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制作发光二极管外延晶片的方法
一种在一基底上制作一低电阻系数Ｐ型化合物半导体材料的方法，包括利用ＨＶＰＥ、ＯＭＶＰＥ或ＭＢＥ工艺，在该基底上形成一Ｐ形掺杂化合物半导体层；以及对该Ｐ型掺杂化合物半导体层进行一微波处理。该方法可以将高电阻系数的Ｐ型化合物的半导体材料转变成为具有低电阻系数。

制作发光二极管外延晶片的方法

一种在一基底上制作一低电阻系数Ｐ型化合的半导体材料的方法，该方法包括： 在该基底上形成一Ｐ型掺杂化合物半导体层；以及 对该Ｐ型掺杂化合物半导体层进行一微波处理。
 
　　
专利号: 00117643
申请日: 2000年5月25日
公开/公告日: 2001年8月8日
授权公告日: 2004年10月6日
申请人/专利权人: 国联光电科技股份有限公司
国家/省市: 台湾(71)
邮编:
发明/设计人: 蔡宗良、张中英
代理人: 陶凤波
专利代理机构: 柳沈知识产权律师事务所(11105)
专利代理机构地址: 北京市朝阳区北辰东路8号汇宾大厦A0601(100101)
专利类型: 发明
公开号: 1307356
公告日:
授权日: 20
公告号: 1170304
优先权: 美国2000年2月3日09/497,316
审批历史:
附图数: 6
页数: 8
权利要求项数: 0
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专利分类:·生活及医学 ·作业及运输 ·化学及冶金 ·纺织及造纸 ·建筑及采矿 ·机械及工程 ·物理及测量 ·电子及通讯
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