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钱眼专利首页 > 通有待整流、放大或切换电流的 的专利共 73 条
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1
半导体器件及其形成方法　[申请号/专利号：200810127727]
申请人/专利权人：三星电子株式会社
本发明公开了一种半导体器件及其形成方法。该半导体器件包括彼此分开并界定在半导体衬底的同一阱内的第一掺杂区域和第二掺杂区域。栅绝缘层和栅电极堆叠在第一和第二掺杂区之间的沟...
2008年11月12日
2
用于具有棋盘式布局的晶体管的栅极金属布线　[申请号/专利号：200810080753]
申请人/专利权人：电力集成公司
本发明涉及用于具有棋盘式布局的晶体管的栅极金属布线。在一个实施例中，将制造于半导体管芯上的晶体管布置成细长晶体管段的部分。所述部分基本跨越半导体管芯设置成行和列。行或列...
2008年8月20日
3
半导体结构　[申请号/专利号：200810080434]
申请人/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
本发明涉及一种半导体结构，包括：半导体基底；栅介电层，位于半导体基底上；栅极，位于栅介电层上；深源极／漏极区，邻近栅极；硅化物区，位于深源极／漏极区上；以及，增高式金属...
2008年11月12日
4
半导体装置　[申请号/专利号：200810086547]
申请人/专利权人：三洋电机株式会社、三洋半导体株式会社
一种半导体装置，在半导体基板的第一主面上设置电导率调制型元件的半导体装置（如ｐｎ结二极管）中，为缩短反向回复时间，若降低ｐ型杂质区域的杂质浓度，则产生空穴的注入减少，某...
2008年10月1日
5
半导体装置　[申请号/专利号：200810086546]
申请人/专利权人：三洋电机株式会社、三洋半导体株式会社
一种半导体装置，在上漏极结构的ＭＯＳＦＥＴ中，需要确保漏极电极和电流的取出区域（导电路）在半导体芯片上。在芯片终端部为了防止反转，需要环形区域或屏蔽金属，但由于需要确保...
2008年10月1日
6
半导体装置及其制造方法　[申请号/专利号：200810086794]
申请人/专利权人：株式会社半导体能源研究所
本发明提供当形成接触孔时容易进行蚀刻控制的半导体装置的制造技术。本发明的半导体装置至少包括：形成在绝缘表面上的半导体层；形成在半导体层上的第一绝缘层；形成在第一绝缘层上...
2008年10月1日
7
半导体器件　[申请号/专利号：200610146404]
申请人/专利权人：恩益禧电子股份有限公司
一种半导体器件，具有在绝缘体上的半导体层上形成的场效应晶体管，包括：漏电极配线，形成在场效应晶体管的漏极区上；源电极配线，形成在场效应晶体管的源极区上；第一接触插塞，连...
2007年5月23日
8
显示装置及其制造方法　[申请号/专利号：200810003975]
申请人/专利权人：株式会社日立显示器、株式会社IPS先驱高新技术
本发明提供一种能够在薄膜晶体管中可靠性良好地形成电极的显示装置的制造方法，由如下步骤构成：准备具有依次层叠有栅极信号线、绝缘膜、半导体层及导体层而成的层叠体的基板；至少...
2008年7月30日
9
非易失性电子存储器件及其制作方法　[申请号/专利号：200810007252]
申请人/专利权人：高丽大学校产学协力团
本发明涉及非易失性（ｎｏｎｖｏｌａｔｉｌｅ　　ｍｅｍｏｒｙ）电子器件（ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ　　ｄｅｖｉｃｅ）及其制作方法，使纳米粒子（ｎａｎｏｐａｒｔｉｃｌｅ）吸附到纳...
2008年8月27日
10
薄膜晶体管、有源元件阵列基板以及液晶显示面板　[申请号/专利号：200810005640]
申请人/专利权人：友达光电股份有限公司
本发明公开了一种薄膜晶体管、一种有源元件阵列基板以及一种液晶显示面板，其中薄膜晶体管包括基板、栅极、栅极绝缘层、沟道层以及源极与漏极。栅极与栅极绝缘层配置于基板上，且栅...
2008年7月23日
11
双极晶体管及其制造方法　[申请号/专利号：200810087505]
申请人/专利权人：东部高科股份有限公司
一种双极晶体管及其制造方法。所述双极晶体管可包括在衬底中形成的集电极区、在包括所述集电极区的所述衬底上形成的外延层、在所述外延层中形成的基极区、在所述基极区中形成的发射...
2008年9月24日
12
半导体结构的形成方法　[申请号/专利号：200710103307]
申请人/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
本发明提供一种半导体结构的形成方法，包括：提供半导体基底，其具有ＰＭＯＳ区域以及ＮＭＯＳ区域；形成ＰＭＯＳ元件于该ＰＭＯＳ区域，包括：形成第一栅极叠层于半导体基底上；形...
2008年4月30日
13
一种薄膜晶体管及其制造方法　[申请号/专利号：200710169248]
申请人/专利权人：友达光电股份有限公司
本发明提供一种薄膜晶体管，其设置于一基板上，此薄膜晶体管至少包含栅极、栅极介电层、半导体层、源极、漏极、钝化层以及保护层。其中栅极设置于基板上，栅极介电层则覆盖栅极与基...
2008年3月26日
14
2008年5月28日
15
具有平行层状漏极结构的MOSFET及其漏极制造方法　[申请号/专利号：200710172271]
申请人/专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
一种具有平行层状漏极结构的ＭＯＳＦＥＴ，所述的漏极结构为平行于沟道的层状三明治结构，包含依次排列的缓变掺杂的Ｎ型缓变漏极，Ｐ阱，高掺杂的Ｎ型扩散区ｎ＋。在制造该层状漏极...
2008年5月14日
16
SOI高压器件　[申请号/专利号：200710050657]
申请人/专利权人：电子科技大学
ＳＯＩ高压器件，属于电子技术领域中的ＳＯＩ高压半导体器件。本发明提供的ＳＯＩ高压器件包括二极管、ＬＤＭＯＳ和ＬＩＧＢＴ，其主要技术方案是将常规实心形状的阴极／漏极／集电...
2008年5月14日
17
绝缘栅型半导体装置　[申请号/专利号：200710140986]
申请人/专利权人：三洋电机株式会社、三洋半导体株式会社
本发明提供一种绝缘栅型半导体装置。在现有结构中，源极区域及反向栅区域与共同的源极电极接触，不能分别控制源极区域和反向栅区域的电位。因此，在将这种ＭＯＳＦＥＴ用于双向转换...
2008年2月27日
18
半导体元件的欧姆接触构造　[申请号/专利号：200610150368]
申请人/专利权人：冲电气工业株式会社
本发明提供一种ＧａＮ－ＨＥＭＴ的欧姆接触构造，其具有第１欧姆电极（１０４）和第２欧姆电极（１０８），该第１欧姆电极（１０４）和第２欧姆电极（１０８）被分别设置成：从第１...
2007年6月20日
19
薄膜晶体管、薄膜晶体管阵列基板、显示面板及光电装置　[申请号/专利号：200810125691]
申请人/专利权人：友达光电股份有限公司
本发明提供一种薄膜晶体管、薄膜晶体管阵列基板、显示面板及光电装置。所述的薄膜晶体管，其配置于一基板上。此薄膜晶体管包括一栅极、一介电层、一半导体层、一源极以及一漏极。此...
2008年11月5日
20
膜图案化法、薄膜晶体管制法、薄膜晶体管衬底及其制法　[申请号/专利号：200610137421]
申请人/专利权人：三菱电机株式会社
本发明提供一种膜的图案化方法，无需作为蚀刻剂使用特定的气体且严密地控制该添加量，而将膜的加工两端部作成随着从衬底分离而两端部间的距离缩短的锥形，并可使该锥形的角度成为期...
2007年4月25日
21
晶体管的电极结构和包括该结构的像素结构及显示装置　[申请号/专利号：200610141673]
申请人/专利权人：友达光电股份有限公司
本发明揭示一种晶体管的电极结构和包括该电极结构的像素结构及显示装置。该晶体管的电极结构包括第一电极和第二电极。该第一电极具有至少两个第一区域和至少一个第二区域。各该第一...
2007年3月28日
22
薄膜晶体管阵列器件　[申请号/专利号：200680001836]
申请人/专利权人：皇家飞利浦电子股份有限公司
一种用于阵列器件的晶体管电路包括并联电连接且设置在同一衬底上的多个薄膜晶体管。在衬底上将晶体管设置成至少两行（２０↓［１］、２０↓［２］、２０↓［３］）晶体管，并且第一...
2008年1月16日
23
具有多层电极的有机薄膜晶体管　[申请号/专利号：200610088789]
申请人/专利权人：施乐公司
本发明提供了具有多层源极和漏极的薄膜晶体管（ＴＦＴ）。源极和漏极每一个都包含第一导电材料的第一层和导电聚合物的第二层，所述导电聚合物的功函与半导体层的相同或相似。第二层...
2006年12月13日
24
半导体器件及其制造方法　[申请号/专利号：200610064386]
申请人/专利权人：株式会社半导体能源研究所
本发明的目的在于不用增加步骤数量来获得包含硅化物层的具有高导通电流的晶体管。包括该晶体管的半导体器件包括其中厚度从沟道形成区侧上的边缘增加的第一区和其中厚度比第一区的厚...
2007年8月8日
25
双场板金属半导体场效应晶体管及其形成方法　[申请号/专利号：200610064354]
申请人/专利权人：M/A-COM公司
本发明提供一种双场板ＭＥＳＦＥＴ（９０）和形成ＭＥＳＦＥＴ的方法。ＭＥＳＦＥＴ（９０）包括栅极电极（１００）和漏极电极（９６），栅极电极（１００）和漏极电极（９６）形成...
2007年7月25日
26
半导体装置及其制造方法　[申请号/专利号：200710112263]
申请人/专利权人：株式会社半导体能源研究所
本发明的目的在于对能够利用无线通信进行信息交换的半导体装置容易附加个体标识符，还在于制造高可靠性半导体装置。本发明的技术要点如下：一种半导体装置，包括：薄膜晶体管，该薄...
2008年1月2日
27
横向绝缘栅双极型晶体管　[申请号/专利号：200610115938]
申请人/专利权人：株式会社日立制作所
本发明的目的在于提供一种防止自锁性能优良的横向绝缘栅双极型晶体管。本发明的横向绝缘栅双极型晶体管与半导体基片相互绝缘隔离地横跨相互邻接的多个单晶硅区域形成，形成于上述多...
2007年3月28日
28
薄膜晶体管及使用其的液晶显示器件　[申请号/专利号：200610079008]
申请人/专利权人：LG.菲利浦LCD株式会社
本发明公开了一种其中形成有具有同心圆形状的源极和漏极的ＴＦＴ，其减少了由于漏电流引起的截止电流并优化了导通电流以及栅极和源极之间的杂散电容。ＴＦＴ包括在基板上形成的栅极...
2006年11月29日
29
薄膜晶体管及其制造方法、薄膜晶体管基板及其制造方法、使用该薄膜晶体管的液晶显示装　[申请号/专利号：200580044212]
申请人/专利权人：出光兴产株式会社
本发明提供一种方法，其降低作为透明电极的第２电极、和第１电极（栅、源、漏）的接触部的接触电阻，抑制电池反应。该方法包括下述工序：在透明绝缘性基板上使用铝合金而形成作为第...
2007年12月12日
30
半导体器件及其制造方法　[申请号/专利号：200580043444]
申请人/专利权人：松下电器产业株式会社
使晶体管ＴｒＡ中每个侧壁（１０５）的厚度薄于晶体管ＴｒＢ中每个侧壁（１０５）的厚度。在晶体管ＴｒＡ中，当从衬底的主表面方向来看时，高浓度杂质扩散层（１０６）的表面和侧壁...
2007年11月28日
31
薄膜半导体装置及其制作方法　[申请号/专利号：200580036681]
申请人/专利权人：惠普开发有限公司
在形成半导体装置（２０、４０、５０、６０、７０、８０）的一种方法中，形成第一电极（３０），该第一电极（３０）与半导体材料（２８）电气耦合。在形成第一电极（３０）之后，与...
2007年10月10日
32
半导体元件　[申请号/专利号：200710102429]
申请人/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
一种半导体元件，包括：半导体基底；栅极堆栈结构（ｇａｔｅ　　ｓｔａｃｋ）位于半导体基底上；间隙壁位于该栅极堆栈结构的侧壁上；轻掺杂源／漏极区与该栅极堆栈结构邻接；深源／...
2008年2月6日
33
像素结构、薄膜晶体管及其制作方法　[申请号/专利号：200710193362]
申请人/专利权人：友达光电股份有限公司
本发明是关于一种像素结构、薄膜晶体管及其制作方法，薄膜晶体管适于配置在一基板上，包括一栅极、一栅绝缘层、一环状源极、一漏极以及一半导体层。栅极配置于基板上。栅绝缘层配置...
2008年5月7日
34
用于低源漏电容的高频晶体管布局　[申请号/专利号：200580020829]
申请人/专利权人：皇家飞利浦电子股份有限公司
一种ＲＦ场效应晶体管具有栅电极、以及梳状的漏和源电极，布置该梳状的漏的指以与源电极的指交叉，该源和漏电极具有多层（１１０、１２０、１３０、１４０）。交叉量在每个层中可以...
2007年5月30日
35
薄膜晶体管基板及其制造方法　[申请号/专利号：200710159648]
申请人/专利权人：三星电子株式会社
本发明涉及一种具有改进的电学特性的薄膜晶体管（ＴＦＴ）及其制造方法。该制造方法使用了一种掩模，该掩模包括漏极掩模图案、源极掩模图案和光调节图案。漏极掩模图案阻挡形成漏电...
2008年5月14日
36
2008年1月30日
37
薄膜晶体管面板及其制造方法　[申请号/专利号：200710101639]
申请人/专利权人：三星电子株式会社
公开了一种薄膜晶体管面板及其制造方法。该薄膜晶体管面板包括薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括具有开口的漏电极；以及接触该开口一部分的透明电极。...
2007年9月19日
38
锥形单元的金属氧化物半导体高电压器件结构　[申请号/专利号：200580008214]
申请人/专利权人：皇家飞利浦电子股份有限公司
场效应电子器件（１００，６００）（例如ＦＥＴ，如ＶＤＭＯＳ）包括设置在电介质层（１０４，６０８）上的场板（１０５，１０７），所述电介质层靠近半导体层（１０３，６０２）设...
2007年3月14日
39
晶体管、像素电极基板、电光装置、电子装置和半导体元件的制造方法　[申请号/专利号：200710091073]
申请人/专利权人：精工爱普生株式会社
本发明以比较低的成本提供关断电流低、导通关断比大的有机半导体晶体管。本发明的半导体器件包含：配置在基板上的多个电极（１０５）；配置在上述电极的相互间的有机半导体层（１０...
2007年10月10日
40
显示装置及其制造方法　[申请号/专利号：200610168697]
申请人/专利权人：三星电子株式会社
一种显示装置，包括：绝缘基板；数据导体，其形成于所述绝缘基板上并包括导电膜；薄膜晶体管，其具有与所述导电膜电连接的至少一个源电极和沿所述源电极的周围形成的并与之隔开的漏...
2007年8月1日
41
具有内透明集电极的绝缘栅双极晶体管　[申请号/专利号：200710063086]
申请人/专利权人：北京工业大学
本发明为一种具有内透明集电极的绝缘栅双基晶体管（ＩＧＢＴ），它是一种功率半导体开关器件，它是在现有ＰＴ－ＩＧＢＴ结构中的Ｐ↑［＋］型衬底与Ｎ型缓冲层之间加入一层厚度很薄...
2007年8月1日
42
在绝缘体半导体器件上的半导体及其制造方法　[申请号/专利号：200580019318]
申请人/专利权人：皇家飞利浦电子股份有限公司
一种在绝缘体上的半导体的半导体器件，具有金属或硅化物源和漏接触区（３８，４０），激活的源和漏区（３０，３２）和体区（３４）。该结构可以是双栅极ＳＯＩ结构或完全耗尽（ＦＤ...
2007年5月23日
43
半导体装置及其制造方法　[申请号/专利号：200580010207]
申请人/专利权人：富士通株式会社
具有：在源极／漏极扩散层６４上形成Ｎｉ膜６６的工序；通过进行热处理，使Ｎｉ膜６６中的下层侧的部分和源极／漏极扩散层６４中的上层侧的部分反应，在源极／漏极扩散层６４上形成...
2007年3月28日
44
晶体管制造　[申请号/专利号：200580002933]
申请人/专利权人：皇家飞利浦电子股份有限公司
描述了一种制造源－栅控晶体管的方法，其中在衬底（２）上提供栅极（４），随后提供栅绝缘体（６）和半导体层（８）。使用栅极（４）作为掩模，通过使用光致抗蚀剂（１２）和穿过衬...
2007年2月7日
45
电器、半导体装置及其制造方法　[申请号/专利号：200580003270]
申请人/专利权人：株式会社半导体能源研究所
在目前情形中，在制造过程大量使用了旋转涂敷的薄膜制备方法。随着将来基板尺寸的增大，使用旋转涂敷的薄膜制备方法在批量生产方面具有不利的方面，因为用于旋转大尺寸基板的机械装...
2007年2月14日
46
半导体器件及其制造方法　[申请号/专利号：200710090457]
申请人/专利权人：国际商业机器公司
一种半导体结构及其形成方法。该半导体结构包括（ａ）半导体层、（ｂ）栅极电介质区域和（ｃ）栅极电极区域。栅极电极区域与半导体层电绝缘。半导体层包括沟道区域、第一和第二源极...
2007年10月31日
47
半导体器件及其形成方法　[申请号/专利号：200710089347]
申请人/专利权人：国际商业机器公司
半导体器件及其形成方法。器件结构包括基片和至少一个半导体器件，该基片具有前表面和背表面，该至少一个半导体器件包括位于基片内的第一导电结构和位于之上的第二导电结构。第一导...
2007年11月28日
48
半导体装置及其制造方法　[申请号/专利号：200710088556]
申请人/专利权人：三洋电机株式会社、三洋半导体株式会社
本发明提供一种半导体装置及其制造方法，在半导体基板的纵向流过大电流的纵型ＭＯＳ晶体管或ＩＧＢＴ等半导体装置中，为了使接通电阻变小，需要进行薄膜化。在这种情况下，伴随着热...
2007年10月24日
49
2008年2月6日
50
LDMOS晶体管及其制作方法　[申请号/专利号：200580013161]
申请人/专利权人：英飞凌科技股份公司
一种半导体器件包含半导体衬底（１，１２）、在衬底的顶部上的绝缘层（８）、横向场效应晶体管，此横向场效应晶体管包含设置在衬底中的漏区（２）和源区（３）以及设置在衬底上绝缘...
2007年4月11日
 

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