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1
耐高压恒流源器件及制造方法　[申请号/专利号：200810028999]
申请人/专利权人：广州南科集成电子有限公司
本发明公开了一种可直接应用于交流电源及直流电源的具有过流过压保护功能的耐高压恒流源器件及制造方法。该器件包括Ｐ型硅衬底（１）、氧化层（６）、漏极金属（２）、源极金属（３...
2008年11月5日
2
半导体结构　[申请号/专利号：200810080434]
申请人/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
本发明涉及一种半导体结构，包括：半导体基底；栅介电层，位于半导体基底上；栅极，位于栅介电层上；深源极／漏极区，邻近栅极；硅化物区，位于深源极／漏极区上；以及，增高式金属...
2008年11月12日
3
用于具有棋盘式布局的晶体管的栅极金属布线　[申请号/专利号：200810080753]
申请人/专利权人：电力集成公司
本发明涉及用于具有棋盘式布局的晶体管的栅极金属布线。在一个实施例中，将制造于半导体管芯上的晶体管布置成细长晶体管段的部分。所述部分基本跨越半导体管芯设置成行和列。行或列...
2008年8月20日
4
非易失性电子存储器件及其制作方法　[申请号/专利号：200810007252]
申请人/专利权人：高丽大学校产学协力团
本发明涉及非易失性（ｎｏｎｖｏｌａｔｉｌｅ　　ｍｅｍｏｒｙ）电子器件（ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ　　ｄｅｖｉｃｅ）及其制作方法，使纳米粒子（ｎａｎｏｐａｒｔｉｃｌｅ）吸附到纳...
2008年8月27日
5
薄膜晶体管和包括该薄膜晶体管的有机发光装置　[申请号/专利号：200810082233]
申请人/专利权人：三星电子株式会社
本发明涉及一种薄膜晶体管和包括该薄膜晶体管的有机发光装置。该薄膜晶体管包括半导体，其中，该半导体具有沿着第一方向布置且相互分开的第一电极区域、第二电极区域、第三电极区域...
2008年9月24日
6
异质结双极晶体管及其形成方法　[申请号/专利号：200810002829]
申请人/专利权人：国际商业机器公司
公开了一种具有自对准的亚光刻非本征基极区域的异质结双极晶体管结构，包括为该基极制作的自对准的金属半导体合金和自对准的金属接触部。非本征基极区域的横向尺寸由牺牲间隔件的印...
2008年7月16日
7
薄膜晶体管、有源元件阵列基板以及液晶显示面板　[申请号/专利号：200810005640]
申请人/专利权人：友达光电股份有限公司
本发明公开了一种薄膜晶体管、一种有源元件阵列基板以及一种液晶显示面板，其中薄膜晶体管包括基板、栅极、栅极绝缘层、沟道层以及源极与漏极。栅极与栅极绝缘层配置于基板上，且栅...
2008年7月23日
8
静态随机存取存储器元件　[申请号/专利号：200810006998]
申请人/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
本发明公开一种静态随机存取存储器元件，至少包括一第一反相器；一第二反相器与第一反相器交互耦合；一第一通过栅电晶体，连接第一反相器至一位元线；以及一第二通过栅电晶体，连接...
2008年8月6日
9
双栅场效应晶体管及其形成方法　[申请号/专利号：200810002824]
申请人/专利权人：国际商业机器公司
本发明公开了具有亚光刻源区和漏区的横向双栅ＦＥＴ结构。亚光刻源区和漏区被牺牲间隔件所限定。使用传统的硅工艺对亚光刻源区和漏区制造自对准金属半导体合金和金属接触。...
2008年7月16日
10
一种肖特基二极管　[申请号/专利号：200710046545]
申请人/专利权人：华东师范大学
本发明涉及一种新型的肖特基二极管，属于半导体器件制造技术领域。本发明提供的肖特基二极管包括：衬底、银电极层和单根超长ＺｎＯ纳米杆单晶材料。其中，银电极层设置在衬底上，超...
2008年2月27日
11
具有用于补偿掩模未对准的结构的薄膜晶体管基底　[申请号/专利号：200710163017]
申请人/专利权人：三星电子株式会社
本发明公开了一种薄膜晶体管（ＴＦＴ）基底，该薄膜晶体管基底被这样构造：即使在漏电极和对应的栅极线之间存在制造引起的未对准的情况下，也因每个ＴＦＴ的漏极和栅极之间的密勒电...
2008年4月9日
12
半导体装置　[申请号/专利号：200710161271]
申请人/专利权人：三洋电机株式会社、三洋半导体株式会社
一种半导体装置，在分立半导体的芯片上，已知有将电流路径上的第一电极及第二电极设于半导体衬底的第一主面侧，可进行倒装片安装的结构。但是，由于在衬底内的水平方向上也流过电流...
2008年4月30日
13
功率金属氧化物硅场效应晶体管　[申请号/专利号：200710162860]
申请人/专利权人：东部高科股份有限公司
本发明公开了一种功率金属氧化物硅场效应晶体管，其中源极彼此连接，单个源极向两个沟道提供电子，使所述源极和沟道之间的接触表面不同变化以最大化从而大电流在小面积中流动，以及...
2008年4月23日
14
绝缘栅型半导体装置　[申请号/专利号：200710140986]
申请人/专利权人：三洋电机株式会社、三洋半导体株式会社
本发明提供一种绝缘栅型半导体装置。在现有结构中，源极区域及反向栅区域与共同的源极电极接触，不能分别控制源极区域和反向栅区域的电位。因此，在将这种ＭＯＳＦＥＴ用于双向转换...
2008年2月27日
15
半导体器件　[申请号/专利号：200710153708]
申请人/专利权人：恩益禧电子股份有限公司
本发明提供了一种具有掩埋在沟槽中的栅电极的改进的半导体器件，其使得难以在栅电极的末端处在栅电极和源电极之间产生短路。沟槽形成在半导体衬底中。栅电极和掩埋绝缘膜掩埋在沟槽...
2008年3月19日
16
晶体管、像素电极基板、电光装置、电子装置和半导体元件的制造方法　[申请号/专利号：200710091073]
申请人/专利权人：精工爱普生株式会社
本发明以比较低的成本提供关断电流低、导通关断比大的有机半导体晶体管。本发明的半导体器件包含：配置在基板上的多个电极（１０５）；配置在上述电极的相互间的有机半导体层（１０...
2007年10月10日
17
LDMOS晶体管　[申请号/专利号：200680001849]
申请人/专利权人：英飞凌科技股份公司
一种ＬＤＭＯＳ半导体晶体管结构，包括：具有第一导电类型的外延层（１５０）的基板（１６０）；从该外延层表面延伸的第二导电类型的源极区域（１１４）；在该外延层内的第二导电类...
2008年1月2日
18
压接式模块的公用电极　[申请号/专利号：200520024888]
申请人/专利权人：河北华整实业有限公司
本实用新型属于电力电子器件技术领域，公开了一种压接式模块的公用电极。其主要技术特征为：包括极板，所述极板的上表面设置有与之连为一体的压块，所述极板的下表面设置有与之连为...
19
双栅极晶体管及应用此双栅极晶体管的像素结构　[申请号/专利号：200610168651]
申请人/专利权人：友达光电股份有限公司
本发明提供了一种像素结构，包括双栅极晶体管、电容及电性连接于双栅极晶体管的信号线。其中，信号线包含扫描线与数据线。双栅极晶体管，包括第一栅极，形成于基板上。第一介电层，...
2007年8月8日
20
垂直型自对准悬浮漏极MOS三极管及制造方法　[申请号/专利号：200610124138]
申请人/专利权人：广州南科集成电子有限公司
本发明公开了一种导通电阻小、导电性能好、栅极电容小、交流反应快的垂直型自对准悬浮漏极ＭＯＳ三极管及制造方法。该三极管包括硅衬底（１）、漏极金属（２）、源极金属（３）、栅...
2007年8月15日
21
沟槽栅型半导体装置　[申请号/专利号：200610077712]
申请人/专利权人：株式会社电装
一种沟槽栅型半导体装置包括：第一半导体层（１，２１）；在第一半导体层（１，２１）上的第二半导体层（２）；在第二半导体层（２）上的第三半导体层（３）；在第三半导体层（３）...
2006年11月1日
22
译码器电路　[申请号/专利号：200610162373]
申请人/专利权人：松下电器产业株式会社
本发明公开的译码器电路包括：用于提供第一电压的电源控制电路；串联连接在该电源控制电路和第一参考节点之间的第一晶体管和第二晶体管；以及连接在第二参考节点与位于所述第一晶体...
2007年6月20日
23
直列插入式半导体器件　[申请号/专利号：200610032431]
申请人/专利权人：株洲南车时代电气股份有限公司
本发明公开了一种直列插入式半导体器件，它包括壳体、阳极、阴极、门电极以及阴电极，所述阳极和阴极分别位于壳体的两端，所述门电极和阴电极的一端位于壳体内阳极和阴极之间，另一...
2007年3月28日
24
制造具有凹陷栅极结构的半导体器件的方法　[申请号/专利号：200610054950]
申请人/专利权人：海力士半导体有限公司
本发明涉及一种形成在半导体器件中的具有变化宽度凹陷的变化宽度凹陷栅极结构，其能显著增加具有形成在该变化宽度凹陷中的栅极的晶体管的沟道长度，从而有效地减小电流泄漏并改进更...
2007年1月10日
25
阴电极分叉式半导体器件　[申请号/专利号：200610032430]
申请人/专利权人：株洲南车时代电气股份有限公司
本发明公开了一种阴电极分叉式半导体器件，它包括壳体、阳极、阴极、门电极以及阴电极，所述阳极和阴极分别位于壳体的两端，所述阴电极的一端位于壳体内阳极和阴极之间，另一端从壳...
2007年3月28日
26
半导体器件及其制造方法　[申请号/专利号：200610163949]
申请人/专利权人：夏普株式会社
一种半导体器件，包括设置在半导体芯片的前表面上、并电连接到构成晶体管的电极中的至少一个的至少一个第一电极１１ｂ；设置在半导体芯片的后表面上、并电连接到其它电极中的一个的...
2007年6月6日
27
隧道效应薄膜晶体管及其制造方法和使用其的显示器件　[申请号/专利号：200610150748]
申请人/专利权人：LG.菲利浦LCD株式会社
本发明公开了一种薄膜晶体管及其制造方法，以及使用该薄膜晶体管的有机发光二极管。该薄膜晶体管包括：栅极；与所述栅极重叠的半导体层；置于所述半导体层和所述栅极之间的第一绝缘...
2007年12月19日
28
薄膜晶体管及其制造方法　[申请号/专利号：200610149433]
申请人/专利权人：三星电子株式会社
本发明提供了一种薄膜晶体管（ＴＦＴ）及其制造方法。该ＴＦＴ包括：衬底；沟道，形成于该衬底上；源欧姆层和漏欧姆层，形成于该沟道的两端上；栅绝缘体，覆盖该源欧姆层和漏欧姆层...
2007年10月31日
29
晶体管结构及具有该结构的控制单元　[申请号/专利号：200610141674]
申请人/专利权人：友达光电股份有限公司
本发明涉及一种用于液晶显示器驱动电路的晶体管结构、及具有该晶体管结构的控制单元。该晶体管结构包括第一导电层、第二导电层及上栅极，此晶体管结构在第一导电层、第二导电层及上...
2007年3月28日
30
半导体装置及其制造方法　[申请号/专利号：200610137356]
申请人/专利权人：冲电气工业株式会社
本发明提供具有可抑制带间隧道电流结构的半导体装置及其制造方法。该半导体装置至少包含：栅结构体（５），其具有漏区（９－１、１１－１、１４－１）和第１侧壁；与该第１侧壁接近...
2007年6月13日
31
用于异常磁致电阻元件的引线接触结构　[申请号/专利号：200610138863]
申请人/专利权人：日立环球储存科技荷兰有限公司
本发明公开一种ＥＭＲ元件及其制造方法。该ＥＭＲ结构包括形成有源区的一个或更多层，例如二维电子气（２ＤＥＧ）。该ＥＭＲ结构具有第一侧表面和相对的第二侧表面，该第一侧表面具...
2007年2月21日
32
修复显示装置中的像素缺陷　[申请号/专利号：200610140338]
申请人/专利权人：三星电子株式会社
本发明提出了一种有助于容易修复有缺陷像素的显示装置。该装置包括：薄膜晶体管，形成为具有第一电极和第二电极，第二电极具有面向第一电极的第一部分、从第一部分突出并具有第一宽...
2007年5月30日
33
SONOS栅极结构及其形成方法　[申请号/专利号：200610064964]
申请人/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
本发明提供一种ＳＯＮＯＳ栅极结构及其形成方法，所述ＳＯＮＯＳ栅极结构，包含：一具有侧壁的栅极图案位于一基底上，其中栅极图案包括一栅极介电层及一栅极电极；一氧化层结构位于...
2007年4月11日
34
半导体元件及其形成方法　[申请号/专利号：200610141051]
申请人/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
本发明提供一种半导体元件及其形成方法，包括：一栅极电极以及接近该栅极电极的一源极区与一漏极区。一硅化区位于该栅极电极、该源极区或该漏极区的顶部表面上。一非硅化区，邻近该...
2007年9月26日
35
2008年1月30日
36
具有源极连接的场板的宽带隙场效应晶体管　[申请号/专利号：200580014866]
申请人/专利权人：美商克立股份有限公司
一种场效应晶体管包含依次形成于衬底上的缓冲层与沟道层。源极（１８）、漏极（２０）、及栅（２２）皆形成电接触于该沟道层，且该栅位于该源极与漏极的之间。间隔层（２６）形成于...
2007年7月11日
37
制造场效应晶体管的方法以及半导体结构　[申请号/专利号：200710089477]
申请人/专利权人：国际商业机器公司
通过减薄栅电极以提供厚度减小的栅电极，制造了具有减小的栅电容的半导体结构。所述栅电极是在形成邻接所述栅电极的隔离物层之后被减薄的。另外，还可以减小所述隔离物层的高度。所...
2007年9月26日
38
一种可减小短沟道效应的MOS晶体管及其制作方法　[申请号/专利号：200710039186]
申请人/专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
本发明提供一种可减小短沟道效应的ＭＯＳ晶体管及其制作方法。现有技术采用外延工艺制作抬高的源极和漏极来减小短沟道效应，存在高复杂性和高成本等问题。本发明的可减小短沟道效应...
2007年9月5日
39
形成自对准晶体管的方法及其结构　[申请号/专利号：200610153918]
申请人/专利权人：半导体元件工业有限责任公司
本发明涉及一种形成自对准晶体管的方法及其结构。在一种实施方式中，形成晶体管时使用两部分导体，以与晶体管的有源区之一发生电接触。...
2007年4月4日
40
薄膜晶体管、TFT阵列基板、液晶显示器及其制造方法　[申请号/专利号：200610142087]
申请人/专利权人：NEC液晶技术株式会社
一种薄膜晶体管，包括：栅层、栅绝缘层、半导体层、漏层和钝化层（每一层都直接或间接形成在绝缘基板上），和形成在钝化层上的导电层。该导电层通过至少穿过该钝化层的接触孔与栅层...
2007年4月11日
41
垂直型自对准悬浮漏极MOS三极管　[申请号/专利号：200620154567]
申请人/专利权人：广州南科集成电子有限公司
本实用新型公开了一种导通电阻小、导电性能好、栅极电容小、交流反应快的垂直型自对准悬浮漏极ＭＯＳ三极管。本实用新型包括硅衬底（１）、漏极金属（２）、源极金属（３）、栅极金...
42
异径分叉式半导体器件　[申请号/专利号：200620052555]
申请人/专利权人：株洲南车时代电气股份有限公司
本实用新型公开了一种异径分叉式半导体器件，它包括壳体、阳极、阴极、门电极以及阴电极，所述阳极和阴极分别位于壳体的两端，所述门电极包括呈环形排列的两个或两个以上的门电极片...
43
圆盘式半导体器件　[申请号/专利号：200620052554]
申请人/专利权人：株洲南车时代电气股份有限公司
本实用新型公开了一种圆盘式半导体器件，它包括壳体、阳极、阴极、门电极以及阴电极，所述阳极和阴极分别位于壳体的两端，所述门电极和阴电极的一端位于壳体内阳极和阴极之间，另一...
44
重叠分叉式半导体器件　[申请号/专利号：200620052553]
申请人/专利权人：株洲南车时代电气股份有限公司
本实用新型公开了一种重叠分叉式半导体器件，它包括壳体、阳极、阴极、门电极以及阴电极，所述阳极和阴极分别位于壳体的两端，门电极包括呈环形排列的两个或两个以上的门电极片，所...
45
直列插入式半导体器件　[申请号/专利号：200620052552]
申请人/专利权人：株洲南车时代电气股份有限公司
本实用新型公开了一种直列插入式半导体器件，它包括壳体、阳极、阴极、门电极以及阴电极，所述阳极和阴极分别位于壳体的两端，所述门电极和阴电极的一端位于壳体内阳极和阴极之间，...
46
阴电极分叉式半导体器件　[申请号/专利号：200620052551]
申请人/专利权人：株洲南车时代电气股份有限公司
本实用新型公开了一种阴电极分叉式半导体器件，它包括壳体、阳极、阴极、门电极以及阴电极，所述阳极和阴极分别位于壳体的两端，所述阴电极的一端位于壳体内阳极和阴极之间，另一端...
47
2008年2月6日
48
半导体装置、半导体装置的制造方法　[申请号/专利号：200580009827]
申请人/专利权人：新电元工业株式会社
本发明提供高耐压的半导体装置。由细长的主沟部２６和与主沟部的长度方向侧面连接的副沟部２７构成活性沟２２ａ，在主沟部２６的底面上，配置其高度低于第二导电型的基极扩散区３２...
2007年3月28日
49
包括高K-介质材料的半导体器件及其形成方法　[申请号/专利号：200510104111]
申请人/专利权人：三星电子株式会社
一种半导体器件包括，半导体衬底上的第一导电层，第一导电层上的包括高Ｋ－介质材料的介质层，介质层上的包括掺有Ｐ型杂质的多晶硅的第二导电层，以及第二导电层上的包括金属的第三...
2006年5月3日
50
晶体管和具有该晶体管的显示装置　[申请号/专利号：200510099879]
申请人/专利权人：三星电子株式会社
一种晶体管，包括控制电极、第一电流电极和第二电流电极。控制电极包括主体部分、分别从主体部分的第一和第二端突出的第一和第二手部。第一电流电极与控制电极电绝缘且设置在控制电...
2006年5月3日
 

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