包括3个或更多电极的器件-钱眼专利分类

制造半导体器件的氧化与扩镓一步运行工艺　[申请号/专利号：200610042023]
申请人/专利权人：山东师范大学
本发明提供一种制造半导体器件的氧化与扩镓一步运行工艺。采取开管系统，先将洁净的Ｎ型硅片置入高温炉的恒温区，在氧气氛中进行高温氧化，热氧化结束后向管道内通入氮气除氧，待残...

2006年9月6日

具有绝缘栅型双极晶体管的半导体器件及其制造方法　[申请号/专利号：02106850]
申请人/专利权人：株式会社东芝
半导体器件具备第１导电类型的衬底、第２导电类型的第１和第２半导体区域互相分开形成于衬底主表面上、第１导电类型的第３半导体区域在上述第１半导体区域上形成、和形成于第１与第...

2002年10月16日

双极型静态感应晶体管的制造方法　[申请号/专利号：97116252]
申请人/专利权人：张爱珍
一种双极型静态感应晶体管的制造方法。它是在外延层上大面积扩磷形成Ｎ↑［＋］区，在Ｎ↑［＋］区内刻多条穿透磷Ｎ↑［＋］区的槽，在槽内扩硼形成Ｐ↑［＋］栅区，未被刻的Ｎ↑［...

1999年3月3日

具有其内形成有空隙区的外延图形的集成电路器件及其形成方法　[申请号/专利号：200410038585]
申请人/专利权人：三星电子株式会社
一种集成电路器件包括衬底。外延图形在衬底上，且其中形成有一对杂质扩散区和布置在一对杂质扩散区和衬底之间的一对空隙区。一对杂质扩散区的各个至少部分地重叠一对空隙区的各个。...

2004年11月3日

对探头端部进行表面处理的片材　[申请号/专利号：99103313]
申请人/专利权人：日本电子材料株式会社
除去外界物质，不使探头端部变形，防止在探头端部粘结新的外界物质。一种对探头端部进行表面处理的片材，用其除去粘结在探头２１１的端部的外界物质，其包括具有附着在表面的细磨料...

1999年10月20日

半导体装置　[申请号/专利号：00124708]
申请人/专利权人：罗姆股份有限公司
本发明的半导体装置包括：在半导体基板上形成的第１导电型的基极区域、在该基极区域内形成的第２导电型发射极区域、与基极区结合形成的第２导电型集电极区域以及在集电极区域内形成...

2001年3月28日

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