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钱眼专利首页 > 具有连接到1个不通有待整流、放大或切换的电流的电极上去的半导体区域的；并且这样的电极又是包含3个或更多个电极的半导体器件的组成部分的 的专利共 74 条
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1
具有锗纳米棒的场效应晶体管及其制造方法　[申请号/专利号：200810086977]
申请人/专利权人：三星电子株式会社
本发明提供了一种具有至少一个Ｇｅ纳米棒的场效应晶体管以及场效应晶体管的制造方法。该场效应晶体管可以包括：栅极氧化物层，形成在硅基底上；至少一个Ｇｅ纳米棒，埋入在栅极氧化...
2008年11月5日
2
氧化物填充扩展沟槽栅超结MOSFET及其制造方法　[申请号/专利号：200810018084]
申请人/专利权人：西安理工大学
本发明公开了一种用氧化物填充扩展沟槽栅超结ＭＯＳＦＥＴ及其制造方法，包括沟槽型的多晶硅栅极、栅氧化层及栅氧化层两侧的ｐ－Ｗｅｌｌ区，ｐ－Ｗｅｌｌ区内设置有ｎ↑［＋］源区...
2008年9月17日
3
存储装置及其制造方法和操作方法　[申请号/专利号：200810096571]
申请人/专利权人：三星电子株式会社
本发明提供了一种存储装置、一种制造该存储装置的方法以及一种操作该存储装置的方法。所述存储装置可以包括：沟道区，具有上端，其中，上端的两侧弯曲，两侧的弯曲部分允许在编程或...
2008年11月19日
4
2008年12月10日
5
半导体器件　[申请号/专利号：200810099558]
申请人/专利权人：株式会社电装
一种半导体器件包括半导体衬底（１０）和衬底上的超结结构。超结结构由交替设置的ｐ型和ｎ型柱区（２０，３０）构成。ｐ型沟道层（４０）形成到超结结构的表面。沟槽栅极结构形成到...
2008年11月19日
6
沟道区中具有硅和碳层的晶体管　[申请号/专利号：200480039538]
申请人/专利权人：英飞凌科技股份公司
一种晶体管及其制造方法，该晶体管具有形成于沟道内的应变材料层以增加晶体管速度并改善晶体管性能。在该沟道区内外延生长硅和碳层。可在该硅和碳层上形成薄半导体材料，并在形成该...
2007年1月24日
7
制作半导体器件的方法和利用这种方法得到的半导体器件　[申请号/专利号：200480037922]
申请人/专利权人：皇家飞利浦电子股份有限公司
本发明涉及一种制作具有场效应晶体管的半导体器件（１０）的方法，在该方法中，硅半导体本体（１）在其表面处提供具有第一导电类型的源区（２）和漏区（３），其都设有延伸部分（２...
2007年1月10日
8
薄膜晶体管及其制造方法　[申请号/专利号：200810127791]
申请人/专利权人：三星电子株式会社
本发明公开了一种薄膜晶体管及其制造方法。具体而言，薄膜晶体管可以包括：栅绝缘层；形成在栅绝缘层上的栅电极；形成在栅绝缘层上的沟道层；以及接触沟道层的源和漏电极。沟道层可...
2008年11月12日
9
半导体器件和同一芯片上集成角形器件与平面器件的方法　[申请号/专利号：200810081344]
申请人/专利权人：国际商业机器公司
公开了半导体器件和在同一芯片上集成角形器件与平面器件的方法。该半导体器件包括具有两种晶体取向的半导体材料。该半导体材料形成器件的有源区。在两个晶体取向上形成器件沟道，其...
2008年9月10日
10
薄膜晶体管装置、其制造方法以及显示装置　[申请号/专利号：200810005803]
申请人/专利权人：三菱电机株式会社
提供一种用于良好的源极漏极接触以及保持电容部的电容稳定化、减小源极漏极间的泄漏、栅极绝缘膜的耐压提高、接触电阻的低电阻化的薄膜晶体管装置及其制造方法、以及具有薄膜晶体管...
2008年8月13日
11
包括掺杂的硅碳衬里层的半导体结构及其制造方法　[申请号/专利号：200810005703]
申请人/专利权人：国际商业机器公司
本发明涉及一种包括掺杂的硅碳衬里层的半导体结构及其制造方法。一种半导体结构及其制造方法，所述半导体结构包括衬里层，所述衬里层被插入到这样的区域之间：（１）半导体衬底内的...
2008年8月13日
12
高压晶体管及其制造方法　[申请号/专利号：200810009221]
申请人/专利权人：三星电子株式会社
本发明的一些实施例提供了高压晶体管以及制造所述高压晶体管的方法。所述高压晶体管包括：半导体基底；器件分隔膜，限定半导体基底中的有源区；栅电极，在半导体基底上沿有源区的中...
2008年8月6日
13
动态随机存取存储器、半导体装置及其形成方法　[申请号/专利号：200810002982]
申请人/专利权人：三星电子株式会社
本发明公开了一种半导体装置、动态随机存取存储器、以及半导体装置的形成方法。该半导体装置包括在具有第一类型杂质离子的半导体基底内所界定的有源区。相反区在所述有源区之内并且...
2008年7月23日
14
半导体装置以及其制造方法　[申请号/专利号：200810085240]
申请人/专利权人：株式会社半导体能源研究所
本发明的目的在于提供为了增加在各种蚀刻工序中的蚀刻余地的半导体装置的元件结构以及具有该元件结构的半导体装置的制造方法。本发明的半导体装置包括配置在具有开口部的绝缘物（１...
2008年9月10日
15
半导体结构及其制造方法　[申请号/专利号：200710149954]
申请人/专利权人：国际商业机器公司
本发明提供一种半导体结构，包括具有倒置Ｖ形沟道区域的半导体层，该倒置Ｖ形沟道区域允许在半导体结构内避免凸起的源极／漏极区域。在一实施例中，基本常规的栅电极位于倒置Ｖ形沟...
2008年4月9日
16
2008年5月28日
17
半导体器件及其制造方法　[申请号/专利号：200710129484]
申请人/专利权人：海力士半导体有限公司
本发明公开一种半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括具有有源区和栅极区的半导体基板、以及栅极通道，所述栅极通道形成于所述有源区的与所述栅极区重叠的一部分中。所述栅极...
2008年4月23日
18
半导体器件　[申请号/专利号：200710167664]
申请人/专利权人：株式会社瑞萨科技
本发明是即使在ｎ沟道ＭＩＳＦＥＴ的源极和漏极上形成镍或镍合金的硅化物区域的情况下，也可以实现截止漏电流难以增加的半导体器件。在源极和漏极上形成镍或镍合金的硅化物区域的ｎ...
2008年3月12日
19
V型沟道结构闪存　[申请号/专利号：200710170742]
申请人/专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
一种Ｖ型沟道结构闪存，包括衬底、形成于衬底上的栅极氧化物、形成于栅极氧化物上的控制栅，以及形成于控制栅两侧的侧壁浮栅，在所述栅极氧化物下端的衬底上形成Ｖ形沟道槽，存储电...
2008年5月14日
20
晶体管及存储单元阵列　[申请号/专利号：200710148088]
申请人/专利权人：奇梦达股份公司
一形成在一具有一顶部表面的半导体衬底中的晶体管，包括：第一以及第二源极／漏极区域；一连接所述第一以及第二源极／漏极区域的沟道；一用以控制在所述沟道中流动的一电流的栅极电...
2008年5月7日
21
LDMOS晶体管　[申请号/专利号：200680001849]
申请人/专利权人：英飞凌科技股份公司
一种ＬＤＭＯＳ半导体晶体管结构，包括：具有第一导电类型的外延层（１５０）的基板（１６０）；从该外延层表面延伸的第二导电类型的源极区域（１１４）；在该外延层内的第二导电类...
2008年1月2日
22
绝缘栅型场效应晶体管及其制造方法　[申请号/专利号：200610121206]
申请人/专利权人：三洋电机株式会社
本发明涉及一种绝缘栅型场效应晶体管，在平面结构的ＭＯＳＦＥＴ中，当降低漏极－源极间电压ＶＤＳ时，耗尽层宽度变窄，在栅极电极的中央下方的栅极－漏极间电容Ｃｇｄ（回授电容Ｃ...
2007年4月4日
23
半导体复合装置及其制造方法　[申请号/专利号：200610093250]
申请人/专利权人：索尼株式会社
一种半导体复合装置及其制造方法。在将半导体元件和微型电机械装置于不同的基板上制作并且将它们复合化的模块中，会产生由芯片间的连接导致的电力损失或寄生电容增大等的特性恶化问...
2006年12月27日
24
2008年2月6日
25
形成突变的源漏金属栅晶体管　[申请号/专利号：200580028272]
申请人/专利权人：英特尔公司
可以利用栅结构作为掩模来形成源和漏区域。然后栅结构可以被去除以形成间隙且隔离物可以形成在间隙内以限定沟槽。在于基底内形成沟槽的过程中，源漏区域的部分被去除。然后基底填充...
2007年7月25日
26
自偏压晶体管结构以及SRAM单元　[申请号/专利号：200580025910]
申请人/专利权人：先进微装置公司
通过提供自偏压半导体开关，可实现具有较少数目的个别主动元件的静态存储器（ＳＲＡＭ）单元（４５０）。在特定实施例中，可以双沟道场效晶体管（４００）的形式提供该自偏压半导体...
2007年7月18日
27
具有控制应力的氮化硅膜　[申请号/专利号：200580024991]
申请人/专利权人：应用材料股份有限公司
本发明公开了一种包含一多层氮化物层叠的组件（ａｓｓｅｍｂｌｙ），该多层氮化物层叠具有多层氮化物蚀刻终止层，且每一氮化物蚀刻终止层彼此层叠，并通过一薄膜形成工艺来形成每一...
2007年6月27日
28
具有导体材料层的晶体管栅电极　[申请号/专利号：200480042095]
申请人/专利权人：英特尔公司
本发明的各个实施方案涉及ＰＭＯＳ器件，所述ＰＭＯＳ器件具有在衬底上的硅锗材料晶体管沟道、栅电介质、栅电极导体材料以及在所述栅电极导体材料上的栅电极半导体材料，其中所述栅...
2007年2月28日
29
通过利用多个窄部分布局增强应变器件性能　[申请号/专利号：200580010842]
申请人/专利权人：英特尔公司
一种具有高张应力的半导体器件。该半导体器件包括具有源区和漏区的衬底。源区和漏区中的每一个分别包括多个分开的源极部分和漏极部分。在源区的两个分开的源极部分之间以及在漏区的...
2007年5月2日
30
2008年2月13日
31
沟槽绝缘栅场效应晶体管　[申请号/专利号：200480035225]
申请人/专利权人：皇家飞利浦电子股份有限公司
本发明涉及具有漏极（８）、子沟道区（１０）、主体（１２）和源极（１４）的沟槽ＭＯＳＦＥＴ。子沟道区掺杂为与主体（１２）相同的导电类型，但具有较低的掺杂密度。提供与子沟道...
2006年12月27日
32
应变半导体器件　[申请号/专利号：200480034256]
申请人/专利权人：秦内蒂克有限公司
在多数载流子是空穴的晶体管中，至少一个窄带隙区域或层是ｐ型掺杂的或包括过量的空穴，并承受压缩机械应变，由此空穴迁移率可以显著提高。在ｐ沟道量子阱ＦＥＴ中，量子阱ＩｎＳｂ...
2006年12月20日
33
具有改善的安全工作区域性能的IGBT阴极设计　[申请号/专利号：200480033652]
申请人/专利权人：ABB技术有限公司
在一种绝缘栅双极晶体管中，根据本发明通过二折基区实现了改善的安全工作区域性能，二折基区包括第一基区（８１）和第二基区（８２），所述第一基区（８１）设置在沟道区（７）中，...
2006年12月20日
34
用于FET栅电极的CVD钽化合物　[申请号/专利号：200480033445]
申请人/专利权人：国际商业机器公司
本发明公开了在场效应器件中用作栅极材料的Ｔａ和Ｎ的化合物，它可能包括其它的元素，并且具有小于大约２０ｍΩｃｍ的电阻率，并且Ｎ与Ｔａ元素比率约大于０．９。这种化合物的代表...
2007年1月24日
35
应变沟道鳍片场效应晶体管　[申请号/专利号：200480002593]
申请人/专利权人：先进微装置公司
一种半导体结构，包括鳍片（２０５）和形成于该鳍片上的层（３０５）。该鳍片（２０５）包括具有矩形横剖面和许多表面的第一结晶材料。该层（３０５）形成于该等表面上并包括第二结...
2006年3月1日
36
超薄SOI/SGOI衬底上的超高速Si/SiGe调制掺杂场效应晶体管　[申请号/专利号：200480024784]
申请人/专利权人：国际商业机器公司
一种硅和硅锗基半导体ＭＯＤＦＥＴ器件设计以及制造方法。此ＭＯＤＦＥＴ设计包括高迁移率层结构，能够超高速、低噪声用于包括ＲＦ、微波、亚毫米波、以及毫米波的各种通信用途。外...
2007年1月10日
37
包括具有能带工程超晶格的MOSFET的半导体器件　[申请号/专利号：200480018093]
申请人/专利权人：RJ梅尔斯有限公司
一种半导体器件，包括衬底和至少一个与衬底相邻的ＭＯＳＦＥＴ。ＭＯＳＦＥＴ包括又包括多个堆叠的层组的超晶格沟道。ＭＯＳＦＥＴ也可包括侧面与所述超晶格沟道相邻的源和漏区，以...
2006年8月2日
38
包括能带工程超晶格的半导体器件　[申请号/专利号：200480017932]
申请人/专利权人：RJ梅尔斯有限公司
一种半导体器件，包括超晶格，所述超晶格又包括多个堆叠的层组。该器件还包括引起载流子在相对于堆叠层组平行的方向上通过超晶格输送的区域。每组超晶格可以包括多个堆叠的基本半导...
2006年8月2日
39
SOI器件　[申请号/专利号：200580045284]
申请人/专利权人：皇家飞利浦电子股份有限公司
一种绝缘体上半导体器件，具有绝缘体层、绝缘体层上的有源层（４０）、有源层上的集电极（１０）、发射极（３０）和基极（２０）的侧向布置、以及在发射极下面向绝缘体延伸的高基极...
2007年12月26日
40
制作包括能带工程超晶格的半导体装置的方法　[申请号/专利号：200480018053]
申请人/专利权人：RJ梅尔斯有限公司
一种用于通过形成超晶格而制造半导体装置的方法，该超晶格包括多个堆叠层组。所述方法也可包括形成用于引起载流子在相对堆叠层组平行的方向上输运通过超晶格的区域。超晶格的每个组...
2006年8月2日
41
绝缘体上硅器件　[申请号/专利号：200480016043]
申请人/专利权人：皇家飞利浦电子股份有限公司
公开了一种绝缘体上硅（ＳＯＩ）器件，其中，Ｐ型掺杂的延伸部分（３０３）在器件的埋置氧化物层与ＳＯＩ层之间被注入。此延伸部分的尺寸和形状使得源（３０９）能够被偏置在显著地...
2006年7月12日
42
2008年1月30日
43
具有拉伸应变基片的MOSFET器件及其制备方法　[申请号/专利号：200480007454]
申请人/专利权人：先进微装置公司
一个示例性实施例涉及一种形成金属氧化物半导体场效应晶体管（ＭＯＳＦＥＴ）的方法。该方法包括提供其上形成有栅极（５４）的基片（４０）并且至少进行以下沉积步骤中的一种：沉积...
2006年4月19日
44
包括能带工程超晶格的半导体装置　[申请号/专利号：200480018015]
申请人/专利权人：RJ梅尔斯有限公司
一种半导体装置包括超晶格，从而包括多个堆叠层组。每个超晶格组可包括多个堆叠的基半导体单层，其限定基半导体部分和其上的能带修饰层。而且，能带修饰层可包括至少一个非半导体单...
2006年8月2日
45
半导体器件及制造方法　[申请号/专利号：200480017621]
申请人/专利权人：先进微装置公司
本发明公开了一种适用于集成电路中的应变半导体器件，以及一种用以制造该应变半导体器件的方法。从绝缘体上半导体的衬底形成台面隔离结构。在该台面隔离结构上形成栅极结构。该栅极...
2006年7月26日
46
包括具有掺杂部分的沉积沟道区的晶体管　[申请号/专利号：200480040829]
申请人/专利权人：惠普开发有限公司
一种晶体管（１０，４０，４２，４４，４６），具有栅电极（１２，６０）、源电极（２０，６２）、漏电极（２２，６４）、介电材料（１６，７０）和配置在源电极（２０，６２）和漏...
2007年1月31日
47
沟槽栅极场效应器件　[申请号/专利号：200480036076]
申请人/专利权人：丰田自动车株式会社
本发明涉及一种通过增大深区（２６）和中间区（２８）中的少数载流子浓度来降低半导体器件的接通电压的技术。根据本发明的半导体器件包括电极、连接到所述电极的第二导电类型的顶区...
2007年1月3日
48
碳化硅器件及其制造方法　[申请号/专利号：200580020597]
申请人/专利权人：克里公司
提供了ＭＯＳ沟道器件以及制造具有混合沟道的这种器件的方法。示范性器件包括垂直功率ＭＯＳＦＥＴ，其包括碳化硅的混合阱区，即包括外延形成区和注入区的碳化硅器件的阱区，并提供...
2007年6月6日
49
改进的应变硅CMOS器件和方法　[申请号/专利号：200580013028]
申请人/专利权人：国际商业机器公司
本发明提供一种半导体器件及其形成方法，其中单轴应变在半导体器件的器件沟道中产生。单轴应变可能处于拉伸或处于压缩并且在与器件沟道平行的方向上。单轴应变可以由应变引发衬垫、...
2007年6月20日
50
用于增进信道载子移动性之具有高应力衬料之基于Si-Ge的半导体装置　[申请号/专利号：200580014063]
申请人/专利权人：先进微装置公司
藉由采用应力衬料增加在Ｓｉ－Ｇｅ装置的晶体管信道区内之载子移动性，于实施例中包括在松弛源极／漏极区上运用高压缩或拉伸应力膜，并且在其它实施例中包括于除去硅化物间隔件后，...
2007年4月18日
 

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