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钱眼专利首页 > 在不同半导体区域中的 的专利共 3 条
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1
包括由具有低熔点材料制造的延伸部的半导体器件　[申请号/专利号：200480010942]
申请人/专利权人：皇家飞利浦电子股份有限公司
一种半导体器件包括栅电极（１）和栅绝缘层（２），两个都被间隔物（３）围绕且制造在由第一半导体材料制成的衬底（１００）的表面（Ｓ）上。该器件还包括源区（４）和漏区（５），...
2006年5月24日
2
一种形成分层半导体工艺结构的方法与相应的分层半导体工艺结构　[申请号/专利号：02820195]
申请人/专利权人：硅电子股份公司
下面的发明提供了一种方法，用于形成一个分层半导体结构，该结构具有在基片（１；１′）上的第一半导体工艺材料层（５），该基片包括至少一种第二半导体工艺材料，该方法包含以下步...
2005年11月16日
3
一种特别适用于光学、电子学或光电子学器件的基片加工方法和由该方法获得的基片　[申请号/专利号：01820799]
申请人/专利权人：S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司
本发明涉及一种加工基片的方法，该基片包括一构成机械支承的一层来承载的薄层；这一加工方法特别适用于光学、电子学或光电子学器件。根据本发明的方法包括以下步骤：自源基片（６）...
2004年10月27日
 

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