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半导体器件和同一芯片上集成角形器件与平面器件的方法 |
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| 公开了半导体器件和在同一芯片上集成角形器件与平面器件的方法。该半导体器件包括具有两种晶体取向的半导体材料。该半导体材料形成器件的有源区。在两个晶体取向上形成器件沟道，其包括在半导体材料的第一晶体取向表面中形成的第一区域、以及在半导体材料的第二晶体取向表面中形成的第二区域，其中第一晶体取向表面与第二晶体取向表面形成夹角，并且器件沟道至少覆盖夹角的交叉点。 |
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半导体器件和同一芯片上集成角形器件与平面器件的方法
一种半导体器件，包括： 具有至少两种晶体取向的半导体材料，该半导体材料形成所述器件的有源区；和 在所述至少两个晶体取向上形成的器件沟道，其包括在所述半导体材料的第一晶体取向表面中形成的第一区域和在所述半导体材料的第二晶体取向表面中形成的第二区域，其中所述第一晶体取向表面与所述第二晶体取向表面形成夹角，并且所述器件沟道至少覆盖所述夹角的交叉点。
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