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钱眼专利首页 > 非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理 的专利共 10
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1
向衬底表面的孔穴中沉积金属硫属元素化物材料的方法 [申请号/专利号:200710181240]
申请人/专利权人:国际商业机器公司
本发明公开了一种向衬底表面的孔穴中沉积金属硫属元素化物材料的方法。该方法包括:获得亲水衬底表面;获得金属硫属元素化物的肼基前驱物的溶液;在衬底上涂敷溶液以使用所述前驱物...
2008年5月7日
2
柔性基宏电子制造中微结构的大面积逆辊压印方法 [申请号/专利号:200710019013]
申请人/专利权人:西安交通大学
本发明公开了一种柔性基宏电子制造中微结构的大面积逆辊压印成型方法,采用逆辊压印技术和相应的套印对准工艺、紫外固化工艺,在镀有ITO薄膜的柔性塑料薄膜上制作出大面积的宏电...
2008年4月30日
3
一种带筛孔的塑料微流控芯片的制备方法 [申请号/专利号:03111164]
申请人/专利权人:中国科学院大连化学物理研究所
本发明提供了一种带筛孔的塑料微流控芯片的制备方法,包括模版制备、芯片浇注步骤,其中模版制备包括覆膜、图形设计、光刻、化学刻蚀,其特征在于图形设计时,将模版待生成筛孔的位...
2004年9月22日
4
低电压和界面免损聚合物存储器设备 [申请号/专利号:02811811]
申请人/专利权人:英特尔公司
本发明的实施例涉及一种聚合物存储器设备及其制造方法。该存储器设备可以包括根据各个实施例提出表面工程技术需要的复层或者单层铁电性聚合物存储器。该铁电性聚合物存储器结构可以...
2004年12月8日
5
半导体存储器器件中的预充电装置及其预充电方法 [申请号/专利号:200410005229]
申请人/专利权人:海力士半导体有限公司
本发明公开一种半导体存储器器件中的预充电装置及使用该装置的预充电方法。该预充电装置包括:一存储器阵列,该存储器阵列中的多个存储体被分成至少两存储器组;以及一预充电所有命...
2005年2月9日
6
防扩散层状构件及其制备方法 [申请号/专利号:99118705]
申请人/专利权人:西门子公司
本发明涉及一种具有材料层和防扩散材料组分扩散的屏障层的层状构件,该扩散屏障层布置在材料层的层边界区域,其中主要形成在材料层的颗粒边界内。...
2000年3月29日
7
一种定位周期配置的亚微米物体的自动化和非可见方法 [申请号/专利号:97109583]
申请人/专利权人:西门子公司、国际商业机器公司
一种利用扫描工具对周期地配置相同物体的一阵列中的特定小物体(小至亚微米)进行定位的方法,该方法包括,扫描该阵列,以用于产生对应于该阵列中所包含的这些物体的大量脉冲,然后...
1997年11月19日
8
产生和擦除导电和半导电结构的方法及电场发生器调节器 [申请号/专利号:99804437]
申请人/专利权人:薄膜电子有限公司
在一种在复合基体中产生二维或三维导电或半导电结构的方法中,其中的基体是由两种或多种空间上隔开的材料构成的,一电场施加到各个材料上,或者电场是根据一协议而空间场调制的,上...
2001年5月9日
9
铜镀层集成电路焊点的结构和方法 [申请号/专利号:01111396]
申请人/专利权人:德克萨斯仪器股份有限公司
一种坚固、可靠并且低成本金属结构和方法,其使电丝/带连接到集成电路的互连铜镀层。该结构含,沉积在氧化铜表面的、250铜扩散系数小于1×10E-23cm↑[2]/S并且厚...
2001年9月26日
10
插入组件和方法 [申请号/专利号:02813234]
申请人/专利权人:因特康系统股份有限公司
一种插入组件(10)包括具有多个接触通孔(14)的电介质板(12),其中的接触通孔延伸通过板且接触件(20)位于每个通孔中。每个接触件包括一对横向隔开的接触点(50),...
2004年9月15日
 

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