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钱眼专利首页 > 包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的 的专利共 775 条
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1
灰度等级电压选择电路以及显示控制电路　[申请号/专利号：200810090066]
申请人/专利权人：株式会社东芝
灰度等级电压选择电路具备：多个灰度等级选择部件，分别从４灰度等级电压中选择１个；多个竞赛图电路，循环进行以二选一的方式选择由多个灰度等级选择部件分别选择出的灰度等级电压...
2008年10月8日
2
集成电路结构　[申请号/专利号：200810084038]
申请人/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
本发明涉及一种集成电路结构，包括衬底、位于衬底之中的从一端逐渐变窄的穿透硅通道、由衬底上表面延伸进入衬底的硬掩膜区，其中此硬掩膜围绕穿透硅通道的上方部分、位于衬底上的介...
2008年11月19日
3
半导体设备及切换半导体设备的驱动能力的方法　[申请号/专利号：200810090573]
申请人/专利权人：松下电器产业株式会社
一种连接到其他半导体设备的半导体设备，包括控制部分，该控制部分基于其他半导体设备的控制信息，控制对于其他半导体设备的驱动能力。...
2008年10月8日
4
掩模的布局方法、半导体器件及其制造方法　[申请号/专利号：200810097074]
申请人/专利权人：东部高科股份有限公司
提供一种掩模的布局方法，以及利用根据题述掩模的布局方法所产生的掩模的半导体器件及其制造方法。该半导体器件可包括：微透镜主图案，位于衬底上；以及微透镜虚设图案，处在所述微...
2008年11月12日
5
用于器件特定填充以提高退火均匀性的结构和方法　[申请号/专利号：200810081704]
申请人/专利权人：国际商业机器公司
公开了用于器件特定填充以提高退火均匀性的结构和方法。通过在晶片上分布具有不同半导体材料的填充结构，使得在每个区域内，最好在每个子区域内获得在不同半导体材料之间大致相同的...
2008年9月3日
6
2008年12月3日
7
一种基于碳纳米管的光电器件、光电集成电路单元及电路　[申请号/专利号：200810105174]
申请人/专利权人：北京大学
本发明提出一种基于碳纳米管的光电器件，以碳纳米管作为导电通道，其一端具有高功函数金属电极，另一端具有低功函数金属电极，通过简单的结构即可实现多种功能器件，包括但不限于双...
2008年10月8日
8
沟槽金属氧化物半导体　[申请号/专利号：200810090494]
申请人/专利权人：维税-希力康克斯公司
采用了与沟槽金属氧化物半导体（ＭＯＳ）势垒肖特基（ＴＭＢＳ）器件的多晶硅区域以及与单片集成的ＴＭＢＳ和ＭＯＳＦＥＴ（ＳＫＹＦＥＴ）器件中的ＭＯＳ场效应晶体管（ＭＯＳＦＥ...
2008年10月29日
9
掩模布局方法、半导体器件及其制造方法　[申请号/专利号：200810097071]
申请人/专利权人：东部高科股份有限公司
本发明提供了一种掩模布局方法、半导体器件及其制造方法。所述半导体器件可包括主图案，第一虚设图案以及第二虚设图案。所述主图案可沉积于衬底上。所述第一虚设图案和所述第二虚设...
2008年11月12日
10
半导体集成电路器件及其布图方法　[申请号/专利号：200810080473]
申请人/专利权人：恩益禧电子股份有限公司
一种半导体集成电路器件包括存储器宏和Ｍ（Ｍ是大于１的整数）个通道布线。存储器宏包括具有布置成矩阵的存储器单元的存储器单元阵列、连接存储器单元并在列方向上延伸的位线对，和...
2008年8月27日
11
片上变压器布置　[申请号/专利号：200810092531]
申请人/专利权人：美国国家半导体公司
本发明公开了一种集成电路，其需要片上端接电阻器来最小化来自外部信号源所供给的输入信号的反射。在充当集成电路的输入端子的两个接合焊盘之间施加输入信号。第一接合焊盘通过第一...
2008年10月22日
12
半导体器件　[申请号/专利号：200810009410]
申请人/专利权人：株式会社瑞萨科技
提供一种半导体器件，使得有可能减小在半导体器件的芯区域中形成的电路进行操作的操作电压波动。这个半导体器件这样安排，以便将芯区域分成多个功能块，并且能针对各划分功能块供给...
2008年10月1日
13
半导体装置及其信号终止方法　[申请号/专利号：200810096673]
申请人/专利权人：三星电子株式会社
本发明提供了一种半导体装置及其信号终止方法，该半导体装置可包括：半导体芯片，其包括耦接在信号输入垫和第一接地电压垫之间的信号终止电阻器；半导体封装，其包括信号输入端子和...
2008年9月17日
14
2008年12月10日
15
半导体器件无线测试中的串扰抑制　[申请号/专利号：200810081940]
申请人/专利权人：意法半导体股份有限公司
本发明名称为半导体器件无线测试中的串扰抑制，它公开了一种集成在半导体材料裸片上并适用于至少部分进行无线测试的集成电路，而设置要用于集成电路无线测试的选定无线电通信频率的...
2008年9月3日
16
集成电路及其防仿冒方法　[申请号/专利号：200810002262]
申请人/专利权人：国际商业机器公司
一种合并到真正集成电路（ＩＣ）设计中的防仿冒电路。当通过对真正ＩＣ进行反向工程来制成仿冒ＩＣ时，防仿冒电路在仿冒ＩＣ中诱发随机故障。防仿冒电路使用频率不同的两个信号，当...
2008年7月16日
17
2008年11月26日
18
单孔结构的CCD输出节点　[申请号/专利号：200810069343]
申请人/专利权人：中国电子科技集团公司第四十四研究所
本发明公开了一种单孔结构的ＣＣＤ输出节点，它包括：ＭＯＳ管栅、ＭＯＳ管栅接触孔、ＣＣＤ输出二极管、ＣＣＤ输出二极管接触孔、复位漏和复位栅，其特别之处在于：所述的ＭＯＳ管...
2008年8月6日
19
沟槽电容器及其制造方法　[申请号/专利号：200810001386]
申请人/专利权人：国际商业机器公司
本发明公开了一种沟槽电容器及其制造方法。在由诸如凹隔离或浅沟槽隔离限定的沟槽中，形成电容器的设计结构，其具有用于去耦应用的适当大的值。该电容器提供与有源区共延的接触区域...
2008年7月23日
20
半导体器件以及用于控制其图案的方法　[申请号/专利号：200810088172]
申请人/专利权人：三星电子株式会社
本发明提供一种半导体器件以及控制其图案的方法，其中可根据图案的临界尺寸（ＣＤ），单独地控制由双图案化工艺形成的图案的电特性。该方法包括控制具有不同ＣＤ的两个或更多图案，...
2008年8月13日
21
半导体器件及其制造方法　[申请号/专利号：200810004155]
申请人/专利权人：海力士半导体有限公司
本发明涉及一种半导体器件及其制作方法，该半导体器件包括：衬底，该衬底在形成有栅极的区域内具有凹陷；在所述凹陷的侧壁上形成的间隔物和填充所述凹陷的第一栅电极。所述间隔物包...
2008年11月12日
22
互补型金属氧化物半导体装置、半导体装置及其制造方法　[申请号/专利号：200810009606]
申请人/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
本发明涉及半导体装置及其制造方法，其中半导体装置具有为一外置应力源层所覆盖的至少一晶体管。在一Ｎ型金属氧化物半导体装置中，上述外置应力源层包含：一张应力膜，位于源极与漏...
2008年8月13日
23
静电保护电路　[申请号/专利号：200810091766]
申请人/专利权人：恩益禧电子股份有限公司
提供一种静电保护电路，不会影响通常的输出信号的传递，进行静电保护。具有输出端子（Ｏｕｔ）、接地端子（ＧＮＤ）、漏极和源极连接于输出端子（Ｏｕｔ）和接地端子（ＧＮＤ）之间...
2008年10月15日
24
半导体集成电路以及半导体集成电路的布局方法　[申请号/专利号：200810092632]
申请人/专利权人：松下电器产业株式会社
本发明提供一种半导体集成电路，其中将功能块分成多个区域。在各个区域设置有：在第一方向布线的时钟基干布线；在与第一方向正交的第二方向布线，且由与时钟基干布线电连接的多根时...
2008年10月22日
25
沿着半导体芯片的长边具有细长静电保护元件的半导体器件　[申请号/专利号：200810081265]
申请人/专利权人：恩益禧电子股份有限公司
一种静电保护元件，其被设置为：沿着输出电路区域的长边共用于多个输出电路。更优选地，应该在输出电路的Ｐｃｈ区域和Ｎｃｈ区域之间设置所述静电保护元件。...
2008年9月3日
26
2008年12月10日
27
具有垂直极板电容器的集成电路芯片及制造电容器的方法　[申请号/专利号：200810003078]
申请人/专利权人：国际商业机器公司
一种具有一个或多个垂直极板电容器的集成电路（ＩＣ）芯片以及制造该芯片电容器的方法，每个垂直极板电容器被连接到ＩＣ芯片上的电路。垂直极板电容器形成有在电路层上的底极板图形...
2008年8月6日
28
静电放电保护装置　[申请号/专利号：200810125814]
申请人/专利权人：三星电子株式会社
一种包括输入／输出端结构和电流放电结构的静电放电（ＥＳＤ）保护装置。该电流放电结构包括通过栅极电极与桥接区分离的导电区，形成在该导电区下面的阱区，通过另一个导电区与该阱...
2008年10月22日
29
半导体结构及其制造方法　[申请号/专利号：200810132559]
申请人/专利权人：友达光电股份有限公司
本发明公开了一种半导体结构及其制造方法。相较于现有技术的薄膜晶体管数组结构，本发明的结构为使用图案化第一金属层作为数据导线，而使用图案化第二金属层作为栅极导线。在薄膜晶...
2008年11月19日
30
提高MOSFET抗单粒子辐照的方法及一种MOSFET器件　[申请号/专利号：200810104595]
申请人/专利权人：北京大学
本发明公开了一种提高ＭＯＳＦＥＴ抗单粒子辐照的方法及一种ＭＯＳＦＥＴ器件，属于场效应晶体管技术领域。在本发明ＭＯＳＦＥＴ器件中，ＳＴＩ区沟槽侧壁与器件有源区上表面的锐夹...
2008年9月17日
31
具有改进的裂纹防护的半导体晶片　[申请号/专利号：200810003247]
申请人/专利权人：飞思卡尔半导体公司
一种制造用于切片的半导体晶片的方法，包括提供半导体晶片，该晶片包括基片和位于基片上的形成单元片区域结构的多个上层。设置该结构目的是通过用于切片工具的路径将相邻的单元片区...
2008年8月6日
32
用以保护一内部集成电路的半导体结构及其制造方法　[申请号/专利号：200810005158]
申请人/专利权人：崇贸科技股份有限公司
一种半导体结构及其制造方法，用以保护一内部集成电路，其半导体结构包括：一基板；多个第一掺杂区形成在基板中且位于一Ｎ型阱之内；多个第二掺杂区形成在基板中且位于一Ｐ型阱之内...
2008年7月16日
33
整合于显示面板的栅极驱动电路及其制作方法　[申请号/专利号：200810087335]
申请人/专利权人：友达光电股份有限公司
本发明提供一种整合于显示面板的栅极驱动电路及其制造方法，包括基板与栅极驱动电路结构设于其上。栅极驱动电路结构设置于基板的周边区，其包括第一层金属图案、第二属金属图案，以...
2008年8月13日
34
半导体器件　[申请号/专利号：200810083430]
申请人/专利权人：恩益禧电子股份有限公司
本申请公开了一种半导体器件。在包括排列成阵列的多个单位单元的半导体器件中，晶体管依赖于阵列中的位置而不同程度地受到来自ＳＴＩ的应力的影响。结果，在晶体管特性方面出现变化...
2008年9月10日
35
集成电路装置及电子设备　[申请号/专利号：200810005956]
申请人/专利权人：精工爱普生株式会社
本发明公开了一种既能够降低噪声影响又能够提高布局效率的集成电路装置。该集成电路装置包括数字电源调整电路（３０）、模拟电源调整电路（３２），控制逻辑电路（１１０）、模拟电...
2008年8月27日
36
集成电路装置及电子设备　[申请号/专利号：200810005955]
申请人/专利权人：精工爱普生株式会社
本发明公开了一种可以稳定且效率良好地驱动外部装置的集成电路装置等。该集成电路装置用于驱动由Ｎ型功率ＭＯＳ晶体管及Ｐ型功率ＭＯＳ晶体管构成的外部驱动器的Ｎ型功率ＭＯＳ晶体...
2008年8月27日
37
集成多栅极电介质成分和厚度的半导体芯片及其制造方法　[申请号/专利号：200810003807]
申请人/专利权人：国际商业机器公司
本发明公开了一种方法。所述方法包括在衬底上方形成材料并且构图所述材料，以便去除部分所述材料并且暴露所述衬底的下面的部分。所述方法还包括进行氧化工艺，由此在所述衬底的被暴...
2008年7月30日
38
显示装置及其制造方法　[申请号/专利号：200810095224]
申请人/专利权人：友达光电股份有限公司
一种显示装置与其制造方法。此种显示装置包括基板、多层式导电层、有机光刻胶层以及透明导电层。多层式导电层包括下阻障层、中间层及上阻障层。前述显示装置的制造方法包括下列步骤...
2008年9月17日
39
半导体集成电路　[申请号/专利号：200810008888]
申请人/专利权人：松下电器产业株式会社
本发明目的在于提供一种半导体集成电路，该半导体集成电路包括分别被配置有单元高度不同的标准单元的多个单元块，并可以减小单元块之间的时钟偏移，该半导体集成电路包括第一标准单...
2008年8月13日
40
2008年12月3日
41
无辅助、低触发电压和高维持电压的SCR　[申请号/专利号：200810109274]
申请人/专利权人：快捷半导体有限公司
本发明公开了一种保护性ＳＣＲ集成电路装置，其建立在邻接的Ｎ阱和Ｐ阱上且限定了阳极和阴极。除阳极和阴极的接触结构之外，该装置具有桥接于该Ｎ阱和该Ｐ阱的ｎ型叠层（Ｎ＋／ＥＳ...
2008年10月15日
42
标准单元和具有该标准单元的半导体装置　[申请号/专利号：200810091823]
申请人/专利权人：松下电器产业株式会社
本发明提供一种标准单元，其中，信号布线（１１）沿第一方向延伸。信号布线（１２、１３）沿实质上与第一方向垂直的第二方向延伸，且隔着信号布线（１１）而对置。并且，信号布线（...
2008年10月8日
43
半导体器件及其制造方法　[申请号/专利号：200810096758]
申请人/专利权人：东部高科股份有限公司
本发明涉及半导体器件及其制造方法，公开了用于半导体器件的重叠的虚设图案。根据本发明的实施例，第一虚设图案形成在衬底上；第二虚设图案形成为与所述第一虚设图案重叠；以及，第...
2008年11月12日
44
去耦合电容电路　[申请号/专利号：200810082746]
申请人/专利权人：钰创科技股份有限公司
一种去耦合电容电路包含有多个相互串联的深槽电容与多个推挽电路。该去耦合电容电路利用推挽电路来控制每一深槽电容的跨压，使其不受深槽电容的缺陷（泄漏电流）或者寄生元件的偏压...
2008年8月27日
45
2008年12月3日
46
集成电路封装　[申请号/专利号：200810088115]
申请人/专利权人：英飞凌科技股份公司
本发明涉及集成电路封装。一种集成电路包括衬底以及汽相沉积的封装材料，该衬底包括有源区域，该汽相沉积的封装材料封装该有源区域。...
2008年8月20日
47
2008年11月26日
48
半导体器件及其制造方法　[申请号/专利号：200810096799]
申请人/专利权人：东部高科股份有限公司
本发明公开了半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：第一主图样，形成在衬底上；以及第一虚拟图样，在形成有第一主图样的层上以与第一主图样平行的方向形成。可以插入其他虚拟...
2008年11月12日
49
半导体集成电路　[申请号/专利号：200810125851]
申请人/专利权人：三洋电机株式会社、三洋半导体株式会社
本发明的半导体集成电路提高静电破坏强度和闭锁强度等。此外，消除静电破坏强度和闭锁强度等的偏差，作为半导体集成电路，保证一定的质量。在静电破坏保护单元（ＥＣ１）中，利用由...
2008年11月12日
50
半导体器件及其制造工艺　[申请号/专利号：200810086139]
申请人/专利权人：恩益禧电子股份有限公司
一种半导体器件包括第一反相器、第二反相器和连接反相器的内引线，其中内引线形成电容器元件，且电容器元件包括半导体衬底上的具有孔的层间绝缘膜、覆盖孔底壁和侧壁和下电极、布置...
2008年9月17日
 

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