专利┆化工┆机械┆建材┆通讯┆纺织┆电子┆农业┆服饰┆环保┆家居┆电器┆办公┆玩具┆文教┆包装
电气┆塑料┆能源┆橡胶┆照明┆运动┆仪器┆冶金┆数码┆汽车┆物流┆纸业┆印刷┆礼品┆建筑┆五金
发明名称 全文
专利
供应商机
采购商机
企业库
商讯
产品库
钱眼专利首页 > 空气隙 的专利共 14 条
<<　1　 >>免费注册 
热点信息推荐



热点企业推荐
 
 
 
排序
专利信息
公开日
地区
我要留言
1
半导体装置及其制造方法　[申请号/专利号：200810090720]
申请人/专利权人：株式会社半导体能源研究所
本发明提供一种半导体装置及其制造方法，所述半导体装置可以以进一步简单的工艺比常规的半导体装置降低结电容且实现低耗电量化。本发明的半导体装置具有基础衬底、形成在基础衬底上...
2008年10月29日
2
形成半导体器件的隔离层的方法　[申请号/专利号：200710007260]
申请人/专利权人：海力士半导体有限公司
一种形成半导体器件的隔离层的方法包括在半导体衬底的隔离区内形成第一沟槽。在每一所述第一沟槽的侧壁上形成间隔体。在位于对应的第一沟槽之下的隔离区内形成第二沟槽。每一所述第...
2008年5月7日
3
半导体器件的制造方法　[申请号/专利号：200710007258]
申请人/专利权人：海力士半导体有限公司
一种制造半导体器件的方法包括提供具有栅极结构的半导体衬底。在所述栅极结构之间形成高度低于所述栅极结构的牺牲绝缘层，从而使每一所述栅极结构的一部分暴露于所述牺牲绝缘层之上...
2008年3月12日
4
形成受控的空隙的材料和方法　[申请号/专利号：200710103575]
申请人/专利权人：气体产品与化学公司
本发明是在基底上形成气隙的方法，该方法包括：提供基底；通过沉积至少一种牺牲材料前体来沉积牺牲层；沉积复合层；除去复合层中的成孔剂以形成多孔层和使层状基底与除去介质接触以...
2007年10月24日
5
用于微电子和微系统的新结构以及制造方法　[申请号/专利号：200580033080]
申请人/专利权人：特拉希特技术公司
本发明涉及一种用于制造包括表面层（２）、至少一个掩埋层（４）、以及支架的半导体结构的方法，该方法包括：在第一支架上形成由第一材料制成的第一层（４）的第一步骤，并且该第一...
2007年9月5日
6
构造集成电路的方法和相应的集成电路　[申请号/专利号：200510065986]
申请人/专利权人：ST微电子公司、皇家飞利浦电子股份有限公司
本发明涉及一种构造集成电路（ＩＣ）的方法，包括在衬底（１）内创建中空隔离沟（２）和在衬底的有源区（１２）中和上制造有源组件（５），在所述沟（２）之间存在定位，其特征在于...
2005年11月16日
7
通过多孔硅技术形成构图的绝缘体上硅/悬空硅复合结构　[申请号/专利号：200480041533]
申请人/专利权人：国际商业机器公司
提供一种构图的ＳＯＩ／ＳＯＮ复合结构及形成该结构的方法。在该ＳＯＩ／ＳＯＮ复合结构中，构图的ＳＯＩ／ＳＯＮ结构夹在Ｓｉ表层与半导体衬底之间。形成该构图的ＳＯＩ／ＳＯＮ复...
2007年2月14日
8
半导体材料集成微结构及其制造方法　[申请号/专利号：97116108]
申请人/专利权人：SGS-汤姆森微电子有限公司
本发明方法包括步骤：在衬底（１）上形成一消耗隐埋区；在隐埋区上生长一多晶区（８０）的半导体材料层（８），在别处生成一单晶区（８１）；有选择地去除多晶区（８０）的一部分以...
1998年8月19日
9
预键合腔空气桥　[申请号/专利号：97111413]
申请人/专利权人：哈里公司
控制晶片具有覆盖有介质的空腔。器件晶片键合于控制晶片。构造于器件晶片上的金属线、器件或电路覆盖控制晶片中的空腔，这就减少了对于控制晶片和通过控制晶片干扰的寄生电容。这样...
1998年5月13日
10
导体轨道装置及其制造方法　[申请号/专利号：200610111057]
申请人/专利权人：英飞凌科技股份公司
本发明与一种导体轨道装置有关，其包括一基板（１，２），至少两导体轨道（４）、一空穴（６）以及一介电质阻抗层（５），所述介电质阻抗层（５）覆盖所述导体轨道（４）并隔离所述...
2007年4月11日
11
互连气腔的集成控制和可靠性提高　[申请号/专利号：200610090263]
申请人/专利权人：意法半导体简易股份有限公司(克罗尔斯2区)、皇家飞利浦电子股份有限公司
本发明提供了一种改进的集成电路和集成电路制造方法，以在互连层叠结构中的互连线和通孔边缘引入聚合物材料的基础上，在高速铜互连中引入高度受控的气腔，所述方法包含气腔的形成以...
2007年2月14日
12
自对准通道结构中的气隙电介质　[申请号/专利号：00804947]
申请人/专利权人：皇家菲利浦电子有限公司
提供了一种高速的互连结构和制备该结构的方法。该互连结构包括一具有多条敷金属线（１２０）的第一金属敷层和一界定在该第一金属敷层上的导电通道的金属敷层。将该导电通道的金属敷...
2002年4月3日
13
隔离颈圈空隙及其形成方法　[申请号/专利号：200610136542]
申请人/专利权人：国际商业机器公司
在第一方案中，提供第一装置。第一装置包括在体衬底中在微电子器件的一个或多个部分周围形成的空隙。空隙适合于减小在微电子器件与体衬底之间的寄生泄漏。提供了大量其它方案。...
2007年5月23日
14
半导体结构中元件间的空隙作为隔离的用途　[申请号/专利号：200480013991]
申请人/专利权人：桑迪士克股份有限公司
形成具有相邻电荷存储元件的快闪ＥＥＰＲＯＭ或其它类型的存储单元阵列，这些相邻电荷存储元件之间具有充气空隙，以便降低存储元件之间的电容耦合程度，进而降低电荷存储元件之间的...
2006年6月21日
15
互连中的气隙的横向分布控制　[申请号/专利号：200610098459]
申请人/专利权人：意法半导体简易股份有限公司(克罗尔斯2区)、皇家飞利浦电子股份有限公司
本发明涉及利用硬掩模衬层能够抵抗去除剂扩散的特性来防止在互连层叠结构的特殊区域形成气腔。发明的方法包括：在ＩＣ互连层叠结构的表面限定出专门用于气腔引入的部分，其中所限定...
2007年5月2日
 

专利发明首页:·生活及医学 ·作业及运输 ·化学及冶金 ·纺织及造纸 ·建筑及采矿 ·机械及工程 ·物理及测量 ·电子及通讯
...
  　　共14 条信息，当前显示第 1 - 14 条，共1 页
钱眼网客户服务　　联系方式:E-mail:qianyan.biz@hotmail.com 　免责声明
将钱眼设为首页 | 将钱眼推荐给朋友
钱眼网 版权所有 Copyright ©2026 Qianyan.biz All rights reserved. | 网络实名：钱眼
钱眼客服电话:010-82727623 　E_Mail:qianyan.biz@hotmail.com　QQ:532008814　　点击这里给我发消息　
京公网安备 11010502034661号   京ICP备06048586号