导体装置及其制造方法，ＭＯＳＦＥＴ在源极－漏极间具有寄生ｐｎ二极管，其作为Ｆａｓｔ　　Ｒｅｃｏｖｅｒｙ　　Ｄｉｏｄｅ（ＦＲＤ）使用。但是，由于ｐｎ结二极管构成妨碍...
2005年10月5日
6
集成电路结构及其制造方法　[申请号/专利号：200610075487]
申请人/专利权人：联华电子股份有限公司
一种集成电路结构，此结构包括基底、接触窗与肖特基接触金属层。基底上已形成有重掺杂区与轻掺杂区。接触窗设置于重掺杂区上，而肖特基接触金属层则设置于轻掺杂区上，与基底构成肖...
2007年10月24日
7
一种肖特基二极管　[申请号/专利号：200510111690]
申请人/专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
本发明公开了一种改进的肖特基二极管，它可以在更精确地控制接触面积的前提下，有效地改善了肖特基结的侧面接触。它形成于一轻掺杂的Ｎ阱中，在Ｎ阱之上有硅化物合金层和至少一个接...
2007年6月27日
8
GaN系半导体装置　[申请号/专利号：200580010946]
申请人/专利权人：古河电气工业株式会社
提供一种ＧａＮ系半导体装置，其通态电阻低、反偏压的电压外加时的漏电流非常小，而且耐压特性非常优异，其结构具备：Ⅲ－Ⅴ族氮化物半导体层，其至少包含１个带隙能量不同的Ⅲ－Ⅴ...
2007年4月4日
9
半导体装置、半导体装置的制造方法　[申请号/专利号：200580009827]
申请人/专利权人：新电元工业株式会社
本发明提供高耐压的半导体装置。由细长的主沟部２６和与主沟部的长度方向侧面连接的副沟部２７构成活性沟２２ａ，在主沟部２６的底面上，配置其高度低于第二导电型的基极扩散区３２...
2007年3月28日
10
2008年12月3日
11
锗硅肖特基二极管　[申请号/专利号：200520013605]
申请人/专利权人：浙江大学
本实用新型涉及锗硅肖特基二极管，它包括自下而上依次迭置的欧姆接触电极、硅衬底和开有窗口的二氧化硅层，在二氧化硅层窗口内有锗硅外延层和镍硅化合物层，其中镍硅化合物层在锗硅...
12
一种锗硅肖特基二极管　[申请号/专利号：200520013604]
申请人/专利权人：浙江大学
本实用新型涉及锗硅肖特基二极管，它包括自下而上依次迭置的欧姆接触电极、硅衬底和开有窗口的氮化硅层，在氮化硅层窗口内有锗硅层和镍硅化合物层，其中镍硅化合物层在锗硅层的上面...
13
具有多划分的保护环的肖特基二极管结构及制备方法　[申请号/专利号：200810004909]
申请人/专利权人：半导体元件工业有限责任公司
在一个实施方案中，半导体结构包括多划分的保护环，多划分的保护环包括在半导体材料区形成的第一部分和第二部分。传导接触层与半导体材料区形成第一肖特基势垒。传导接触层叠盖第二...
2008年9月10日
14
具有垂直势垒的肖特基二极管　[申请号/专利号：200510121579]
申请人/专利权人：ST微电子公司
一种具有垂直于半导体芯片的表面延伸的垂直势垒的肖特基二极管，包括一方面与半导体芯片的衬底接触、具有形成肖特基势垒的插入界面，另一方面与放射状延伸的导电指状物接触的垂直的...
2006年8月23日
15
一种肖特基二极管　[申请号/专利号：200710046545]
申请人/专利权人：华东师范大学
本发明涉及一种新型的肖特基二极管，属于半导体器件制造技术领域。本发明提供的肖特基二极管包括：衬底、银电极层和单根超长ＺｎＯ纳米杆单晶材料。其中，银电极层设置在衬底上，超...
2008年2月27日
16
半导体装置　[申请号/专利号：200710153470]
申请人/专利权人：三洋电机株式会社、三洋半导体株式会社
一种半导体装置，现有半导体装置存在肖特基势垒二极管的反倾斜电流过度增大的问题。本发明的半导体装置具有：形成于Ｎ型外延层（３）上的Ｐ型第一及第二阳极扩散层（５、６）及（７...
2008年4月2日
17
半导体装置　[申请号/专利号：200710153471]
申请人/专利权人：三洋电机株式会社、三洋半导体株式会社
一种半导体装置，现有半导体装置存在肖特基势垒二极管的反倾斜电流过度增大的问题。本发明的半导体装置具有：形成于Ｎ型外延层（３）上的Ｐ型第一阳极扩散层（５）；按照包围所述第...
2008年4月2日
18
2008年6月11日
19
半导体二极管及其方法　[申请号/专利号：200510113551]
申请人/专利权人：半导体元件工业有限责任公司
在一个实施方案中，二极管被制作成在半导体衬底二个表面上具有阳极。...
2006年8月23日
20
肖特基结合型半导体装置的制造方法　[申请号/专利号：200580009694]
申请人/专利权人：财团法人电力中央研究所
在碳化硅外延层的表面形成肖特基电极的肖特基结合型半导体装置的制造方法中，在碳化硅外延层的表面形成由钼、钨、或者它们的合金形成的肖特基电极之后，通过热处理，使合金化反应在...
2007年3月28日
21
碳化硅半导体装置及其制造方法　[申请号/专利号：200610140399]
申请人/专利权人：日产自动车株式会社
一种碳化硅半导体装置及其制造方法，该碳化硅半导体装置包括：１）碳化硅衬底；２）硅化物电极，通过以引起固相反应的方式将接触母体材料沉积在该碳化硅衬底上而形成该硅化物电极，...
2007年6月13日
22
半导体装置　[申请号/专利号：200510006102]
申请人/专利权人：三洋电机株式会社
一种半导体装置，目前，肖特基势垒二极管的ＶＦ、ＩＲ特性具有对调关系，要实现低ＶＦ化，就具有不能避免漏泄电流的增大这样的问题。本发明的半导体装置在ｎ－型半导体层上设置到达...
2005年8月31日
23
半导体装置及其制造方法　[申请号/专利号：200510004104]
申请人/专利权人：三洋电机株式会社
一种半导体装置及其制造方法，现有肖特基势垒二极管的ＶＦ、ＩＲ特性为对调关系，存在为实现低ＶＦ化就不能避免漏电流增大的问题。通过用例如钛中含有微量铝的金属层作为肖特基金属...
2005年9月14日
24
氮化镓半导体器件　[申请号/专利号：200610088655]
申请人/专利权人：威力士半导体公司
一种基于氮化镓的半导体肖特基二极管，由以下层制造而成：设置在蓝宝石衬底上厚度为１－６微米之间的ｎ＋掺杂氮化镓层；设置在所述ｎ＋氮化镓层之上的厚度大于１微米的ｎ－掺杂氮化...
2006年11月29日
25
半导体器件及其制造方法　[申请号/专利号：200610077175]
申请人/专利权人：恩益禧电子股份有限公司
构造半导体器件１００，使其具有：半导体衬底１０２，其具有在其表面部分中形成的第一电导率型半导体区域１０４（第一电导率型区域）；肖特基势垒二极管的阳极１４６（金属电极），...
2006年11月1日
26
肖特基二极管及其制造方法　[申请号/专利号：200610059869]
申请人/专利权人：半导体元件工业有限责任公司
能够维持击穿电压使其高于大约２５０伏的肖特基二极管及其制造方法。一个设置在半导体基片上的外延层的厚度至少约为１５微米，杂质浓度范围从每立方厘米大约１×１０↑［１４］个原...
2006年10月4日
27
功率萧特基整流装置及其制造方法　[申请号/专利号：200510066062]
申请人/专利权人：竹懋科技股份有限公司、吴协霖
一种功率萧特基（Ｓｃｈｏｔｔｋｙ）整流装置，包括多个填满未掺杂多晶硅层的沟渠，其各个沟渠底部皆有一ｐ区域，当逆向偏压发生时用以阻抗逆向电流，并减少顺向偏压时的少数载子电...
2006年2月22日
28
氮化镓半导体装置的封装　[申请号/专利号：200510134125]
申请人/专利权人：威力士半导体公司
一种封装的半导体装置，特别是氮化镓半导体结构，包括：下半导体层和位于所述下半导体层的一部分之上的上半导体层。该半导体结构包括从下层向上凸起的多个台，每个台包括上层的一部...
2006年8月16日
29
半导体装置及其制造方法　[申请号/专利号：200510006251]
申请人/专利权人：三洋电机株式会社
一种半导体装置及其制造方法。目前肖特基势垒二极管的ＶＦ、ＩＲ特性存在对调关系，为了实线低ＶＦ化就不能避免漏电流的增大。虽然公知的有：通过加入Ｐ＋区域扩展耗尽层并利用夹断...
2005年8月31日
30
半导体装置　[申请号/专利号：200510006250]
申请人/专利权人：三洋电机株式会社
一种半导体装置。目前在肖特基势垒二极管的周围设有用于确保耐压的护圈。护圈由于是ｐ＋型区域，故在施加反向电压时，耗尽层会向其周围扩展构成低电容化的障碍。而在施加正向电压时...
2005年8月31日
31
整流元件、使用该整流元件的电子电路以及整流元件的制造方法　[申请号/专利号：200480039017]
申请人/专利权人：富士施乐株式会社
本发明提供一种整流元件、以及使用了该整流元件的电子电路以及整流元件的制造方法，该整流元件包含一对电极、设置在该一对电极之间的由１个或多个碳纳米管构成的载流子输送体；为了...
2007年1月17日
32
肖特基二极管及制作方法　[申请号/专利号：200610059868]
申请人/专利权人：半导体元件工业有限责任公司
一种能够承受大于２５０伏的电压的肖特基二极管及其制作方法。Ｎ型导电性的外延层置于Ｎ型导电性的半导体衬底上。Ｐ型导电性的保护环从外延层表面延伸到其内部。在保护环的一部分和...
2006年10月4日
33
半导体器件　[申请号/专利号：200580010103]
申请人/专利权人：新电元工业株式会社
本发明提供一种高耐压的半导体器件。由细长的主沟槽部（２６）和与主沟槽部的长度方向侧面连接的副沟槽部（２７）构成有源沟槽（２２ａ），在主沟槽部（２６）的底面上，配置其高度...
2007年3月28日
34
肖特基元件及制造该肖特基元件的半导体制程　[申请号/专利号：200710103403]
申请人/专利权人：崇贸科技股份有限公司
本发明提供一种肖特基（Ｓｃｈｏｔｔｋｙ）元件及其半导体制程。该肖特基元件包含一基板、一深阱、一肖特基接面（ｃｏｎｔａｃｔ）、及一欧姆（Ｏｈｍｉｃ）接面。该基板以一第一型...
2007年10月10日
35
垂直氮化镓半导体器件和外延衬底　[申请号/专利号：200680000348]
申请人/专利权人：住友电气工业株式会社
提供用于垂直氮化镓半导体器件的外延衬底，具有其中在ｎ－型的氮化镓衬底上可以设置具有希望的低载流子浓度的ｎ－型氮化镓层的结构。在氮化镓衬底（６３）上设置氮化镓外延膜（６５...
2007年5月23日
36
具有增强击穿电压的肖特基二级管结构及制造方法　[申请号/专利号：200610168593]
申请人/专利权人：半导体元件工业有限责任公司
在一个实施方式中，肖特基二级管结构包括肖特基势垒层，其通过肖特基接触窗口与半导体材料接触。邻近肖特基接触窗口形成导电环，且该导电环通过一个薄绝缘层与半导体材料分开。覆盖...
2007年8月8日
37
半导体装置及用于其制造的方法　[申请号/专利号：200580038217]
申请人/专利权人：罗伯特·博世有限公司
本发明涉及一种半导体装置（２０），其包括带有集成的ＰＮ二极管的沟槽－ＭＯＳ－势垒－肖特基－二极管，本发明还涉及用于其制造的方法。...
2007年10月17日
38
一种多晶锗硅肖特基二极管　[申请号/专利号：200520014504]
申请人/专利权人：浙江大学
本实用新型的多晶锗硅肖特基二极管，包括自下而上依次迭置的硅衬底、二氧化硅层、镍硅化物或钴硅化物层、并列迭在镍硅化物或钴硅化物层上面的多晶锗硅层与欧姆接触电极以及迭在多晶...
39
Ⅲ族氮化物半导体器件和外延衬底　[申请号/专利号：200680000560]
申请人/专利权人：住友电气工业株式会社
提供一种Ⅲ族氮化物半导体器件，该半导体器件具有可以提高击穿电压的结构。肖特基二极管（１１）由Ⅲ族氮化物支撑衬底（１３）、氮化镓区（１５）以及肖特基电极（１７）构成。Ⅲ族...
2007年7月4日
40
半导体器件　[申请号/专利号：200580017592]
申请人/专利权人：日本电气株式会社、恩益禧电子股份有限公司
提供一种具有足够高的散热性能，同时抑制芯片面积增加的半导体器件。在半导体器件（１）中，在半导体衬底（１０）上一维交替地布置多个ＨＢＴ（２０）和多个二极管（３０）。二极管...
2007年5月9日
41
半导体器件　[申请号/专利号：200510082033]
申请人/专利权人：三菱电机株式会社
提供一种半导体器件，尤其是制造工序简单且可获得充分的耐压特性的ＪＴＥ结构。该半导体器件包括：与在ＳｉＣ衬底（１）上形成的ｎ型漂移层（２）进行肖特基接触的正电极（３）、和...
2006年6月14日
42
具有复数个台面的横向导电肖特基二级管　[申请号/专利号：200510007599]
申请人/专利权人：昂科公司
一种横向导电肖特基二极管，其包括多个台面区域，在所述多个台面区域上形成有肖特基接触，且所述多个台面区域至少由欧姆接触分离，以减少电流通路长度并减少肖特基接触中的电流拥挤...
2005年8月24日
43
一种多晶锗硅肖特基二极管及其制备方法　[申请号/专利号：200510060565]
申请人/专利权人：浙江大学
本发明的多晶锗硅肖特基二极管包括自下而上依次迭置的硅衬底、二氧化硅层、镍硅化物或钴硅化物层、并列迭在镍硅化物或钴硅化物层上面的多晶锗硅层与欧姆接触电极以及迭在多晶锗硅层...
2006年2月8日
44
锗硅肖特基二极管及其制作方法　[申请号/专利号：200510050892]
申请人/专利权人：浙江大学
本发明涉及锗硅肖特基二极管及其制作方法，它包括自下而上依次迭置的欧姆接触电极、硅衬底和开有窗口的二氧化硅层，在二氧化硅层窗口内有锗硅外延层和镍硅化合物层，其中镍硅化合物...
2006年2月1日
45
一种锗硅肖特基二极管及其制作方法　[申请号/专利号：200510050890]
申请人/专利权人：浙江大学
本发明涉及锗硅肖特基二极管及其制作方法，它包括自下而上依次迭置的欧姆接触电极、硅衬底和开有窗口的氮化硅层，在氮化硅层窗口内有锗硅层和镍硅化合物层，其中镍硅化合物层在锗硅...
2005年12月28日
46
半导体装置及用于其制造的方法　[申请号/专利号：200580042013]
申请人/专利权人：罗伯特·博世有限公司
本发明描述了半导体装置和用于其制造的方法，其中该半导体装置被构造为带有作为箝位元件的ＰＮ二极管的沟槽－肖特基－势垒－肖特基－二极管（ＴＳＢＳ－ＰＮ）并且相对于传统的ＴＳ...
2007年11月14日
47
半导体装置和整流装置　[申请号/专利号：200580040266]
申请人/专利权人：罗伯特·博世有限公司
说明了一种半导体装置，特别是高效率－肖特基－二极管（ＨＥＤ）和具有这种半导体装置的整流器装置。高效率－肖特基－二极管（ＨＥＤ）由至少一个肖特基二极管组合以另外的半导体元...
2007年10月31日
48
半导体装置及其制造方法　[申请号/专利号：200580037812]
申请人/专利权人：罗伯特·博世有限公司
本发明涉及包括一个带有集成的ＰＮ二极管的沟槽－结－势垒－肖特基二极管的半导体装置（３０）及其制造方法。...
2007年12月19日
49
氮化物半导体器件的肖特基电极及其制作方法　[申请号/专利号：200580023067]
申请人/专利权人：日本电气株式会社
本发明提供了一种用于氮化物半导体器件的肖特基电极及其制作工艺，其具有高的势垒高度、低的漏电流性能和低电阻，并且热稳定。该氮化物半导体肖特基电极具有分层结构，该分层结构包...
2007年6月13日
50
半导体器件　[申请号/专利号：200710127047]
申请人/专利权人：株式会社东芝
一种半导体器件，包括：第一导电类型的半导体衬底（１）；第一导电类型的半导体层（２），其形成在所述半导体衬底（１）上且具有有源区和包围该有源区的边缘终止区；第二导电类型的...
2008年1月2日
 

专利发明首页:·生活及医学 ·作业及运输 ·化学及冶金 ·纺织及造纸 ·建筑及采矿 ·机械及工程 ·物理及测量 ·电子及通讯
...
  　　共92 条信息，当前显示第 1 - 50 条，共2 页
钱眼网客户服务　　联系方式:E-mail:qianyan.biz@hotmail.com 　免责声明
将钱眼设为首页 | 将钱眼推荐给朋友
钱眼网 版权所有 Copyright ©2026 Qianyan.biz All rights reserved. | 网络实名：钱眼
钱眼客服电话:010-82727623 　E_Mail:qianyan.biz@hotmail.com　QQ:532008814　　点击这里给我发消息　
京公网安备 11010502034661号   京ICP备06048586号