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钱眼专利首页 > 杂质材料与半导体的合金 的专利共 32 条
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1
防止击穿的半导体元件的制造方法　[申请号/专利号：200510065609]
申请人/专利权人：力晶半导体股份有限公司
一种防止击穿的半导体元件的制造方法，此方法适用于基底，且基底中已形成有平行排列的多个元件隔离结构以定义出多个有源区，且这些元件隔离结构的上表面突出于基底表面。另外，在基...
2006年11月1日
2
以深碳掺杂区和掺杂施主的凸起源和漏区为特征的应变的NMOS晶体管　[申请号/专利号：200510048392]
申请人/专利权人：英特尔公司
本发明的一些实施例包括提供碳掺杂区和凸起的源／漏区以在ＮＭＯＳ晶体管沟道中提供张应力。...
2006年9月6日
3
制作发光二极管外延晶片的方法　[申请号/专利号：00117643]
申请人/专利权人：国联光电科技股份有限公司
一种在一基底上制作一低电阻系数Ｐ型化合物半导体材料的方法，包括利用ＨＶＰＥ、ＯＭＶＰＥ或ＭＢＥ工艺，在该基底上形成一Ｐ形掺杂化合物半导体层；以及对该Ｐ型掺杂化合物半导体...
2001年8月8日
4
立方氮化硼薄膜的p型掺杂方法　[申请号/专利号：200710178682]
申请人/专利权人：北京工业大学
立方氮化硼薄膜的ｐ型掺杂方法属于宽带隙半导体薄膜掺杂领域。克服宽带隙超硬材料ｃ－ＢＮ薄膜很难实现ｐ型掺杂的困难，实现ｃ－ＢＮ薄膜的有效ｐ型掺杂。本发明步骤：（１）使用低...
2008年5月7日
5
带低阻薄层衬底的高压硅管及制法　[申请号/专利号：89103536]
申请人/专利权人：北京市半导体器件研究所
一种对具有单层衬底结构的高压半导体硅管制造方法的改进，通过背面掺杂等工艺，在衬底高阻层背面形成低阻薄层，有效地减小了接触电阻，增加了功能，简化了工艺，减少了加工中的碎片...
1990年12月12日
6
化合物半导体平面结型器件欧姆接触的制备方法　[申请号/专利号：85105699]
申请人/专利权人：中国科学院上海冶金研究所
本发明是化合物半导体平面结型器件欧姆接触的制备方法．它使用同样的接触合金ＡｕＧｅ，可同时在平面器件的ｐ区和ｎ区得到满意的欧姆接触．使用本发明可减少蒸发光刻及热处理次数，...
1987年1月14日
7
包含掺杂了的纳米元件的装置及其形成方法　[申请号/专利号：200510123516]
申请人/专利权人：国际商业机器公司
本文公开了含有已掺杂的半导体纳米元件的装置和形成这种装置的方法。纳米元件是通过对有机含胺掺杂剂暴露而掺杂的纳米管、纳米线或纳米晶体膜之一。对具有含硒化铅纳米线或纳米晶体...
2006年6月21日
8
由硅制造掺杂半导体晶片的方法以及该半导体晶片　[申请号/专利号：200510091416]
申请人/专利权人：硅电子股份公司
本发明涉及一种由硅制造掺杂半导体晶片的方法，这些掺杂半导体晶片含有一种诸如硼、磷、砷或锑的电活性掺杂剂，并任选额外用锗掺杂，且具有特定的热导率，其中，由硅制成单晶，并进...
2007年2月14日
9
制造重掺杂半导体晶圆的工艺，及无位错、重掺杂半导体晶圆　[申请号/专利号：200510006833]
申请人/专利权人：硅电子股份公司
本发明涉及一种用于制造重掺杂半导体晶圆的工艺，在该工艺中，掺杂使用至少两种电气性活跃的并且属于元素周期系统同一族的掺杂剂。本发明还涉及一种无位错并且用至少两种掺杂剂掺杂...
2005年8月3日
10
高阻值的硅层及其制造方法　[申请号/专利号：200510064100]
申请人/专利权人：联华电子股份有限公司
一种高阻值的硅层，其配置于基底上。此高阻值的硅层包括多个硅材料层以及配置于相邻二硅材料层之间的界面层。其中，这些硅材料层与界面层中具有掺杂物，且所注入的掺杂物剂量介于１...
2006年10月18日
11
应变调制掺杂法制备P型氧化锌半导体薄膜材料的方法　[申请号/专利号：200410009856]
申请人/专利权人：中国科学院半导体研究所
本发明涉及一种利用应变调制掺杂法制备Ｐ型氧化锌（ＺｎＯ）半导体薄膜材料的方法。该方法是利用氧化锌和氧化镁锌两者的压电激化效应和两者之间的晶格失配，在氧化锌和氧化镁锌超晶...
2006年5月31日
12
提高n型硅原位掺杂载流子浓度的方法　[申请号/专利号：03119957]
申请人/专利权人：中国科学院半导体研究所
一种提高ｎ型硅（Ｓｉ）原位掺杂浓度的方法，它是在进行Ｓｉ原位掺杂生长的过程中掺入锗（Ｇｅ）来实现。也可以说，它是生长ｎ型原位掺杂的Ｇｅ组分较低的ＳｉＧｅ材料代替ｎ型Ｓｉ...
2004年9月22日
13
半导体器件及其制造方法　[申请号/专利号：03112756]
申请人/专利权人：苏州固锝电子股份有限公司
本发明涉及半导体器件及制造方法，其技术要点在于：将含有一种类型杂质成分的硅－杂质混合物，用电子束蒸发方法或溅射方法直接淀积到另一种类型的硅半导体基片上，通过该合金将杂质...
2003年7月23日
14
用于较高雪崩电压操作的具有外延层的瞬态电压抑制器　[申请号/专利号：200380101665]
申请人/专利权人：通用半导体公司
一种半导体器件，包括：具有体区部分和在该体区部分之上设置的台阶部分的重掺杂的第一导电类型的第一层。在第一层的该台阶部分上淀积第二导电类型的第二层，以在其间形成ｐ－ｎ结。...
2006年2月1日
15
光热诱发的扩散方法和电气设备　[申请号/专利号：03822437]
申请人/专利权人：英特尔公司
通过应用光热能的扩散形成混合材料的构造。扩散可以用于产生导电迹线。扩散可以发生在封装衬底，半导体衬底，印刷电路板（ＰＣＢ）衬底或其他多层衬底中的一种衬底上的材料层（１７...
2005年10月12日
16
半导体装置的制造方法　[申请号/专利号：03122509]
申请人/专利权人：株式会社东芝
提供一种能精确地控制杂质的分布的半导体装置及半导体装置的制造方法。该制造方法包括：将杂质元素的离子注入半导体区域（１）的工序；作为预定元素将ＩＶ族的元素或与杂质元素的导...
2003年10月29日
17
反向短沟道效应的减少　[申请号/专利号：01112163]
申请人/专利权人：国际商业机器公司
说明了一种具有减少的反向短沟道效应的ＦＥＴ，还说明了制造所说ＦＥＴ的方法。锗被注入到整个半导体基片中，其强度和剂量使峰值离子浓缩区建立在ＦＥＴ的源和漏极之下。锗可以在栅...
2001年10月31日
18
2008年1月30日
19
掺有锑、镓或铋的半导体器件及其制造方法　[申请号/专利号：200610006120]
申请人/专利权人：三星电子株式会社
本发明公开了一种半导体存储器件，所述半导体存储期间包括半导体衬底中的第一掺杂剂区域和第二掺杂剂区域，所述第一掺杂剂区域和所述第二掺杂剂区域掺有从包括Ｓｂ、Ｇａ和Ｂｉ的组...
2006年9月6日
20
使化合物半导体层激活成为P-型化合物半导体层的方法　[申请号/专利号：03156700]
申请人/专利权人：三星电子株式会社
提供了一种把化合物半导体层激活成ｐ－型化合物半导体层的方法。为了降低由ＶＰＥ法生长的化合物半导体层的电阻率，照射其能量大于化合物半导体层的带隙能量的电磁波并且进行退火。...
2004年5月12日
21
铜掺杂磁半导体　[申请号/专利号：200580016180]
申请人/专利权人：NM斯平特罗尼克公司
本发明提供一种半导体材料、制造该材料的方法、以及应用该材料的方式，其中所述材料被掺杂以Ｃｕ或ＣｕＯ，且至少在－５５℃和１２５℃之间范围的一温度下是铁磁的。通常，所述材料...
2007年7月11日
22
锰掺杂磁半导体　[申请号/专利号：200580016178]
申请人/专利权人：NM斯平特罗尼克公司
本发明涉及一种半导体材料，其是非氧化物材料或者是已经被掺杂的氧化物材料，其中所述材料被掺杂以锰Ｍｎ，且在室温和５００Ｋ之间范围内的至少一温度是铁磁的。优选地，该锰掺杂材...
2007年6月20日
23
在半导体器件中生成导电通道的工艺和装置　[申请号/专利号：98806425]
申请人/专利权人：约翰内斯·海登海因博士有限公司、硅传感器有限公司
本发明涉及通过在最好放置在一半导体上的半导体器件的两对置顶面之间生成一温度梯度并在较冷顶面上施加导电掺杂位置用热迁移在半导体器件中生成导电通道的一种工艺和一种装置。半导...
2000年7月26日
24
纳米部件的掺杂方法，制作场效应晶体管和纳米管场效应晶体管的方法　[申请号/专利号：200510124674]
申请人/专利权人：国际商业机器公司
提供了对纳米部件的掺杂方法，包括纳米管、纳米晶体和纳米线，该方法通过将纳米部件暴露于含有机胺的掺杂剂中进行掺杂。也提供了制作包含已经用这样的掺杂剂进行掺杂的纳米部件的场...
2006年10月4日
25
用于形成半导体器件杂质结区的方法　[申请号/专利号：96106670]
申请人/专利权人：现代电子产业株式会社
一种用于形成半导体器件的杂质结区的方法，其中浅的杂质结区通过注入大分子量的杂质离子在半导体衬底中选择性地形成缺陷区和无定型区加以形成，从而可改善半导体器件的特性。该方法...
1997年1月15日
26
用于在半导体层内制造具有降低了的电导率的区域的方法以及光电子半导体器件　[申请号/专利号：200580017279]
申请人/专利权人：奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
在用于在导电的Ⅲ－Ⅴ半导体层（３）内制造至少一个具有降低了的电导率的区域（８）的方法中，在所述半导体层（３）的区域（８）上敷设ＺｎＯ层（１），并且接着优选地在３００℃和...
2008年1月2日
27
一种ｐ-Zn***Mｇ*O晶体薄膜及其制备方法　[申请号/专利号：200310108467]
申请人/专利权人：浙江大学
本发明的ｐ－Ｚｎ↓［１－ｘ］Ｍｇ↓［ｘ］Ｏ晶体薄膜，是以Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ中的一种或几种为施主、以Ｎ、Ｐ、Ａｓ气体中的一种或几种为受主共掺杂的ｐ－Ｚｎ↓［１－ｘ］Ｍｇ...
2004年11月3日
28
半导体器件及其制造方法　[申请号/专利号：03155592]
申请人/专利权人：株式会社东芝
一种具有半导体层的半导体器件，包括：具有比半导体层的半导体组分原子的共价键最小半径大的共价键半径的第一杂质原子；和具有比半导体组分原子的共价键最大半径小的共价键半径的第...
2004年4月7日
29
含氟的P型掺杂微晶半导体合金　[申请号/专利号：85108047]
申请人/专利权人：能源转换装置公司
一种含有足够浓度晶体夹杂物的以显著改善材料性能的、含氟掺硼Ｐ型硅基半导体微晶合金，以及该合金的制造方法．包含有至少一层暴露于入射光下的这种合金的单个电池或多层电池的光生...
1986年7月16日
30
磷化镓发光二极管电极制备工艺　[申请号/专利号：88104435]
申请人/专利权人：厦门大学
磷化镓发光二极管电极制备工艺，本发明涉及发光二极管电极制备工艺。它提出一种具有多组分电极结构的材料配方，借助多层真空镀膜，控制镀膜厚度，优选合金热处理的工艺条件，降低合...
1990年2月14日
31
具有减小电阻的化合物半导体器件　[申请号/专利号：96105106]
申请人/专利权人：富士通株式会社
一种制作半导体器件的方法包括用ＭＯＶＰＥ工艺沉积具有第一导电类型的第一化合物半导体层（１４，２５）的步骤、采用由于气体掺杂剂的分解实施的平面掺杂工艺使第一化合物半导体层...
1996年12月10日
32
用作栅电极的过渡金属合金和包括这些合金的器件　[申请号/专利号：200410058466]
申请人/专利权人：英特尔公司
本发明公开了过渡金属合金的实施例，这种合金的ｎ型或ｐ型功函数在高温下不会明显变化。所公开的过渡金属合金可用作晶体管的栅电极，或者形成为晶体管栅电极的一部分。本发明也公开...
2005年3月23日
 

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