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| 本发明是即使在ｎ沟道ＭＩＳＦＥＴ的源极和漏极上形成镍或镍合金的硅化物区域的情况下，也可以实现截止漏电流难以增加的半导体器件。在源极和漏极上形成镍或镍合金的硅化物区域的ｎ沟道ＭＩＳＦＥＴ的沟道长度方向平行于半导体基板的结晶方向〈１００〉设置。由于镍或镍合金的硅化物区域难以在结晶方向〈１００〉的方向上延伸，所以即使在ｎ沟道ＭＩＳＦＥＴ的源极和漏极上形成镍或镍合金的硅化物区域的情况下，也可以获得截止漏电流难以增加的半导体器件。 |
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半导体器件
一种半导体器件，包括： 具有面方向为（１００）面的主表面的半导体基板；和 在所述主表面上形成的ｎ沟道ＭＩＳＦＥＴ（金属绝缘体半导体场效应晶体管）； 所述ｎ沟道ＭＩＳＦＥＴ包含在所述主表面内形成的源极和漏极、以及在所述源极和漏极的至少一个的表面上形成的含有镍或镍合金的硅化物区域， 所述ｎ沟道ＭＩＳＦＥＴ的沟道长度方向设置成平行于所述半导体基板的结晶方向〈１００〉。
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