全部　供应　求购　企业　产品　专利　免费注册

发明名称　全文　

专利号:200810001510

　　[主　附　图]

　　[公开说明书]

　　[授权说明书]

包含多晶硅的半导体器件及其制造方法

本发明提供了一种包含多晶硅（ｐｏｌｙ－Ｓｉ）的半导体器件及该半导体器件的制造方法。该半导体器件包括ＴａＮ↓［ｘ］材料层以及形成在ＴａＮ↓［ｘ］材料层上的ｐｏｌｙ－Ｓｉ层。可通过如下步骤来制造包含ｐｏｌｙ－Ｓｉ的半导体器件：形成ＴａＮ↓［ｘ］材料层；通过在ＴａＮ↓［ｘ］材料层上沉积硅并对硅进行退火来形成ｐｏｌｙ－Ｓｉ层。

包含多晶硅的半导体器件及其制造方法

一种包含多晶硅的半导体器件，所述器件包括：　　　　ＴａＮ↓［ｘ］材料层；　　　　多晶硅层，在ＴａＮ↓［ｘ］材料层上。

专利号:	200810001510
申请日:	2008年1月4日
公开/公告日:	2008年7月9日
授权公告日:
申请人/专利权人:	三星电子株式会社
国家/省市:	韩国(KR)
邮编:
发明/设计人:	鲜于文旭、李正贤、裴炯轸、朴永洙
代理人:	韩明星邱玲
专利代理机构:	(11286)
专利代理机构地址:	()
专利类型:	发明
公开号:	101217157
公告日:
授权日:
公告号:	000000000
优先权:	韩国2007年1月5日10-2007-0001704
审批历史:
附图数:	5
页数:	8
权利要求项数:	2
请进入中国专利检索数据库核实

对该专利感兴趣:

姓名

电话/邮箱（不显示）

专利分类:·生活及医学 ·作业及运输 ·化学及冶金 ·纺织及造纸 ·建筑及采矿 ·机械及工程 ·物理及测量 ·电子及通讯

关于钱眼 | 服务指南 | 欢迎合作 | 联系我们 | 免责声明