晶体管型器件，如连续响应于所施加的控制信号的-钱眼专利分类

有受防护发射极-基极结的双极结晶体管的半导体器件　[申请号/专利号：200520011950]
申请人/专利权人：雅马哈株式会社
本实用新型公开了一种包括双极结晶体管的半导体器件，包括：具有主表面的半导体衬底；从所述主表面在所述半导体衬底中形成的第一导电类型的集电区；从所述主表面在所述集电区中形成...

日本

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双载流子硅控整流器电路以及其形成方法　[申请号/专利号：200510136573]
申请人/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
一种双载流子硅控整流器电路以及其形成方法，用于静电放电防护。此硅控整流器电路包括一双载流子装置，形成于一半导体基板上。此双载流子装置包括至少一Ｎ型阱以及一Ｐ＋材料。Ｎ型...

2006年8月30日

台湾

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用于制造半导体对象的方法以及半导体对象　[申请号/专利号：200510116290]
申请人/专利权人：ATMEL德国有限公司
用于制造半导体对象、特别是高频双极型晶体管或者垂直集成的高频共射－共基放大器结构的方法，其中施加由第一半导体材料构成的基极区域；在基极区域上方施加一个硅化物层；在硅化物...

2006年6月21日

联邦

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双极型器件以及增加其中电荷载流子迁移率的方法　[申请号/专利号：200510097828]
申请人/专利权人：国际商业机器公司
一种增加双极型器件内的电荷载流子迁移率的方法，包括以下步骤：在该器件中产生压缩应变，以增加该器件的固有基极中的空穴迁移率；在该器件中产生拉伸应变，以增加该器件的固有基极...

2006年4月26日

美国

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半导体器件　[申请号/专利号：200510082100]
申请人/专利权人：三菱电机株式会社
本发明的课题是，提供可同时改善ＩＧＢＴ的工作和逆向导通功能这两者的特性的半导体器件。该半导体器件１Ａ包括：在Ｎ－外延层５的表面层上隔开各Ｐ扩散区９、１１而形成的Ｐ扩散区...

2006年3月1日

日本

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具有最小寄生现象的晶体管结构及其制造方法　[申请号/专利号：200510052428]
申请人/专利权人：国际商业机器公司
提供了一种寄生现象被减为最小的晶体管，此晶体管包括在本征发射极部分顶部具有凹陷的非本征发射极部分的发射极；包括基极，此基极包含与本征发射极部分电接触的本征基极部分和与本...

2005年8月31日

美国

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原子级p-n结单晶整流器及其应用　[申请号/专利号：200510017226]
申请人/专利权人：冯守华
本发明的原子级ｐ－ｎ结单晶整流器及其应用属于材料与电子器件技术领域。单晶整流器的单晶组分是三重价态锰氧化物，通式为Ｒｅ↓［１－ｘ－ｙ］Ｍ↓［ｘ］↑［Ⅱ］Ｍ↓［ｙ］↑［Ⅰ...

2006年6月28日

长春

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基于双势垒隧道结共振隧穿效应的晶体管　[申请号/专利号：200510064341]
申请人/专利权人：中国科学院物理研究所
本发明涉及基于双势垒隧道结共振隧穿效应的晶体管包括：衬底、发射极、基极、集电极和第一和第二隧道势垒层；其中第一隧道势垒层设置在发射极和基极之间，第二隧道势垒层在基极与集...

2006年3月29日

北京

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半导体装置　[申请号/专利号：200510004101]
申请人/专利权人：三洋电机株式会社
一种半导体装置，具有第一层电极和平板状第二层电极的双极晶体管减少了引线接合的固定位置的限制，提高了组装时的通用性。另外，由于第二层基极电极６和发射极电极仅以各自矩形的一...

2005年10月5日

日本

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半导体装置及其制造方法　[申请号/专利号：200410102112]
申请人/专利权人：三洋电机株式会社
一种半导体装置及其制造方法，在双极晶体管中，在本征基极区域下方设置ＳＩＣ，谋求柯克效应的抑制和本征基极区域的薄膜化，从而提高ｆＴ。并且，ＳＩＣ层的杂质浓度越高其效果越好...

2005年8月3日

日本

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高频切换晶体管　[申请号/专利号：200410100303]
申请人/专利权人：因芬尼昂技术股份公司
一种高频切换晶体管，包括集极区域，其具有第一传导型态，于该集极区域上形成边界的第一阻障区域，其具有不同于该第一导电型态的第二导电型态，以及于该第一阻障区域上形成边界的半...

2006年1月4日

联邦

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半导体衬底及其制造方法和半导体器件及其制造方法　[申请号/专利号：03160302]
申请人/专利权人：三菱电机株式会社
获得可保持双向耐压、且可靠性高的半导体器件及其制造方法和半导体衬底及其制造方法。为此，Ｎ＃＋［－］型硅衬底１具有相对的底面和上表面。基于Ｐ型杂质的扩散，在Ｎ＃＋［－］型...

2004年5月5日

日本

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半导体装置及其制造方法　[申请号/专利号：02127074]
申请人/专利权人：三菱电机株式会社
在Ｐ－型硅衬底（１）上形成了Ｎ－型外延层（３）。形成了贯通Ｎ－型外延层（３）并到达Ｐ－型硅衬底（１）的规定的深度的沟槽（６ａ、６ｂ）。在沟槽（６ａ、６ｂ）的侧壁上形成了...

2003年6月4日

日本

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具有击穿保护的晶体管结构　[申请号/专利号：200510070492]
申请人/专利权人：崇贸科技股份有限公司
本发明涉及一种具有击穿保护的晶体管结构，其能够提高晶体管耐击穿能量，并且能够扩大预定雪崩击穿电压所需的离子掺杂浓度冗余度。该晶体管结构避免了寄生双极型晶体管被导通，并能...

2006年11月15日

台湾

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一种磁致电阻晶体管　[申请号/专利号：200410083673]
申请人/专利权人：财团法人工业技术研究院
一种磁致电阻晶体管，是以磁致电阻组件作为发射极，并利用无源组件作为集电极，基极连接在发射极与集电极之间，以电性导通于发射极与集电极。磁致电阻组件中的磁性多层膜经过外加磁...

2006年4月19日

台湾

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半导体器件及其制造方法　[申请号/专利号：200410079861]
申请人/专利权人：松下电器产业株式会社
一种半导体器件，具有低电阻的Ｎ型半导体基板（１０１）、形成在该Ｎ型半导体基板（１０１）上的Ｎ型的并且电阻比半导体基板（１０１）高的集电层（１０２）、与该集电层（１０２）...

2005年3月30日

日本

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半导体器件、半导体装置和它们的制造方法　[申请号/专利号：98106033]
申请人/专利权人：株式会社东芝
课题是改善半导体器件的高频特性。解决方案是在半导体器件内部形成由ｐ↑［＋］型硅衬底１０和ｐ↑［＋］型发射极埋入区域１４和ｐ↑［＋］型发射极引出区域２０构成的发射极导通部...

1998年9月9日

日本

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半导体器件及其制造方法　[申请号/专利号：02828971]
申请人/专利权人：株式会社瑞萨科技
本发明的一种半导体器件，侧壁绝缘薄膜９提供在异质结双极型晶体管的基极抽取电极５Ｂ中形成的第一开口部分８ａ的侧面上，并且侧壁绝缘薄膜９的一部分延伸，以便在基极抽取电极５Ｂ...

2005年6月8日

日本

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一种功率型多晶硅发射极晶体管　[申请号/专利号：02159740]
申请人/专利权人：李思敏
本发明公开了一种功率型多晶硅发射极晶体管。在上层为Ｎ＃＋［－］型高电阻率层，下层为Ｎ＃＋［＋］型低电阻率层的硅衬底片的上表面有多个高掺杂浓度发射区，发射区的上面连接掺杂...

2003年6月4日

北京

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双载子晶体管及其制造方法　[申请号/专利号：02159064]
申请人/专利权人：联华电子股份有限公司
一种双载子晶体管及其制造方法，该双载子晶体管包含有一介电层形成于一基底上，一开口形成于该介电层中且暴露部份该基底，一重掺杂硅层设于该开口的侧壁上，用来定义一自行对准基极...

2004年1月7日

台湾

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硅基液晶显示背板的结构与制作方法　[申请号/专利号：02156110]
申请人/专利权人：联华电子股份有限公司
本发明是提供制作一种反射式液晶（ＬＣＯＳ，Ｌｉｑｕｉｄ　Ｃｒｙｓｔａｌ　ｏｎ　Ｓｉｌｉｃｏｎ）背板的结构与方法。在本发明中是利用高压元件，例如，高压互补式金属氧化物半导...

2003年8月13日

台湾

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纳米孔道中的晶体管及其集成电路　[申请号/专利号：99124924]
申请人/专利权人：中国科学院长春光学精密机械研究所
本发明属于一种纳米尺寸的半导体电子器件，利用了分子筛材料中纳米孔道整齐排列和可控制生长的特点，将半导体材料装入纳米孔道中，形成沿纳米孔道的半导体器件。选用电绝缘的材料作...

2001年7月18日

长春

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高速功率开关晶体管　[申请号/专利号：98200661]
申请人/专利权人：北京工业大学
一种高速功率开关晶体管，是具有新型横向结构的栅辅助晶体管ＧＡＴ。在芯片平面上看，该结构中的栅区由呈岛状分布的许多分立的区域构成，这些分立的岛状栅区在芯片平面上根据需要和...

北京

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绝缘栅双极型晶体管及其制造方法　[申请号/专利号：200410091437]
申请人/专利权人：三垦电气株式会社
本发明是关于一种绝缘栅双极型晶体管及其制造方法，提供一种带有设置于Ｐ型集电区（１１）和Ｐ型（基区）之间（１４）的Ｎ型缓冲区ＩＧＢＴ（１０）。该缓冲区（１２）中使用砷作为...

2005年5月25日

日本

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半导体器件　[申请号/专利号：99105780]
申请人/专利权人：日本电气株式会社
提供一种包括自对准型多发射极双极晶体管的半导体器件，其中每个集电极－基极隔离长度可以被减小成与集电极－基极击穿电压相连所允许的最小值，在这种双极晶体管中，一个以上发射极...

1999年10月20日

日本

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无外延衬底中隔离的互补金属氧化物硅器件　[申请号/专利号：03823803]
申请人/专利权人：先进模拟科技公司
通过向不包括外延层的半导体衬底中注入掺杂剂形成用于电隔离半导体器件的结构。继注入之后，该结构遭受非常有限的热预算，因此掺杂剂不会显著地扩散。结果，该隔离结构的尺寸是有限...

2005年10月26日

美国

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用于非硅基器件的晶片级密封　[申请号/专利号：03823717]
申请人/专利权人：硅光机械股份有限公司
所揭示的一个实施例涉及用于密封晶片上的非硅基器件的有效区域的方法（１００）。该方法包括至少在非硅基器件的有效区域上提供（１０４）牺牲材料；在晶片上沉积（１０８）密封涂层...

2005年10月26日

美国

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保护元件　[申请号/专利号：03801340]
申请人/专利权人：三洋电机株式会社
本发明提供一种保护元件。微波ＦＥＴ所具有的内在肖特基结（接合）电容或ＰＮ结电容小，这些结的抗静电能力弱。但是，在微波器件中通过连接保护二极管增加了寄生电容，但导致高频特...

2005年1月26日

日本

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带有微波双极晶体管的半导体器件　[申请号/专利号：98102562]
申请人/专利权人：NEC化合物半导体器件株式会社
带有双极晶体管的半导体器件，可减少基板连接层和集电区之间的寄生电容；包括：具有主表面的半导体衬底，形成在衬底中的集电区，基区和发射区，形成在衬底主表面上并与集电区重叠的...

1999年1月6日

日本

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半导体器件及其制造方法　[申请号/专利号：98120198]
申请人/专利权人：日本电气株式会社
提供一种制造半导体器件的方法，包括下列步骤：在硅衬底（１）上形成绝缘膜（２）和导电膜（３）；在绝缘膜（２）中形成第一开口（２ａ），并在导电膜（３）中形成第二开口（３ａ）...

1999年5月5日

日本

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电力半导体器件　[申请号/专利号：02106147]
申请人/专利权人：株式会社东芝
在ｎ型基极层１的一面上形成ｐ型基极层７。在ｐ型基极层７的表面上形成ｎ型发射极层８。在ｎ型基极层１的另一面上形成ｐ型集电极层２。在ｎ型发射极层８和ｐ型基极层７上形成发射极...

2002年11月13日

日本

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电介质分离型半导体装置及其制造方法　[申请号/专利号：200410100761]
申请人/专利权人：三菱电机株式会社
本发明的目的是得到一种电介质分离型半导体装置及其制造方法，可以防止半导体装置的耐压因电介质层的厚度和第１半导体层的厚度的关系而受到限制，可以实现高耐压。通过埋入氧化膜层...

2005年7月27日

日本

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有受防护发射极-基极结的双极结晶体管的半导体器件　[申请号/专利号：200510068549]
申请人/专利权人：雅马哈株式会社
本发明公开了一种ＣＭＯＳ－ＢＪＴ半导体器件的制造方法，该方法包括如下步骤：同时在半导体衬底中形成第一导电类型的集电区和第一导电类型的第一阱；在半导体衬底中形成与第一导电...

2005年10月5日

日本

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半导体装置　[申请号/专利号：200510004596]
申请人/专利权人：三洋电机株式会社
一种半导体装置。具有梯状的第一基极电极及长方形状的第一发射极电极和平板状的第二基极电极、第二发射极电极的半导体装置，可确保接合面积，即使对于第一发射极电极，也是引线结合...

2005年10月5日

日本

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超自对准亚微米结构的硅微波功率芯片　[申请号/专利号：01262961]
申请人/专利权人：信息产业部电子第五十五研究所
超自对准亚微米结构的硅微波功率芯片是一种用于硅微波双极型功率晶体管，该芯片以高浓度ｎ↑［＋＋］硅为衬底，在该衬底上面是ｎ型外延层，在ｎ型外延层上面分别相间隔设有Ｐ型注入...

南京

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绝缘双极性栅晶体管装置及制法、控制其切换速率的方法　[申请号/专利号：01120299]
申请人/专利权人：华瑞股份有限公司
一种高技术性的绝缘双极性栅晶体管装置，其依次地具有ｐ＋硅基板的集极，形成于该ｐ＋硅基板上的ｎ＋缓冲层，ｎ＋缓冲层上的ｎ－磊晶层，选择性地形成ｐ型基极区于该ｎ－磊晶层的上...

2003年2月12日

台湾

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一种制造含有复合缓冲层半导体器件的方法　[申请号/专利号：01141993]
申请人/专利权人：同济大学
一种制造ＣＢ结构耐压层的方法，它是将一块ｎ型半导体片与一块ｐ型半导体片各自均刻了槽，ｎ型材料有槽的地方恰好是ｐ型材料没有槽的地方，反之亦然。两块半导体片的槽深相等，将两...

2003年4月16日

上海

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联栅晶体管　[申请号/专利号：00100761]
申请人/专利权人：李思敏
一种联栅晶体管，包括硅衬底片、集电区、发射区、基区、栅区及相应的金属电极层，硅衬底片的上表面有多条第一导电类型的高掺杂浓度的发射区，每条发射区的周围有第二导电类型的基区...

2000年7月19日

北京

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双极高速功率开关晶体管发射区结构　[申请号/专利号：98203022]
申请人/专利权人：北京工业大学
一种高速双极功率开关晶体管发射区结构。从剖面结构上看，这种发射区由轻掺杂的中心区域和分布在两侧的高掺杂的周边区域构成。该结构能够加速晶体管的关断过程，有效地改善双极功率...

北京

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双极晶体管以及包含该双极晶体管的电子装置　[申请号/专利号：200410075885]
申请人/专利权人：夏普株式会社
本发明的双极晶体管包括由ｎ－型半导体制成的集电极层和在该集电极层上由ｎ－型半导体制成的发射极层。在发射极层上提供用于注入ｐ－型载流子（空穴）到发射极层的栅极层。在集电极...

2005年8月17日

日本

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半导体器件　[申请号/专利号：200310118754]
申请人/专利权人：株式会社东芝
本发明提供一种具有优良逆恢复特性的半导体器件，其具备：基极层，具有第１主表面和与第１主表面相对的第２主表面，由第１导电型半导体构成；第１主电极层，在第１主表面与基极层连...

2004年6月16日

日本

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功率晶体管及使用它的半导体集成电路　[申请号/专利号：200310122558]
申请人/专利权人：夏普株式会社
提供一种功率晶体管，还有使用该功率晶体管的半导体集成电路，在该晶体管中可防止寄生ＰＮＰ晶体管的不正常起动和由于周边电路闭塞引起的电路故障。在由配置在Ｐ型硅基底上的多个垂...

2004年6月23日

日本

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半导体器件　[申请号/专利号：200410036965]
申请人/专利权人：罗姆股份有限公司
一种半导体器件，具有在信号输入部分中的静电保护二极管并在二极管与输出控制晶体管之间伴随着寄生晶体管。所述半导体器件还具有：仿真晶体管，比输出控制晶体管离静电保护二极管更...

2004年12月1日

日本

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绝缘层上覆硅单晶芯片结构及其制造方法　[申请号/专利号：03107427]
申请人/专利权人：威盛电子股份有限公司
本发明涉及一种绝缘层上覆硅单晶芯片结构及其制造方法，采用本发明的方法制造的该芯片结构包含有：一单晶元件层，用来布局至少一绝缘层上覆硅元件；一埋入氧化层，位于该单晶元件层...

2003年9月17日

台湾

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具有磊晶基极双载子连接晶体管的自对准制造方法与结构　[申请号/专利号：03107405]
申请人/专利权人：联华电子股份有限公司
一种具有磊晶基极双载子连接晶体管的自对准制造方法，包括：形成一浅沟渠隔离结构于半导体底材中；接着，形成一氧化层于底材之上；随后，形成一第一掺杂多晶硅层于氧化层之上；然后...

2004年4月28日

台湾

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具有高度结构可靠性和低寄生电容的半导体器件　[申请号/专利号：03142566]
申请人/专利权人：株式会社日立制作所
提供一种具有高度结构可靠性和低寄生电容的半导体器件。在一个实施例中，半导体器件具有表面。该半导体器件包括半导体区，其中，从靠近半导体区的衬底的一侧层叠有发射极区、基极区...

2004年2月11日

日本

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具增加击穿电压的半导体结构及制造该半导体结构的方法　[申请号/专利号：200410005258]
申请人/专利权人：因芬尼昂技术股份公司
半导体结构，包括第一掺杂型态之埋藏第一半导体层，第一掺杂型态之第二半导体层，其系位于埋藏半导体层上，并较埋藏第一半导体层之掺杂少，第二掺杂型态之一半导体区域，其系位于该...

2004年9月22日

联邦

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