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化学机械研磨机台中研磨液及去离子水输送管的配置方法 [申请号/专利号:200610029510]
申请人/专利权人:
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
...
2008年1月30日
上海
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2
半导体激光用单晶晶片 [申请号/专利号:200510137806]
申请人/专利权人:
日立电线株式会社
提供通过光学式的定位方式提高以劈开面作为基准的调合掩模图形时的精度及可以实现提高工序合格率的半导体激光单晶晶片。提供一种半导体激光用单晶晶片,将由劈开形成取向平面的晶片...
2006年8月16日
日本
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3
消除晶片及芯片上金属凸块的高度差异的方法 [申请号/专利号:03101728]
申请人/专利权人:
颀邦科技股份有限公司
利用加压的方式或者结合研磨的方法,可一次消除整片晶圆及晶粒上所有金属凸块间的高度差异,使所有金属凸块都具有实质上相同的高度。...
2004年8月11日
台湾
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4
晶片抛光装置和抛光方法 [申请号/专利号:98111675]
申请人/专利权人:
日本电气株式会社
一种晶片抛光装置及其方法,借助消除抛光量的波动能够提高成品率,并且能够防止因反应产品的聚集而发生擦伤和抛光速度的降低。该晶片抛光装置具有旋转抛光床,装在抛光床上的磨料布...
1999年9月15日
日本
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5
半导体制程用的化学机械研磨组合物 [申请号/专利号:98117452]
申请人/专利权人:
长兴化学工业股份有限公司
本发明提供一种用于半导体制程中的化学机械研磨组合物,其包含70-95重量%的水性介质;1-25重量%的研磨颗粒;及0.1-20重量%的研磨促进剂,该研磨促进剂包含含单羧...
2000年3月8日
台湾
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6
基于氧化铈的抛光工艺和氧化铈基浆料 [申请号/专利号:200510078963]
申请人/专利权人:
国际商业机器公司
通过添加氧化硅到氧化铈基CMP浆料,抛光过程比没有氧化硅时开始得更快,因此消除了抛光过程的停滞时间,并消除在停滞时间内因操作条件改变引起的过程不稳定性。一种用于执行衬底...
2006年3月22日
美国
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7
硬脆材料的摩擦电化学研抛方法 [申请号/专利号:200410044167]
申请人/专利权人:
哈尔滨工业大学
硬脆材料的摩擦电化学研抛方法,它是对传统抛光技术的改进。它按照下述步骤进行:将需要进行抛光处理的硬脆材料固定在抛光机的夹具下端,硬脆材料的被抛光面与研磨盘表面形成摩擦副...
2005年9月21日
哈尔
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8
双重金属镶嵌结构的制造方法 [申请号/专利号:00128994]
申请人/专利权人:
联华电子股份有限公司
一种双重金属镶嵌结构的制造方法包括:提供一基底,基底上具有一绝缘层,绝缘层中具有一双重金属镶嵌式开口,在此开口中覆盖衬层与金属层,再覆盖一层顶盖层,以金属层研磨液或顶盖...
2002年4月24日
台湾
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9
研磨工具和使用其的研磨方法及装置 [申请号/专利号:02119818]
申请人/专利权人:
株式会社迪斯科
一种打磨工具,其包括支撑件和固定到该支撑件上的打磨装置。该打磨装置包括毡制品和散布到该毡制品中的磨粒,该毡制品的密度为0.20克/厘米↑[3]或以上,其硬度为30或以上...
2002年12月11日
日本
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